Предложена гипотеза, позволяющая по-новому объяснить влияние дисклокций на электролюминесценцию кремниевых диодов. Ее сущность заключается в учете пространственной корреляции между инжектированными электронами и дырками, которые рекомбинируют внутри дислокаций. Проанализировано два случая. Впервом случае результирующий ток определяется туннелированием электронов и дырок по дислокациям с последующей рекомбинацией в условиях неполного спрямления барьера. Показано, что в этом случае электролюминесценция имеет некраевой характер, а энергия максимума полосы электролюминесценции смещается в коротковолновую область с понижением температуры и увеличением приложенного напряжения. Вовтором случае в полном токе доминирует диффузионная составляющая, излучательная рекомбинация происходит в квазинейтральных областях, а электролюминесценция имеет краевой характер. Показано, что предлагаемый механизм может привести к увеличению интенсивности электролюминесценции и ее квантовой эффективности в кремниевых диодах с дислокациями, если время жизни Шокли--Рида--Холла не превышает10-3 c.
Саченко А.В., Крюченко Ю.В. Омеханизме электролюминесценции вкремниевых диодах сбольшой концентрацией дислокаций // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1132

Рассмотрена кинетика электронных процессов в фотомишенях видиконов на основе структур полупроводник-диэлектрик из узкозонных полупроводников с учетом стекания заряда в слое диэлектрика и релаксации неравновесной обедненной области в полупроводниковом слое. Приведена оценка времени накопления, пороговой чувствительности, разрешающей способности фотомишеней при различных уровнях входного излучения.
Ковтонюк Н.Ф., Мисник В.П., Соколов А.В. Структуры полупроводник-диэлектрик вфотомишенях видиконов, чувствительных всредней инфракрасной области спектра // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1129

Созданы полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона с дисковым резонатором, работающие на модах шепчущей галереи. Исследованы особенности таких лазеров.
Шерстнев В.В., Монахов А.М., Астахова А.П., Кислякова А.Ю., Яковлев Ю.П., Аверкиев Н.С., Krier A., Hill G. Полупроводниковые WGM-лазеры среднего инфракрасного диапазона // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1122

Представлены экспериментальные результаты исследования основных характеристик смесителя миллиметрового/субмиллиметрового диапазонов на эффекте разогрева двумерного электронного газа гетероструктур AlGaAs/GaAs с фононным каналом охлаждения носителей. Полоса преобразования смесителя составила4 ГГц, внутренние потери преобразования13 дБ, оптимальная мощность гетеродина0.5 мкВт (для смесителя площадью1 мкм2). Показана возможность создания приемника миллиметрового/субмиллиметрового излучения с шумовой температурой1900 K на базе AlGaAs/GaAs-смесителя, а также перспективность его использования в матричных приемных элементах.
Морозов Д.В., Смирнов К.В., Смирнов А.В., Ляхов В.А., Гольцман Г.Н. Миллиметровый/субмиллиметровый смеситель наоснове разогрева двумерного электронного газа вгетероструктуре AlGaAs/GaAs сфононным каналом охлаждения // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1117

Исследована возможность создания сегнетоэлектрического полевого транзистора на основе гетеропары Pb(ZrxTi1-x)O3/SnO2 (PZT / SnO2). Вкачестве канала полевого транзистора использовались легированные сурьмой эпитаксиальные пленки SnO2 / Al2O3, напыленные YAG-лазером из металлической мишени. Наибольшая подвижность электронов в пленках составляла 25 см2/(В·c) при концентрации 8·1019 см-3. Продемонстрирована возможность прямого роста пленок PZT на SnO2 методами магнетронного и лазерного напыления. Оба этих метода были использованы для изготовления конденсаторных структур Au / PZT / SnO2. При размере верхнего электрода 250x250 мкм емкости конденсаторных ячеек составили 1000 пФ при предельном напряжении 10 В, наибольшая остаточная поляризация--- 16 мкКл / см2. Получена транзисторная структура Au / PZT / SnO2 / Al2O3 с модуляцией проводимости94%. Разница токов в канале при отрицательной и положительной остаточных поляризациях подзатворного сегнетоэлектрика составила37%.
Титков И.Е., Пронин И.П., Машовец Д.В., Делимова Л.А., Линийчук И.А., Грехов И.В. Сегнетоэлектрический полевой транзистор наоснове гетероструктуры Pb(ZrxTi1-x)O3 / SnO2 // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 890

Сообщается о разработке конструкции и изготовлении светодиодного кристалла большой мощности с площадью активной области1 мм2, излучающего на длине волны 460 нм. Конструкция кристалла разработана на основе численного моделирования и предназначается для монтажа флип--чип. Применение двухуровневой разводки n-контакта позволило получить рекордно низкое значение последовательного сопротивления (0.65 Ом) и высокую однородность распределения тока накачки. Светодиоды на основе разработанной конструкции работают в непрерывном режиме в диапазоне токов 0--2 А, при этом максимальная выходная оптическая мощность составила 430 мВ.
Закгейм Д.А., Смирнова И.П., Рожанский И.В., Гуревич С.А., Кулагина М.М., Аракчеева Е.М., Онушкин Г.А., Закгейм А.Л., Васильева Е.Д., Иткинсон Г.В. Высокомощные синие флип--чип светодиоды на основе AlGaInN // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 885

Показана возможность получения сублимационной эпитаксией в вакууме сильно легированных (Na-Nd>=q 1· 1019 см-3) слоев p+-4H-SiC на основе выращенных методом CVD слабо легированных слоев n-4H-SiC. Показано, что оптимальным контактом к p-4H-SiC является контакт Au/Pd/Ti/Pd, который совмещает низкое удельное сопротивление (~ 2· 10-5 Ом·см2) с высокой термической стабильностью (до 700oC). На основе полученных p-n-структур были изготовлены корпусированные диоды с напряжением пробоя до1400 В.
Богданова Е.В., Волкова А.А., Черенков А.Е., Лебедев А.А., Каканаков Р.Д., Колаклиева Л.П., Саров Г.А., Чолакова Т.М., Кириллов А.В., Романов Л.П. 4H-SiC p-i-n-диод, полученный совмещением сублимационной игазофазной эпитаксии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 762

Исследованы электрические характеристики детекторов рентгеновского иgamma-излучения на основе CdTe с диодами Шоттки. Экспериментальные данные получены на диодах Al/p-CdTe с удельным сопротивлением подложки в пределах от102 до109 Ом·см (300 K). Полученные результаты интерпретируются в рамках теории генерации--рекомбинации Саа--Нойса--Шокли с учетом особенностей диода Шоттки. Показано, что в случае использования полуизолирующего CdTe наблюдаемые значительные прямые токи обусловлены инжекцией электронов в подложку.
Косяченко Л.А., Маслянчук Е.Л., Склярчук В.М. Особенности переноса заряда вдиодах Шоттки наоснове полуизолирующегоCdTe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 754

Моделировались характеристики записи / стирания и хранения заряда в элементе памяти для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства на основе структуры кремний / оксид / кремниевая-точка / оксид / полупроводник, в котором в качестве блокирующего диэлектрика использовались SiO2 и альтернативный диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2. Установлено, что применение альтернативного диэлектрика приводит к ряду эффектов: уменьшается паразитная инжекция из поли-Si, увеличивается поле в туннельном оксиде, появляется возможность увеличить толщину туннельного диэлектрика и, следовательно, увеличить время хранения информации, появляется возможность использовать более низкие напряжения записи / стирания. Программирование импульсом амплитудой ±11 В и длительностью 10 мс позволяет получить через 10лет окно памяти~3 В.
Гриценко В.А., Насыров К.А., Гриценко Д.В., Новиков Ю.Н., Асеев А.Л., Ли Д.Х., Ли Д.-В., Ким Ч.В. Новый элемент памяти накремниевых нанокластерах вдиэлектрике свысокой диэлектрической проницаемостью ZrO2 дляэлектрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 748

Методом Бриджмена получены монокристаллы теллурида кадмия, легированные ванадием и германием, с концентрацией примесей в расплаве NV=1· 1019 см-3, NGe=5· 1018; 1· 1019 см-3. Исследованы электрические и гальваномагнитные характеристики в интервале температур 300-400 K. Установлено, что равновесные характеристики определяются глубокими уровнями (Delta E=0.75-0.95 эВ), которые находятся почти посредине запрещенной зоны. Низкотемпературные спектры оптического поглощения свидетельствуют о том, что в области малых энергий примесные уровни ионов ванадия и германия находятся в различных зарядовых состояниях. Отжиг образцов в парах кадмия с последующим резким охлаждением приводит к распаду различных комплексов, образованных в процессе роста кристалла, увеличению электропроводности и концентрации носителей заряда.
Паранчич С.Ю., Паранчич Л.Д., Макогоненко В.Н., Танасюк Ю.В., Андрийчук М.Д., Романюк В.Р. Физические свойстваCdTe при совместном легированииV иGe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 744