Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 315, для научной тематики: Физика полупроводниковых приборов

121.

Характеристики детекторов ядерного излучения на основе полуизолирующего арсенида галлия     

Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов А.М., Строкан Н.Б., Васильев В.И., Гаврин В.Н., Веретенкин Е.П., Козлова Ю.П., Куликов В.Б., Марков А.В., Поляков А.Я. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
На примере регистрации и спектрометрии alpha-частиц исследованы характеристики детекторов на основе объемного полуизолирующего GaAs (SI-GaAs). Их отличительной особенностью является зависимость ширины области электрического поля (W) от величины обратного напряжения (U). Темп роста W(U) составл...
122.

Внутренние оптические потери вполупроводниковых лазерах     

Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Исследованы внутренние оптические потери в мощных полупроводниковых лазерах на основе квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения. На основании расчетов показано, что основная доля внутренних оптических потерь приходится на активную область и эмиттеры. Увеличение толщины волновода и...
123.

Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии цинка     

Андреев В.М., Хвостиков В.П., Калюжный Н.А., Титков С.С., Хвостикова О.А., Шварц М.З. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Сочетанием методов газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и диффузии Zn из газовой фазы были получены Ge-фотоэлементы на основе GaAs/Ge-гетероструктуры, характеризующиеся увеличенными значениями фототока и напряжения холостого хода. Расчетное значение кпд Ge-фотоэлемента превышает5...
124.

Сине-зеленое излучение вполупроводниковых лазерах сквантовыми ямами на основеGaAs     

Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Алешкин В.Я. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Проведено исследование второй гармоники вполупроводниковых лазерах InGaAs/GaAs/InGaP сквантовыми ямами. Показано, что решеточная нелинейность 2-го порядка коэффициента диэлектрической проницаемости приводит квозбуждению фундаментальной TM-моды диэлектрического волновода на удвоенной частоте линии...
125.

Температурная зависимость электролюминесценции ионов Er втуннельных диодах на основе (111)-Si : (Er, O)     

Емельянов А.М., Соболев Н.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
В диапазоне температур 80--300 K в режиме пробоя исследованы электролюминесценция и вольт-амперные характеристики туннельных диодов, полученных имплантацией ионов эрбия, кислорода и бора в(111) n-Si и последующим отжигом. Наблюдавшийся эффект температурного возгорания интенсивности электролюминес...
126.

Нелинейная генерация дальнего инфракрасного излучения вдвухчастотных полупроводниковых лазерах     

Афоненко А.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Рассмотрена нелинейная генерация разностной моды в инжекционном полупроводниковом лазере. Предложена конструкция лазера на основе гетероструктуры InGaAs--GaAs--InGaP, обеспечивающая генерацию двух лазерных мод в диапазоне1 мкм и разностной плазменной моды в диапазонах 15--35 и45--80 мкм. Показано...
127.

Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне     

Василевский К.В., Гамулецкая П.Б., Кириллов А.В., Лебедев А.А., Романов Л.П., Смирнов В.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Приведены результаты экспериментальных исследований p-i-n-диодов на основе SiC вконструкции переключателя 3-сантиметрового диапазона на базе волноводно-щелевой линии. Получены значения потерь запирания переключателя 18.5--23 дБ при токе управления100 мА. Приведена сравнительная оценка последовате...
128.

Сверхскоростной электронный дрейф вполевых полупроводниковых структурах ссекционированным каналом     

Гергель В.А., Гуляев Ю.В., Зеленый А.П., Якупов М.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в специфических полупроводниковых структурах, в которых сравнительно высокоомная дрейфовая область разделена на несколько нанометровых подобластей соответствующим числом низкоомных включений также нанометровой протяженности. Пок...
129.

Ударно-ионизационный волновой пробой игенерация пикосекундных сверхширокополосных исверхвысокочастотных импульсов вдрейфовых диодах на основеGaAs срезким восстановлением     

Козлов В.А., Рожков А.В., Кардо-Сысоев А.Ф. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Впервые экспериментально подтверждено, что работа дрейфовых GaAs-диодов с резким восстановлением, изготовленных из p+-p0-n0-n+-структур, сопровождается возбуждением сверхвысокочастотных осцилляций в виде цугов коротких импульсов длительностью~ 10 пс. Амплитуда импульсов и частота их повторен...
130.

Пикосекундные высоковольтные дрейфовые диоды на основе арсенида галлия     

Рожков А.В., Козлов В.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Представлены экспериментальные результаты исследования динамики восстановления диодов на основе слабо легированных эпитаксиальных слоев. Изученные диоды принадлежат к классу дрейфовых диодов с резким восстановлением и предназначены для работы в схемах формирования и генерирования пикосекундных им...