Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 315, для научной тематики: Физика полупроводниковых приборов

61.

Усиление интенсивности спонтанного излучения эрбия вблизи края фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей на основе a-Si : H/a-SiOx : H     

Медведев А.В., Феоктистов Н.А., Певцов А.Б., Голубев В.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Представлены результаты экспериментальных исследований спонтанной эмиссии ионов эрбия в спектральной области края нижайшей фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей (одномерных фотонных кристаллов). Фотонные кристаллы состояли из чередующихся четвертьволновых слоев a-Si : H и a-SiOx : ...
62.

Some Aspects to the RHEED Behaviour ofLT-GaAs Growth     

Nemcsics Akos - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
The RHEED behaviour during MBE growth on GaAs (001) surface under low temperature (LT) growth conditions is examined in this work. The RHEED and its intensity oscillations of LT-GaAs growth have some particular behaviour. The intensity, phase and decay of oscillations depend on the beam equivalen...
63.

Новый тип высокоэффективных двусторонних кремниевых солнечных элементов свнешними шинами и проволочной контактной сеткой     

Унтила Г.Г., Кост Т.Н., Чеботарева А.Б., Закс М.Б., Ситников А.М., Солодуха О.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Представлены результаты для двусторонних, с внешними шинами, кремниевых солнечных элементов из [n+p(n)p+]-структур на основе Cz-Si с токособирающей системой новой конструкции LGWEB (laminated grid of wire external busbars), которая состоит из пленки проводящего оксида, нанесенной на кремниевую ст...
64.

Удаление фторполимерных загрязнений споверхности кремниевых структур приобработке впотоке атомарного водорода     

Анищенко Е.В., Кагадей В.А., Нефедцев Е.В., Проскуровский Д.И., Романенко С.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследована возможность эффективного удаления фторполимерных загрязнений с поверхности Si-структур с помощью обработки в потоке атомарного водорода. Установлено, что обработка образцов в направленном потоке атомарного водорода с плотностью 2·1015 ат. см-2с-1 при температуре 20-100oC приводит...
65.

Электролюминесцентные свойства светодиодов наоснове p-Si, подвергнутых деформации     

Соболев Н.А., Емельянов А.М., Шек Е.И., Феклисова О.В., Якимов Е.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследована электролюминесценция в светодиодах, деформированных методом четырехточечного изгиба при 700oC, в диапазоне длин волн 1.0-1.65 мкм при токах до 400 мА. Светодиоды изготовлены имплантацией ионов B иP в пластины кремния p-типа проводимости, выращенного методами бестигельной зонной плавки...
66.

Структурные механизмы оптимизации фотоэлектрических свойств пленочных гетеросистем CdS/CdTe     

Хрипунов Г.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Проведены сопоставительные исследования влияния \glqq хлоридной\grqq обработки пленочных гетеросистем CdS/CdTe на выходные характеристики солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au и кристаллическую структуру базового слоя CdTe. Были предложены структурные механизмы, определяющие изменение эф...
67.

Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра наоснове фотодиодов изCdxHg1-xTe     

Стафеев В.И., Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Акимов В.М., Климанов Е.А., Сагинов Л.Д., Соляков В.Н., Мансветов Н.Г., Пономаренко В.П., Тимофеев А.А., Филачев А.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Обзор содержит результаты исследований и разработок в ФГУП << НПО \glqq Орион\grqq>> фотодиодов и матричных фотоприемников на спектральные диапазоны 3-5 и 8-12 мкм на основе твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Представлены структура, топология и параметры разработанны...
68.

Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах     

Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И., Смирнов В.А., Евтихиев В.П., Пихтин Н.А., Растегаева М.Г., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Школьник А.С., Зегря Г.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Экспериментально исследована температурная зависимость порогового тока в лазерных структурах на основе GaInAs в широком диапазоне температур, 4.2=
69.

Квазигидродинамическая модификация приближения плавного канала втеории моптранзистора     

Гергель В.А., Якупов М.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Предложена новая модель расчета характеристик глубоко-субмикрометровых полевых транзисторов современной микроэлектроники. Вней сочетаются традиционно упрощенное квазиодномерное представление о характере распределения электрических полей в канале транзистора (приближение плавного канала и заряженн...
70.

Комбинированная модель резонансно-туннельного диода     

Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Предложена комбинированная модель резонансно-туннельного диода, основанная на полуклассическом и квантово-механическом (формализм волновых функций) подходах. Вней учтены, кроме ряда факторов, важные свойства гетерограниц прибора, в частности форма разрыва зон и поверхностный заряд. Показано, что ...