Представлены результаты экспериментальных исследований спонтанной эмиссии ионов эрбия в спектральной области края нижайшей фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей (одномерных фотонных кристаллов). Фотонные кристаллы состояли из чередующихся четвертьволновых слоев a-Si : H и a-SiOx : H, выращенных методом плазмохимического газофазного осаждения (plasma enhancement chemical vapor deposition). Эрбий вводился в слои a-Si : H магнетронным распылением эрбиевой мишени в процессе роста структуры. Наблюдаемое изменение интенсивности спонтанного излучения обусловлено немонотонным поведением плотности оптических мод вблизи края фотонной зоны.
Медведев А.В., Феоктистов Н.А., Певцов А.Б., Голубев В.Г. Усиление интенсивности спонтанного излучения эрбия вблизи края фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей на основе a-Si : H/a-SiOx : H // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1403

The RHEED behaviour during MBE growth on GaAs (001) surface under low temperature (LT) growth conditions is examined in this work. The RHEED and its intensity oscillations of LT-GaAs growth have some particular behaviour. The intensity, phase and decay of oscillations depend on the beam equivalent pressure (BEP) ratio and substrate temperature etc. We examine here the intensity dependence of RHEED behaviour on BEP ratio, substrate temperature and the excess of As content in the layer. The change of the decay constant of the RHEED oscillations is also discussed.
Nemcsics Akos Some Aspects to the RHEED Behaviour ofLT-GaAs Growth // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1399

Представлены результаты для двусторонних, с внешними шинами, кремниевых солнечных элементов из [n+p(n)p+]-структур на основе Cz-Si с токособирающей системой новой конструкции LGWEB (laminated grid of wire external busbars), которая состоит из пленки проводящего оксида, нанесенной на кремниевую структуру, электрических шин, расположенных рядом с кремниевой структурой, и проволочной контактной сетки, прикрепленной низкотемпературным методом ламинирования одновременно к оксиду и шинам. Двусторонние солнечные элементы LGWEB имеют рекордно высокую для подобных приборов эффективность: 17.7%(n-Si)/17.3%(p-Si) при двусторонности 74-82% для гладкой тыльной поверхности и 16.3%(n-Si)/16.4%(p-Si) при двусторонности 89% для текстурированной тыльной поверхности. Показано, что технология LGWEB позволяет достичь величины кпд, превосходящей21%.
Унтила Г.Г., Кост Т.Н., Чеботарева А.Б., Закс М.Б., Ситников А.М., Солодуха О.И. Новый тип высокоэффективных двусторонних кремниевых солнечных элементов свнешними шинами и проволочной контактной сеткой // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1393

Исследована возможность эффективного удаления фторполимерных загрязнений с поверхности Si-структур с помощью обработки в потоке атомарного водорода. Установлено, что обработка образцов в направленном потоке атомарного водорода с плотностью 2·1015 ат. см-2с-1 при температуре 20-100oC приводит к уменьшению концентрации фторуглеродных загрязнений и, в частности, CF на 5порядков величины. Удаление фторуглеродных загрязнений осуществляется как с планарной поверхности Si-структур, так и с боковых стенок и со дна контактных отверстий диаметром от0.3-0.25 мкм и глубиной0.9 мкм, вскрытых с помощью реактивно-ионного травления в слое SiO2. Время обработки 2 мин достаточно для полного удаления фторполимерных загрязнений. Данный процесс \glqq сухой\grqq очистки может быть рекомендован для применения в технологии изготовления микросхем с межслоевым диэлектриком с низкой диэлектрической проницаемостью.
Анищенко Е.В., Кагадей В.А., Нефедцев Е.В., Проскуровский Д.И., Романенко С.В. Удаление фторполимерных загрязнений споверхности кремниевых структур приобработке впотоке атомарного водорода // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1389

Исследована электролюминесценция в светодиодах, деформированных методом четырехточечного изгиба при 700oC, в диапазоне длин волн 1.0-1.65 мкм при токах до 400 мА. Светодиоды изготовлены имплантацией ионов B иP в пластины кремния p-типа проводимости, выращенного методами бестигельной зонной плавки (FZ-Si) и Чохральского (Cz-Si) с последующим отжигом при 700 и 1100oC. Интенсивность дислокационной электролюминесценции выше в светодиодах на основе FZ-Si. Низкотемпературный постимплантационный отжиг способствует увеличению интенсивности дислокационной электролюминесценции по сравнению с высокотемпературным. Трансформация спектров излучения в зависимости от тока в светодиодах на основе FZ-Si хорошо описывается 8гауссовыми линиями. Положения максимумов этих линий не зависят от тока и равны 1.22, 1.244, 1.26, 1.316, 1.38, 1.42, 1.52 и 1.544 мкм. Исследованы зависимости интегральной интенсивности и ширины линий от тока.
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Шек Е.И., Феклисова О.В., Якимов Е.Б. Электролюминесцентные свойства светодиодов наоснове p-Si, подвергнутых деформации // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1271

