Экспериментально исследовано влияние температуры роста спейсерного слоя AlGaAs на подвижность двумерного электронного газаmue в односторонне delta-легированных псевдоморфных AlGaAs/InGaAs/GaAs транзисторных структурах с высокой подвижностью электронов. Спомощью самосогласованного расчета проанализирована зонная диаграмма. Для исследования электронных транспортных свойств выбрана оптимальная структура, в которой отсутствует параллельная проводимость по легированному слою. Показано, что в оптимизированных структурах с увеличением температуры роста от590 до610oC при неизменности остальных параметров и условий роста подвижностьmue увеличивается на53% при T=300 K и на69% при T=77 K. Предполагается, что это связано с улучшением структурного совершенства спейсерного слоя AlGaAs и гетерограницы AlGaAs/InGaAs/GaAs. PACS: 81.15.Hi, 72.80.Ey, 73.61.Ey
Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Черечукин А.А. Влияние температуры роста спейсерного слоя наподвижность двумерного электронного газа вPHEMT-структурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1479

Методом электрохимического осаждения изготовлены солнечные элементы на основе гетеропереходов SnO2/Cd0.4Zn0.6S/CdTe. Изучены зависимости их электрических и фотоэлектрических свойств от режима термической обработки. Показано, что термическая обработка снижает туннельные токи почти на 2порядка величины. Определен оптимальный режим термической обработки (t=300oC иtau=9 мин), при котором обеспечивается максимальная фоточувствительность исследуемых гетеропереходов (Isc~ 21.2 мА/см2, Uoc~813 мВ, eta=14.7%). PACS: 84.60.Jt; 82.45.Qr
Абдинов А.Ш., Мехтиев Н.М., Мамедов Г.М., Амирова С.И. Электрические и фотоэлектрические свойства солнечных элементов SnO2/Cd0.4Zn0.6S/CdTe, изготовленных электрохимическим методом // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1476

Исследовано влияние термического отжига в интервале 200-610oC на чувствительность и временные зависимости отклика диодов Pd--SiO2--n-Si к водороду и аммиаку. Поверхность Pd-электрода после отжига исследовалась с помощью атомно-силовой микроскопии. Измерены высокочастотные вольт-фарадные характеристики на воздухе и в газовых смесях H2/воздух и NH3/воздух. Показано, что после отжига при 200oC в течение 10 мин отклик емкости диодов на водород выше отклика на аммиак. После отжига при 300oC и более высоких температурах чувствительность МОП диодов к водороду практически исчезает, в то время как отклик на аммиак все еще остается высоким, хотя постепенно уменьшается с повышением температуры отжига. Снижение чувствительности диодов Pd--SiO2--n-Si к аммиаку с повышением температуры отжига объясняется ухудшением электрических характеристик Pd-электрода. PACS: 73.40.Qv, 81.40.Ef, 85.30.Kk
Балюба В.И., Грицык В.Ю., Давыдова Т.А., Калыгина В.М., Назаров С.С., Панин А.В., Хлудкова Л.С. Влияние термического отжига начувствительность кремниевых МОПдиодов квосстановительным газам // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1470

Исследованы люминесцентные свойства пар двух близко расположенных трехмерных ZnO-микрорезонаторов цилиндрической формы диаметром1.8 мкм с разными расстояниями между ними, полученных методом электронно-лучевой литографии и реактивного ионного травления. Обнаружены узкие пики свечения в экситонной области спектра оксида цинка, обусловленные одномодовой лазерной генерацией. Проведен теоретический расчет энергии обменного взаимодействия связанных мод двух микрорезонанторов в зависимости от расстояния между ними. Обнаружено уширение линии стимулированной ультрафиолетовой люминесценции на связанных фотонных модах двух микрорезонаторов при их сближении. PACS: 78.45.+h, 78.66.Hf, 42.60.Da
Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Князев М.А., Якимов Е.Е. Взаимодействие когерентных оптических связанных мод вблизко расположенных трехмерных ZnO-микрорезонаторах цилиндрической формы // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1402

Рассматриваются характеристики светодиодов на основе AlGaInN c удаленной сапфировой подложкой. Для удаления подложки применялся метод лазерного отделения (lift-off). Подложка удалялась с готового светодиодного кристалла, смонтированного методом флип-чип на кремниевой плате. Сцелью увеличения эффективности вывода света на поверхности n-GaN был создан рассеивающий рельеф методом реактивного ионного травления в газовой смеси Cl2:Ar. Врезультате этой операции было достигнуто увеличение внешней квантовой эффективности светодиодного кристалла на 25--30%. Светодиоды, изготовленные из кристаллов, полученных описанным способом, устойчиво работают в диапазоне токов накачки до 300 мА, достигая оптической мощности 110 мВт. PACS: 85.60.Jb, 85.40.Ls
Смирнова И.П., Марков Л.К., Закгейм Д.А., Аракчеева Е.М., Рымалис М.Р. Синие флип-чип светодиоды наоснове AlGaInN с удаленной сапфировой подложкой // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1397

