На примере регистрации и спектрометрии alpha-частиц исследованы характеристики детекторов на основе объемного полуизолирующего GaAs (SI-GaAs). Их отличительной особенностью является зависимость ширины области электрического поля (W) от величины обратного напряжения (U). Темп роста W(U) составляет~ 1 мкм/В, что в принципе позволяет развивать рабочую зону порядкамиллиметров. Препятствием приложенияU порядка киловольт являются возникающие шумы обратного тока. Вработе сопоставлены характеристики диодных структур, в которых выпрямляющий барьер к SI-GaAs создавался напылением металлов (диоды Шоттки) и выращиванием гетеропереходов с сильно легированными эпитаксиальными слоями (использовались соединения AlGaAs и GaAsSb). Вэпитаксиальных гетероструктурах, для которых оказалось возможным прикладывать напряжения более1 кВ, установлены особенности переноса неравновесных носителей как в слабых (менее кВ/см), так и сильных (10-30 кВ/см) электрических полях. Вобоих случаях для времени жизни носителей получены значения порядка наносекунд, определяемые высокой концентрацией центров захвата (структурных дефектов типаEL2), что ограничивает перенос носителей. Из анализа формы спектральной линии выявлена высокая однородность значений времени жизни по объему детектора. Вполях ~ 30 кВ/см обнаружено усиление внесенного частицей заряда. Эффект качественно объясняется фокусировкой силовых линий электрического поля на вершине трека alpha-частицы, возрастанием локальной напряженности поля до ~ 105 В/см иударной ионизацией неравновесных электронов.
Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов А.М., Строкан Н.Б., Васильев В.И., Гаврин В.Н., Веретенкин Е.П., Козлова Ю.П., Куликов В.Б., Марков А.В., Поляков А.Я. Характеристики детекторов ядерного излучения на основе полуизолирующего арсенида галлия // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 490

Исследованы внутренние оптические потери в мощных полупроводниковых лазерах на основе квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения. На основании расчетов показано, что основная доля внутренних оптических потерь приходится на активную область и эмиттеры. Увеличение толщины волновода и длины резонатора лазера приводят к снижению внутренних оптических потерь. Рассмотрены два подхода в конструировании лазерных гетероструктур, проведена оптимизация гетероструктур. Установлено, что различие внутренних оптических потерь в лазерах на подложках из фосфида индия и арсенида галлия связано с большим сечением рассеяния фотонов дырками в фосфиде индия. Показано хорошее согласие экспериментальных и расчетных значений величин внутренних оптических потерь в лазерах на подложках арсенида галлия и фосфида индия.
Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. Внутренние оптические потери вполупроводниковых лазерах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 374

Сочетанием методов газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и диффузии Zn из газовой фазы были получены Ge-фотоэлементы на основе GaAs/Ge-гетероструктуры, характеризующиеся увеличенными значениями фототока и напряжения холостого хода. Расчетное значение кпд Ge-фотоэлемента превышает5.5% при преобразовании концентрированного солнечного излучения. Достигнутые значения фототока в Ge-фотоэлементе близки к значениям фототока, получаемым в GaAs-фотоэлементе при одинаковых условиях освещения солнечным излучением с воздушной массой AM0, что обеспечивает возможность создания высокоэффективных каскадных концентраторных солнечных элементов с \glqq верхним\grqq GaAs-элементом и \glqq нижним\grqq Ge-элементом.
Андреев В.М., Хвостиков В.П., Калюжный Н.А., Титков С.С., Хвостикова О.А., Шварц М.З. Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии цинка // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 369

Проведено исследование второй гармоники вполупроводниковых лазерах InGaAs/GaAs/InGaP сквантовыми ямами. Показано, что решеточная нелинейность 2-го порядка коэффициента диэлектрической проницаемости приводит квозбуждению фундаментальной TM-моды диэлектрического волновода на удвоенной частоте линии генерации лазера. Наблюдались дополнительные линии генерации около пика второй гармоники.
Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Алешкин В.Я. Сине-зеленое излучение вполупроводниковых лазерах сквантовыми ямами на основеGaAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 366