Проведены сопоставительные исследования влияния \glqq хлоридной\grqq обработки пленочных гетеросистем CdS/CdTe на выходные характеристики солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au и кристаллическую структуру базового слоя CdTe. Были предложены структурные механизмы, определяющие изменение эффективности фотоэлектрических процессов в пленочных солнечных элементах ITO/CdS/CdTe/Cu/Au при изменении толщины слоя CdCl2 в процессе проведения хлоридной обработки. Впервые рентгенодифрактометрическим методом доказано, что в процессе хлоридной обработки происходит трансформация метастабильной гексагональной фазы теллурида кадмия в стабильную кубическую модификацию. Это обеспечивает существенное улучшение фотоэлектрических свойств пленочных гетеросистем CdS/CdTe.
Хрипунов Г.С. Структурные механизмы оптимизации фотоэлектрических свойств пленочных гетеросистем CdS/CdTe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1266

Обзор содержит результаты исследований и разработок в ФГУП << НПО \glqq Орион\grqq>> фотодиодов и матричных фотоприемников на спектральные диапазоны 3-5 и 8-12 мкм на основе твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Представлены структура, топология и параметры разработанных фотодиодов, фотодиодных матриц \glqq смотрящего\grqq и многорядного типов, структура и электрические схемы созданных кремниевых мультиплексоров матричных фотоприемных устройств (МФПУ). Приведены параметры фотодиодных матриц различных форматов и созданного макета тепловизора на основе МФПУ формата 128x128элементов.
Стафеев В.И., Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Акимов В.М., Климанов Е.А., Сагинов Л.Д., Соляков В.Н., Мансветов Н.Г., Пономаренко В.П., Тимофеев А.А., Филачев А.М. Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра наоснове фотодиодов изCdxHg1-xTe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1257

Экспериментально исследована температурная зависимость порогового тока в лазерных структурах на основе GaInAs в широком диапазоне температур, 4.2=<q T=<q290 K. Показано, что во всем рассмотренном температурном интервале эта зависимость является монотонной. Получены теоретические выражения для пороговой концентрации носителей и показано, что она зависит от температуры линейно. Показано, что при низких температурах основной вклад в пороговый ток вносят процессы мономолекулярной рекомбинации (Шокли--Рида); при температурах T>77 K пороговый ток определяется излучательной рекомбинацией; при более высоких температурах, близких к комнатной, вклад в пороговый ток вносят процессы оже-рекомбинации. При излучательной рекомбинации пороговый ток растет с температурой линейно, а при оже-рекомбинации приблизительно какT3.
Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И., Смирнов В.А., Евтихиев В.П., Пихтин Н.А., Растегаева М.Г., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Школьник А.С., Зегря Г.Г. Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1252

Предложена новая модель расчета характеристик глубоко-субмикрометровых полевых транзисторов современной микроэлектроники. Вней сочетаются традиционно упрощенное квазиодномерное представление о характере распределения электрических полей в канале транзистора (приближение плавного канала и заряженных слоев) и продвинутое квазигидродинамическое описание высокополевого электронного дрейфа (уравнение энергетического баланса), адекватное ситуациям с высокими градиентами температуры электронного газа. Представлены развернутая математическая формулировка модели, метод ее численной реализации, расчетные вольт-амперные характеристики тестовых транзисторных структур, физический анализ электрических свойств глубоко-субмикрометровых транзисторов с учетом особенностей распределения концентраций подвижного заряда, электрических полей и температуры в канале транзистора.
Гергель В.А., Якупов М.Н. Квазигидродинамическая модификация приближения плавного канала втеории МОПтранзистора // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1246

Предложена комбинированная модель резонансно-туннельного диода, основанная на полуклассическом и квантово-механическом (формализм волновых функций) подходах. Вней учтены, кроме ряда факторов, важные свойства гетерограниц прибора, в частности форма разрыва зон и поверхностный заряд. Показано, что с помощью модели может быть получено удовлетворительное согласование с экспериментом при расчете вольт-амперных характеристик диода. При этом пиковые напряжения определяются с хорошей точностью только при учете сопротивлений протяженных пассивных областей и поверхностного заряда на гетерограницах.
Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. Комбинированная модель резонансно-туннельного диода // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1138