На эпитаксиальных слоях 4H-SiC толщиной 50 мкм, выращенных методом газотранспортной эпитаксии, термовакуумным напылением Cr были изготовлены барьеры Шоттки площадью 10-2 см2. Концентрация нескомпенсированных доноров в пленках составляла (4-6)· 1014 см-3, что позволяло при обратном смещении 400 В развить рабочую зону детектора до ~ 30 мкм. Спектрометрические характеристики детекторов определялись с использованием alpha-частиц в диапазоне энергий 4.8-7.7 МэВ. Для линий 5.0-5.5 МэВ достигнуто значение разрешения по энергии менее 20 кэВ (0.34%), что лишь в 2раза уступает прецизионным кремниевым детекторам, изготовленным по спецализированной технологии. Величина максимальной амплитуды сигнала соответствует значению средней энергии образования пары электрон--дырка вSiC, равной7.70 эВ.
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Онушкин Г.А., Давыдов Д.В., Виолина Г.Н. Спектрометрия короткопробежных ионов детекторами наоснове CVD-пленок4H-SiC // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 382

Предложен метод измерения времени жизни носителей заряда в базовых областях p+-n-n+-структур, позволяющий производить измерения времен жизни в наносекундном диапазоне. Разработанная методика предусматривает такую же форму измерительного импульса тока, какая используется при стандартных измерениях времен восстановления диодных структур. На основе анализа решения уравнения непрерывности для дырок в области базы дано обоснование метода. Проведено сравнение расчетных данных с данными, полученными экспериментально.
Тогатов В.В., Гнатюк П.А. Метод измерения времени жизни носителей заряда вбазовых областях быстродействующих диодных структур // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 378

Продемонстрировано существование нового механизма формирования критического заряда включенияQcr в тиристорных структурах. Построена новая аналитическая модель, позволившая получить соотношения, определяющие величину критического заряда в современных тиристорных структурах как на основе Si, так и на основе нового материала SiC. Справедливость предложенной аналитической модели критического заряда подтверждена с помощью численного эксперимента.
Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н., Тандоев А.Г. Новый физический механизм формирования критического заряда включения тиристорных структур // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 372

Исследовано влияние аммиака на электрические характеристики диодных структурPd--n-Si. Изучена кинетика изменения характеристик диодов при воздействии аммиака. Показано, что быстродействием сенсоров аммиака на основе диодовPd--n-Si можно управлять, подавая импульсы дополнительного потенциала на барьерный электрод.
Балюба В.И., Грицык В.Ю., Давыдова Т.А., Калыгина В.М., Назаров С.С., Хлудкова Л.С. Сенсоры аммиака наоснове диодовPd--n-Si // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 285

Гетероструктура--- варизонный слой p-AlxGa1-xAs на n-GaAs-подложке--- исследована в качестве детектора рентгеновского излучения и alpha-частиц с фотоэлектрическим откликом. Получено, что ампер-ваттная чувствительность детектора достигает0.13 А/Вт. Вольт-ваттная чувствительность превышает106 В/Вт. Исследовано влияние облучения alpha-частицами с энергией5.48 эВ(241Am) на чувствительность детектора. Установлено, что при дозе облучения до5·109 частиц/см2 чувствительность детектора падает в1.5-2раза. Дальнейшее увеличение дозы облучения до4·1010 частиц/см2 не меняет чувствительности детектора.
Дапкус Л., Пожела К., Пожела Ю., Шиленас А., Юцене В., Ясутис В. Варизонный фотоэлектрический детектор ионизирующих излучений // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 281

Сконструированы гетеролазеры InGaAs/GaAs/InGaP с асимметрично расположенными квантовыми ямами двух типов и экспериментально исследованы их двухчастотная генерация и генерация вторых гармоник, впервые реализованные в широком диапазоне токов от0.2 A при постоянной накачке до более чем 10 A при импульсной 200-наносекундной накачке. Обнаружены неизвестные ранее особенности подобной генерации, и дана их физическая интерпретация, основанная на анализе конкуренции и сосуществования различных коротковолновых и длинноволновых мод лазера включая моды \glqq шепчущей галереи\grqq.
Алешкин В.Я., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Кочаровский Вл.В. Конкуренция мод, неустойчивость и генерация вторых гармоник вдвухчастотных лазерах InGaAs/GaAs/InGaP // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 171

