Теоретически исследована ватт-амперная характеристика полупроводникового лазера на квантовых ямах с учетом эффекта насыщения коэффициента усиления. Показано, что при больших значениях плотности тока ватт-амперная характеристика становится нелинейной. Полученные результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными.
Зегря Г.Г., Соловьев И.Ю. