Сахаров А.В., Крестников И.Л., Малеев Н.А., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Цацульников А.Ф., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Bimberg D., Lott J.A., Алферов Ж.И.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Теоретически и экспериментально исследованы различные варианты структур с оптическими микрорезонаторами и активными слоями на основе квантовых точек InGaAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs. Реализованы светодиоды диапазона 1.3 мкм, обладающие узкой спек...
Теоретически и экспериментально исследованы различные варианты структур с оптическими микрорезонаторами и активными слоями на основе квантовых точек InGaAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs. Реализованы светодиоды диапазона 1.3 мкм, обладающие узкой спектральной характеристикой и низкой расходимостью светового пучка. В структуре с оксидированными зеркалами AlO/GaAs получена лазерная генерация в вертикальном направлении на длине волны 1.3 мкм при инжекционной накачке.
Сахаров А.В., Крестников И.Л., Малеев Н.А., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Цацульников А.Ф., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Bimberg D., Lott J.A., Алферов Ж.И. Вертикальные микрорезонаторы на1.3 мкм cInAs/InGaAs-квантовыми точками иприборы наихоснове // ФТП, 2001, том 35, выпуск 7, Стр. 889