Изучается влияние неоднородности распределения толщины диэлектрика на поведение туннельных МОП структур Al/SiO2/p-Si с толщиной диэлектрика 1--4 нм. Характер и степень этого влияния зависят от прикладываемого напряжения. При любых условиях наличие неоднородности толщины SiO2 увеличивает сквозные токи по сравнению с токами через однородный окисел той же номинальной толщины. Кроме того, в режиме инверсии изменяется потенциал инверсионного слоя. При расчетах учитываются туннельный перенос между зоной проводимости Si и металлом, между валентной зоной Si и металлом (в том числе в режиме инверсии--- резонансный транспорт, из-за неоднородности толщины он проявляется менее отчетливо), а также туннелирование зона--зона в полупроводнике. PACS: 85.30.Mn, 73.40.Qv, 73.40.Gk
Векслер М.И., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф., Грехов И.В. Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si спространственно неоднородной толщиной диэлектрика // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1137

Предложен алгоритм расчета параметров глубоких центров в области пространственного заряда полупроводниковых приборов из анализа кривых термостимулированной емкости при наличии центров рекомбинации, лежащих у середины запрещенной зоны. Выполнена апробация метода на промышленных GaAs-светоизлучающих диодахАЛ-107. Результаты расчета параметров глубоких центров в исследуемых материалах соответствовали результатам других методов анализа. PACS: 85.60.Jb; 72.20.Jv; 78.30.Fi
Булярский С.В., Жуков А.В., Светухина О.С., Трифонов О.А. Влияние стационарных процессов ионизации ловушек вблизи середины запрещенной зоны наспектр термостимулированной емкости полупроводниковых приборов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1133

Исследованы температурные зависимости лазерных характеристик GaAs/(AlGa)xOy-микродиска диаметром6 мкм, изготовленного при помощи оптической литографии, сухого травления пучком ионов Ar+ и селективного окисления Al0.97Ga0.03As-слоя, формирующего основание микродиска. Вкачестве активной области микродиска использовались InAs/InGaAs-квантовые точки. Продемонстрирована лазерная генерация в области1.3 мкм при комнатной температуре с пороговой мощностью оптической накачки 180 мкВт. Добротность мод микродиска составляет около104. PACS: 42.55.Sa, 73.63.Kv, 78.67.Hc
Крыжановская Н.В., Блохин С.А., Гладышев А.Г., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Шток Э., Бимберг Д. Лазерная генерация надлине волны1.3 мкм прикомнатной температуре вмикродиске сквантовыми точками // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1128

Впервые представлены результаты исследований, выполненных в спектрометрическом режиме, детекторов ядерных излучений, изготовленных на основе p+-n-переходов, сформированных в пленках 4H-SiC. Переходы создавались ионным легированием алюминием эпитаксиальных слоев 4H-SiC толщиной 26 мкм, выращенных методом газофазной эпитаксии с концентрацией нескомпенсированных доноров (3-5)·1015 см-3. Характеристики детекторов определялись при тестировании alpha-частицами естественного распада с энергиями3.35 и5.4 МэВ. Эффективность собирания заряда, созданного alpha-частицами с энергией 3.35 МэВ, достигала 100%, при этом разрешение по энергии составляло=<sssim2%. PACS: 85.30.De, 85.30.Kk, 72.70.+m, 29.40.Wk.
Калинина Е.В., Коссов В.Г., Строкан Н.Б., Иванов А.М., Яфаев Р.Р., Холуянов Г.Ф. Спектрометрические свойства SiC-детекторов наоснове ионно-легированных p+-n-переходов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1123

Установлено, что причиной, ограничивающей максимально достижимую мощность оптического излучения в полупроводниковых лазерах, является конечная величина времени рассеяния энергии электронов на неравновесных оптических фононах в квантово-размерной активной области. Экспериментально исследованы мощностные и спектральные характеристики полупроводниковых лазеров при высоких уровнях возбуждения (до100 кА/см2) в импульсном режиме генерации (100 нс, 10 кГц). Получено, что с увеличением тока накачки максимальная интенсивность стимулированного излучения насыщается, а рост излучаемой мощности происходит за счет расширения спектра в коротковолновую область. Насыщение интенсивности излучения обусловлено ограничением скорости стимулированной рекомбинации. Фактором, ограничивающим скорость стимулированной рекомбинации, является конечная величина времени рассеяния энергии электронов на полярных оптических фононах. Обнаружено, что расширение спектра стимулированного излучения связано с ростом концентрации носителей тока в активной области, что приводит к усилению выброса электронов в волноводные слои. С ростом тока накачки концентрация носителей тока в волноводе достигает порогового значения и возникает эффективный канал токовых утечек из активной области. Экспериментально показано, что появление волноводной полосы генерации коррелирует с резким снижением дифференциальной квантовой эффективности полупроводникового лазера. PACS: 42.55.Px, 78.45.th, 63.40.Kr
Слипченко С.О., Соколова З.Н., Пихтин Н.А., Борщев К.С., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности полупроводниковых лазеров // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 1017

