Проанализированы спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики при прямом и обратном смещении, распределение ближнего поля излучения светодиодов флип-чип на основе гетероструктур с активным слоем из InAsSb (длина волны4.2 мкм, 300 K), имеющих глубину мезы 40--50 мкм и диаметр240 мкм. Обсуждаются фактор увеличения выхода излучения, связанный с особенностями геометрии структуры, и выбор оптимального режима работы светодиода в зависимости от рабочей температуры. PACS:85.60.Jb
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 717

Предложена методика анализа частотных зависимостей нормированной проводимости МДП структур с учетом влияния флуктуаций поверхностного потенциала и заглубления электрически активных состояний в диэлектрик. Произведен выбор параметров для оценки уширения зависимостей. Получены аналитические выражения для этих параметров. Предложен метод разделения влияния туннельного и флуктуационного механизмов уширения на форму частотной зависимости проводимости. PACS: 85.30.De, 85.30.Hi, 73.40.Qv, 72.30.+q
Авдеев Н.А., Гуртов В.А., Климов И.В., Яковлев Р.А. Анализ частотных зависимостей проводимости МДП структур сучетом флуктуационной итуннельной теоретических моделей // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 711

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены структуры вертикально-излучающих лазеров с активной областью на основе массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs и легированными распределенными брэгговскими отражателями AlGaAs / GaAs. Показана работа одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 980 нм с диаметром токовой апертуры 3 мкм, пороговым током0.6 мА, максимальной выходной мощностью до4 мВт и внешней дифференциальной эффективностью68%. Многомодовые вертикально-излучающие лазеры с диаметром апертуры 10-12 мкм обладают сверхнизкими внутренними оптическими потерями (0.09% на один проход фотона), что сравнимо с лучшими результатами для лазеров такого типа с нелегированными распределенными брэгговскими отражателями. PACS: 42.55.Px, 78.67.He
Блохин С.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Шерняков Ю.М., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Дюделев В.В., Соколовский Г.С., Кучинский В.И., Кулагина М.М., Максимов М.В., Устинов В.М., Ковш А.Р., Михрин С.С., Леденцов Н.Н. Вертикально-излучающие лазеры наоснове массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 633

Согласно концепции мощных полупроводниковых лазеров, в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии выращены симметричные и асимметричные гетерострутуры раздельного ограничения. На основе лазерных структур изготовлены мощные полупроводниковые лазеры с апертурой излучения100 мкм, излучающие в диапазоне длин волн 808-850 нм. Внутренние оптические потери в асимметричных гетероструктурах раздельного ограничения с расширенным волноводом снижены до0.5 см-1. Влазерах с толщиной волновода1.7 мкм достигнута мощность оптического излучения7.5 Вт в непрерывном режиме генерации благодаря снижению плотности оптического излучения на зеркале резонатора до4 МВт/см2. PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb
Андреев А.Ю., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Налет Т.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Сабитов Д.Р., Симаков В.А., Слипченко С.О., Хомылев М.А., Тарасов И.С. Мощные лазеры (lambda =808-850 нм) наоснове асимметричной гетероструктуры раздельного ограничения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 628

Рассмотрена тепловая модель светодиода с InGaN/GaN-квантовой ямой в активной области. Исследовано влияние температуры и рабочих токов светодиода, а также размера и материала радиатора на выход света и эффективность голубого светодиода. Показано, что при оптимальном теплоотводе уменьшение эффективности светодиода с ростом тока накачки до100 мА связано с влиянием электрического поля на эффективность инжекции носителей заряда в квантовую яму. При дальнейшем росте тока до400 мА причиной снижения эффективности является джоулев нагрев. Показано, что рабочие токи светодиодов можно увеличить в 5--7раз при оптимальном отводе тепла. Даны рекомендации по охлаждению светодиодов в зависимости от их мощности. PACS: 85.60.Jb, 85.35.Be, 78.67.De
Ефремов А.А., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Лавринович Д.А., Ребане Ю.Т., Тархин Д.В., Шретер Ю.Г. Влияние джоулева разогрева наквантовую эффективность ивыбор теплового режима мощных голубых InGaN/GaN светодиодов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 621

Экспериментально определено значение эффективной массы дырки в туннельно-тонком (2-3 нм) слое SiO2: mh=(0.32-0.33)m0. Использование этого значения обеспечивает адекватное моделирование дырочного тока прямого туннелирования в приборах на основе МОП структур. Для нахождения указанного параметра впервые применена математическая обработка характеристик транзисторов с туннельным МОП эмиттером, что дает возможность точно найти эффективную толщину окисла, поскольку эффективная масса электрона в SiO2 известна из литературы. При расчетах использовалась модель, в которой вероятность прохождения через барьер зависит только от компоненты энергии частицы Ez, связанной с движением в направлении туннелирования. PACS: 85.30.De, 73.40.Qv
Векслер М.И., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф. Транзистор стуннельным МОП эмиттером как инструмент дляопределения эффективной массы дырки втонкой пленке диоксида кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 498

Проведена параметрическая оптимизация структуры брэгговских зеркал лазера с вертикальным резонатором, в котором для генерации излучения среднего инфракрасного диапазона используется трехволновое нелинейное смещение. Показано, что полоса отражения брэгговских зеркал может быть существенно увеличена по сравнению с обычными четвертьволновыми отражателями, изготовленными из той же пары материалов. При этом открывается принципиальная возможность создания лазера с нелинейным преобразованием частоты на решеточной нелинейности в системе GaAs/AlGaAs, излучающего в диапазоне
Морозов Ю.А., Нефедов И.С., Алешкин В.Я., Морозов М.Ю. Параметрическая оптимизация брэгговских отражателей лазера свертикальным резонатором инелинейным преобразованием частоты // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 493

Исследовано влияние внутризонной релаксации носителей заряда на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах на основе InGaAsP. Исследована зависимость времени внутризонной дырочно-дырочной релаксакции tauint от температуры и концентрации носителей. Показано, что учет конечного значенияtauint и его зависимости от температуры и концентрации носителей оказывает сильное влияние на величину коэффициента усиления и пороговой плотности тока в лазерах на квантовых ямах. PACS: 42.55.Ah, 42.55.Px, 78.67.De
Костко И.А., Гунько Н.А., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Влияние внутризонной электронной релаксации напороговые характеристики лазеров наквантовых ямах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 488

Получена лазерная генерация в микродисках с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления, при оптической накачке в диапазоне температур 5--180 K. Вкачестве активной области использовались квантовые точки InGaAs, полученные методом субмонослойного осаждения. Экспериментально измеренное значение добротности микродискового резонатора составило не менее 104. Температурный сдвиг длины волны резонансной моды обусловлен дисперсионно-температурной зависимостью эффективного показателя преломления микродиска. Наблюдаемая температурная зависимость порога генерации обусловлена температурным выбросом носителей из квантовых точек вGaAs. PACS: 48.55.Px, 85.60.Jb, 78.45.Lh
Блохин С.А., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Шток Э., Бимберг Д. Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs сасимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 482

Предложена методика определения коэффициента ослабления света в тонком GaN-слое на основе измерений интенсивности электролюминесценции вдоль и поперек слоя. Получена величина коэффициента ослабления света 90±15 см-1 в GaN-слое светодиодной InGaN-структуры. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi, 78.66.Fd
Ефремов А.А., Тархин Д.В., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Ребане Ю.Т., Шретер Ю.Г. Определение коэффициента ослабления света втонких слоях светодиодных структур // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 380