Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 315, для научной тематики: Физика полупроводниковых приборов

201.

Исследование технологических процессов изготовления мощных высоковольтных биполярных транзисторов срешеткой включений вколлекторной области     

Волокобинская Н.И., Комаров И.Н., Матюхина Т.В., Решетников В.И., Руш А.А., Фалина И.В., Ястребов А.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Исследованы технологические процессы, происходящие в полупроводниковых структурах при изготовлении транзисторов, содержащих новый конструктивный элемент--- решетку объемных неоднородностей в коллекторной области, препятствующую развитию вторичного пробоя. ...
202.

Полупроводниковый преобразователь инфракрасных изображений ионизационного типа наоснове Si<S> счувствительностью вспектральном диапазоне излучения CO2-лазера     

Туланов В.Т., Сиябеков Х.Б., Давлетова А.Ш., Ортаева К.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Исследован полупроводниковый преобразователь инфракрасных изображений ионизационного типа в импульсном режиме при температуре77 K. Показано, что путем коротковолновой подсветки фотоприемника преобразователя инфракрасных изображений можно управлять спектральным диапазоном его фоточувствительности ...
203.

Исследование пороговых характеристик InGaAsP/InP-гетеролазеров (lambda =1.55 мкм)     

Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Слипченко С.О., Тарасов И.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Работа посвящена исследованию температурной зависимости пороговых характеристик лазера с квантовыми ямами в системе InGaAsP/InP. Показано, что наибольший вклад в пороговый ток вносит беспороговый процесс оже-рекомбинации. Степенная зависимость порогового тока от температуры, наблюдаемая в экспери...
204.

Вертикальные микрорезонаторы на1.3 мкм cInAs/InGaAs-квантовыми точками иприборы наихоснове     

Сахаров А.В., Крестников И.Л., Малеев Н.А., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Цацульников А.Ф., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Bimberg D., Lott J.A., Алферов Ж.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Теоретически и экспериментально исследованы различные варианты структур с оптическими микрорезонаторами и активными слоями на основе квантовых точек InGaAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs. Реализованы светодиоды диапазона 1.3 мкм, обладающие узкой спек...
205.

Сравнительный анализ длинноволновых (1.3 мкм) вертикально-излучающих лазеров наподложках арсенида галлия     

Малеев Н.А., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Васильев А.П., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Алферов Ж.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Рассматриваются различные варианты конструкции вертикально-излучающих лазеров диапазона длин волн 1.3 мкм на подложках арсенида галлия с активными областями на основе квантовых точек InAs/InGaAs и квантовых ям InGaAsN. Исследована взаимосвязь свойств активной области и параметров оптического микр...
206.

Микроскопия электростатических сил на сколах полупроводниковых лазерных диодов     

Анкудинов А.В., Котельников Е.Ю., Канцельсон А.А., Евтихиев В.П., Титков А.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Рассмотрены возможности метода микроскопии электростатических сил для изучения приборных полупроводниковых структур. На примере исследования сколов лазерного диода в системе GaAlAs/GaAs показано, что применение метода позволяет находить положение и протяженность n-p-перехода в лазерной структуре,...
207.

Взаимодействие металлических наночастиц сполупроводником вповерхностно-легированных газовых сенсорах     

Рябцев С.В., Тутов Е.А., Бормонтов Е.Н., Шапошник А.В., Иванов А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Проведен анализ емкостного отклика полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок NiO и SnO2 с нанесенными на их поверхность наночастицами благородных металлов. Показано, что этот отклик появляется вследствие твердофазной реакции между металлом и полупроводником, сопровождающейся образованием...
208.

Спектры иквантовый выход излучения светодиодов сквантовыми ямами наоснове гетероструктур изGaN--- зависимость оттока инапряжения *     

Кудряшов В.Е., Мамакин С.С., Туркин А.Н., Юнович А.Э., Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Исследованы квантовый выход и спектры люминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в диапазоне токов J=10-6-10-1 А. Светодиоды фирмы HewlettPackard имели небольшой разброс квантового выхода излучения(± 15%) при рабочих токах (J~...
209.

Волновой ударно-ионизационный пробой дрейфовых диодов срезким восстановлением     

Козлов В.А., Кардо-Сысоев А.Ф., Брылевский В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Впервые экспериментально обнаружено, что работа дрейфовых диодов с резким восстановлением в режиме лавинного пробоя p-n-перехода может сопровождаться возникновением осцилляций тока через p+-n-n+-структуру и напряжения на ней в режиме impact avalanche transit time, переходящих при определенных ус...
210.

Новая структура поверхностно-барьерного сенсора ультрафиолетового излучения наосновеCdS     

Павелец С.Ю., Бобренко Ю.Н., Комащенко А.В., Шенгелия Т.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
В процессе изготовления сенсора в приповерхностной областиCdS выращивался слой высокоомного CdS илиZnSe. Приведены результаты сравнительных исследований известных CdS-сенсоров ультрафиолетового излучения ипереходов Cu1.8S--CdS с промежуточными слоями. Слои, встроенные в области пространственного ...