Предложен метод на основе сканирующей кельвин-зонд-микроскопии, позволяющий прямое наблюдение и количественную характеризацию утечки носителей тока из активной области работающих полупроводниковых светодиодов и лазеров. Спомощью разработанного метода на поверхности зеркал мощных InGaAs/AlGaAs/GaAs-лазерных диодов выявлены неосновные дырки, появляющиеся из активной области и растекающиеся на участки поверхности над n-эмиттером и n-подложкой. Показано, что перемещение дырок по поверхностным каналам, сформированным областями приповерхностного изгиба зон, может происходить на десятки микрон от места их первоначального появления на поверхности. Показано, что с подъемом тока инжекции величина утечки плавно нарастает, а после достижения лазерной генерации ее рост прекращается. PACS: 07.79.-v, 42.55.Px, 73.40.Kp.
Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Ладутенко К.С., Титков А.Н., Laiho R. Сканирующая кельвин-зонд-микроскопия утечки дырок из активной области работающего инжекционного полупроводникового лазерного диода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 1009

Исследованы электрические и оптические свойства эпитаксиальных слоев InGaAsSb с электронным типом проводимости, близких по составу к арсениду индия и согласованных с ним по периоду решетки, полученных на подложках InAs методом жидкофазной эпитаксии из расплавов, легированных теллуром. Слои прозрачны в области 3 мкм благодаря эффекту Мосса--Бурштейна. Приводятся и обсуждаются ватт-амперные и пространственные характеристики электролюминесценции светодиодов на основе InAs, изготовленных в конструкции типа флип-чип, в которых вывод излучения осуществляется через буферные слои n+-InGaAsSb. PACS:85.60.Jb, 78.40.Fy
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шустов В.В., Тараканова Н.Г. Флип-чип светодиоды на основе InAs сбуферными слоями изInGaAsSb // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 1004

Исследовано влияние различных распределений температуры на основные параметры анизотропных оптикотермоэлементов при режимах оптического пропускания. Показана перспективность таких приборов, реализирующих оригинальный метод \glqq прозрачной стенки\grqq, предназначенный для регистрации лучистых потоков различной плотности в широком спектральном и энергетическом диапазонах. PACS: 72.20.Pa, 85.80.Fi
Ащеулов А.А., Гуцул И.В. Особенности анизотропных оптикотермоэлементов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 995

Рассмотрены процессы осаждения и электронные свойства тонкопленочных полупроводников и диэлектриков на основе кремния для производства электронных приборов на гибких пластиковых пленках. Пленки аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H), нанокристаллического кремния (nc-Si) и аморфного нитрида кремния (a-SiNx), а также тонкопленочные транзисторы (ТПТ) были изготовлены при низких температурах процессов (120oC, 75oC) с использованием существующего промышленного плазмохимического оборудования. Параметры тонкопленочных транзисторов на основе a-Si : H, изготовленных при столь низких температурах, соответствуют своим высокотемпературным аналогам. PACS: 81.15.Gh, 85.30.Tv
Сазонов А., Мейтин М., Стряхилев Д., Nathan A. Низкотемпературные материалы итонкопленочные транзисторы дляэлектроники нагибких подложках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 986

Исследовалась эффективность переноса заряда в SiC-детекторах после облучения протонами с энергией8 МэВ при дозе 1014 см-2. По числу первично созданных дефектов режим облучения эквивалентен ожидаемым нарушениям решетки SiC-детекторов при использовании в экспериментах на модернизированном коллайдере ЦЕРНа (SLHC). Использовалась техника ядерной спектрометрии с тестированием детекторов alpha-частицами с энергией5.4 МэВ. Сучетом произошедшей в ходе облучения глубокой компенсации проводимости SiC предлагается включать структуру в нетрадиционном пропускном направлении. Вэтом режиме ход напряженности электрического поля по координате детектора оказывается более однородным. Для обработки данных эксперимента предложена наглядная модель транспорта носителей. PACS: 07.77.Ka; 87.66.Pm
Иванов А.М., Лебедев А.А., Строкан Н.Б. Перенос носителей заряда вструктуре SiC-детектора после экстремальных доз радиации // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 886