В диапазоне температур 80--300 K в режиме пробоя исследованы электролюминесценция и вольт-амперные характеристики туннельных диодов, полученных имплантацией ионов эрбия, кислорода и бора в(111) n-Si и последующим отжигом. Наблюдавшийся эффект температурного возгорания интенсивности электролюминесценции ионов эрбия обусловлен термическим опустошением ловушек, захвативших дырки в n-области диода при низких температурах, которое приводит к изменению характеристик пробоя. Показано, что часть ловушек при низких температурах сохраняет захваченный положительный заряд и после снятия с диода напряжения. Это обусловливает своеобразный эффект памяти в исследованных структурах.
Емельянов А.М., Соболев Н.А. Температурная зависимость электролюминесценции ионов Er втуннельных диодах на основе (111)-Si : (Er, O) // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 361

Рассмотрена нелинейная генерация разностной моды в инжекционном полупроводниковом лазере. Предложена конструкция лазера на основе гетероструктуры InGaAs--GaAs--InGaP, обеспечивающая генерацию двух лазерных мод в диапазоне1 мкм и разностной плазменной моды в диапазонах 15--35 и45--80 мкм. Показано, что в лазере с шириной волновода100 мкм при мощностях коротковолновых мод10 Вт мощность разностной моды при комнатной температуре может быть ~1 мкВт.
Афоненко А.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Нелинейная генерация дальнего инфракрасного излучения вдвухчастотных полупроводниковых лазерах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 244

Приведены результаты экспериментальных исследований p-i-n-диодов на основе SiC вконструкции переключателя 3-сантиметрового диапазона на базе волноводно-щелевой линии. Получены значения потерь запирания переключателя 18.5--23 дБ при токе управления100 мА. Приведена сравнительная оценка последовательного сопротивления на частоте10 ГГц и дифференциального сопротивления на низких частотах p-i-n-диодов на основе Si иSiC.
Василевский К.В., Гамулецкая П.Б., Кириллов А.В., Лебедев А.А., Романов Л.П., Смирнов В.А. Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 242

Исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в специфических полупроводниковых структурах, в которых сравнительно высокоомная дрейфовая область разделена на несколько нанометровых подобластей соответствующим числом низкоомных включений также нанометровой протяженности. Показано, что в расположенных на дрейфовых электронных траекториях низкоомных участках происходит эффективное снижение электронной температуры, обеспечивающее сохранение высокой электронной подвижности на высокоомных участках траектории. Врезультате известный эффект падения электронной подвижности подавляется, и становится возможным достижение сравнительно высоких, существенно превышающих скорость насыщения, значений эффективной дрейфовой скорости электронного потока.
Гергель В.А., Гуляев Ю.В., Зеленый А.П., Якупов М.Н. Сверхскоростной электронный дрейф вполевых полупроводниковых структурах ссекционированным каналом // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 237

Впервые экспериментально подтверждено, что работа дрейфовых GaAs-диодов с резким восстановлением, изготовленных из p+-p0-n0-n+-структур, сопровождается возбуждением сверхвысокочастотных осцилляций в виде цугов коротких импульсов длительностью~ 10 пс. Амплитуда импульсов и частота их повторения достигают значений~ 100 В и~ (10-100) ГГц соответственно. Факт существования явлений задержанного обратимого волнового пробоя и возбуждения сверхвысокочастотных осцилляций в струкурах GaAs-диодов с резким восстановлением открывает перспективы развития новых направлений как в физике и технике полупроводниковых приборов на основе GaAs-структур, так и в новых областях техники и технологии сверхвысокочастотных и сверхширокополосных систем и устройств, оперирующих с импульсными сигналами пикосекундной длительности.
Козлов В.А., Рожков А.В., Кардо-Сысоев А.Ф. Ударно-ионизационный волновой пробой игенерация пикосекундных сверхширокополосных исверхвысокочастотных импульсов вдрейфовых диодах на основеGaAs срезким восстановлением // ФТП, 2003, том 37, выпуск 12, Стр. 1480

Представлены экспериментальные результаты исследования динамики восстановления диодов на основе слабо легированных эпитаксиальных слоев. Изученные диоды принадлежат к классу дрейфовых диодов с резким восстановлением и предназначены для работы в схемах формирования и генерирования пикосекундных импульсов. Полученные значения скорости восстановления обратного напряжения (dU/dt~ 2000 В/нс) значительно превосходят предельные скорости восстановления известных нам пикосекундных диодов с накоплением заряда и являются рекордными для дрейфовых диодов с резким восстановлением.\label4234
Рожков А.В., Козлов В.А. Пикосекундные высоковольтные дрейфовые диоды на основе арсенида галлия // ФТП, 2003, том 37, выпуск 12, Стр. 1477