Получены и исследованы высокоэффективные GaSb-фотоэлементы, предназначенные для преобразования мощного лазерного излучения и инфракрасного излучения эмиттеров, нагреваемых концентрированным солнечным излучением. Максимальный кпд преобразования излучения (lambda=1680 нм) полученных фотоэлементов составил49% при плотности фототока 50-100 А/см2. Исследованы пути снижения потерь на омических контактах к антимониду галлия p- и n-типа проводимости. Минимальные значения удельного сопротивления контактов (1-3)·10-6 Ом·см2 к p-GaSb с уровнем легирования 1020 см-3 были получены при использовании контактной системы Ti/Pt/Au. Для GaSb n-типа проводимости (2·1018 см-3) минимальные значения удельного контактного сопротивления составили 3·10-6 Ом·см2 при использовании контактных систем Au(Ge)/Ni/Au иAu/Ni/Au. PACS: 84.60.Jt, 78.55.Cr, 42.79.Fk, 73.50.Pz, 72.80.Ey
Хвостиков В.П., Растегаева М.Г., Хвостикова О.А., Сорокина С.В., Малевская А.В., Шварц М.З., Андреев А.Н., Давыдов Д.В., Андреев В.М. Высокоэффективные (49%) мощные фотоэлементы наоснове антимонида галлия // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1275

Исследовалась зависимость фототока короткого замыкания от напряженияVg на затворе 6H-SiC полевого планарного транзистора. При определенном значенииVg возникала отрицательная дифференциальная фотопроводимость, которая по своим параметрам соответствовала режиму ванье-штарковских лестниц в естественной сверхрешетке 6H-SiC. При этом же значенииVg происходило достаточно резкое падение к нулю тока сток--истокIsd, что означало отсечку при напряжении, существенно меньшем ожидаемого напряжения отсечки для этой структуры. Эффект объясняется падением подвижности в режиме ванье-штарковских лестниц, уменьшением скорости ионизации донорных атомов и ослаблением экранирования поля. PACS: 85.30.Tv, 71.70.Ej, 73.40.Lq
Санкин В.И., Шкребий П.П., Лебедев А.А. Эффекты ванье-штарковской локализации в 6H-SiC планарном полевом транзисторе с p-n-переходом в качестве затвора // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1270

Экспериментально исследована температурная зависимость величины порогового тока для полупроводникового вертикально излучающего лазера на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек. Продемонстрировано, что для корректного описания температурных характеристик приборов следует использовать величину рассогласования между длиной волны генерации и максимумом спектра усиления (расстройку). Предложена форма описания температурной зависимости порогового тока вертикально излучающего лазера, учитывающая не только падение максимального усиления активной области с температурой, но и влияние температурной зависимости величины расстройки. PACS:42.55.Px, 85.60.Jb, 73.21.La
Блохин С.А., Сахаров А.В., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Ковш А.Р., Михрин С.С., Lee G., Chi J.Y. Экспериментальное исследование температурной зависимости пороговых характеристик вполупроводниковых вертикально излучающих лазерах на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1264

Выполненные на основе современных CVD-пленок SiC детекторы облучались протонами с энергией8 МэВ при дозе 3· 1014 см-2. Концентрация первично введенных дефектов составила ~ 1017 см-3, что на 3порядка величины превысило содержание исходных нескомпенсированных доноров. Наступившая глубокая компенсация проводимости позволила проводить измерения характеристик детекторов в двух режимах включения--- обратном и прямом направлении. Основные характеристики сравнительно с дозой 1· 1014 см-2 ухудшались не более чем в1.7 раза. Однако наблюдалось возникновение эдс поляризации, что указывает на накопление радиационными дефектами объемного заряда. PACS: 85.60.Gz
Иванов А.М., Лебедев А.А., Строкан Н.Б. Влияние экстремальных доз радиации на характеристики SiC-детекторов ядерных частиц // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1259

Разработана стационарная физико-топологическая модель p-i-n-фотодиода на основе двумерного дрейфово-диффузионного описания процессов переноса носителей заряда в многослойных гетероструктурах InxGa1-xAsyP1-y/InP с учетом функции распределения Ферми--Дирака для электронов и дырок, зависимости подвижности от концентрации легирующей примеси и напряженности электрического поля, а также термоэлектронной эмиссии и туннелирования носителей заряда на гетерограницах. Проведен анализ влияния конструктивных параметров на характеристики p-i-n-фотодиода большой площади и предложены пути расширения его динамического диапазона. PACS: 73.40.Kp, 78.66.Fd, 85.30.De, 85.60.Dw
Малышев С.А., Чиж А.Л., Василевский Ю.Г. Двумерное моделирование p-i-n-фотодиодов большой площади наоснове InGaAs/InP // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1144