Исследованы возможности создания терагерцового генератора на блоховских колебаниях электронов в полупроводниковых сверхрешетках. Показано, что сверхрешетки с высокодобротными блоховскими колебаниями могут быть использованы для генерации терагерцового излучения в импульсных электрических полях со скважностью, обеспечивающей остывание разогреваемых полем электронов. Терагерцовый генератор с непрерывно перестраиваемой электрическим полем частотой предлагается создавать на ангармонизме блоховских осцилляций электронов в полупроводниковых сверхрешетках со специальным характером минизоны, в значительной части которой эффективная масса электрона положительная и уменьшается с ростом его энергии. Это позволяет исключить развитие нежелательной доменной неустойчивости (эффекта Ганна).
Романов Ю.А., Романова Ю.Ю. Блоховские колебания всверхрешетках. Проблема терагерцового генератора // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 162

Terahertz response of a slot diode with two-dimensional electron channel is calculated on the basis of the first principles of electromagnetism. It is shown that all characteristic electromagnetic lengths (scattering, absorption and extinction lengths) as well as the impedance of the diode exhibit resonances at the frequencies of plasmon excitation in the channel. The fundamental resonance behaves similar to the current resonance in a RLC circuit. Aconclusion is drawn that a slot diode with two-dimensional electron channel provides a resonant circuit at terahertz frequencies that couples effectively to external electromagnetic radiation with loaded Q-factor exceeding unity even at room temperature. The diode resistance may be measured from contactless measurements of the characteristic electromagnetic lengths of the diode.
Popov V.V., Tsymbalov G.M., Shur M.S., Knap W. Resonant terahertz response of aslot diode with atwo-dimensional electron channel // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 157

-1 Проведено экспериментальное исследование одновременной генерации нескольких частотных полос стимулированного излучения в полупроводниковом лазере с тремя квантовыми ямами. Показано, что разные частоты могут генерироваться как в основных, так и в возбужденных поперечных модах волновода. Обнаружено, что возможна одновременная генерация стимулированного излучения в двух и трех частотных полосах. Исследованы зависимости мощности генерации в различных полосах от тока. Вполупроводниковом лазере, генерирующем две полосы излучения с энергетической разностью между пиками50 мэВ (длина волны lambda~ 25 мкм), с помощью широкополосного примесного фотоприемника Si : B зарегистрировано излучение в среднем инфракрасном диапазоне, которое предположительно связано с генерацией разностной гармоники.
Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Морозов С.В., Маремьянин К.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Наблюдение излучения среднего инфракрасного диапазона вполупроводниковых лазерах, генерирующих две частотные полосы вближнем инфракрасном диапазоне // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 153

Теоретически и экспериментально исследованы внутренние оптические потери в лазерных гетероструктурах раздельного ограничения со сверхшироким волноводом (более 1 мкм). Установлено, что асимметричное положение активной области в сверхшироком волноводе снижает величину фактора оптического ограничения для мод высших порядков и увеличивает для них пороговую концентрацию на 10-20%. Показано, что только в асимметричных гетероструктурах раздельного ограничения расширение волновода более 1 мкм ведет к снижению внутренних оптических потерь. Васимметричном волноводе толщиной4 мкм расчетное значение внутренних оптических потерь достигает ~0.2 см-1 (lambda~1.08 мкм). Минимальное значение внутренних оптических потерь ограничено фундаментальным пределом и определяется потерями на рассеяние на свободных носителях заряда при концентрации прозрачности в активной области. Васимметричных лазерных гетероструктурах раздельного ограничения со сверхшироким волноводом (1.7 мкм), изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии, достигнута величина внутренних оптических потерь 0.34 см-1. Получена генерация на основной поперечной моде за счет существенного различия между пороговыми концентрациями фундаментальной моды и мод высших порядков. На основе полученных гетероструктур в лазерах с апертурой 100 мкм и длиной резонатора Фабри-Перо ~3 мм достигнуты рекордная мощность излучения 16 Вт в непрерывном режиме генерации и максимальное значение кпд--- 72%.
Слипченко С.О., Винокуров Д.А., Пихтин Н.А., Соколова З.Н., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Сверхнизкие внутренние оптические потери вквантово-размерных лазерных гетероструктурах раздельного ограничения // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1477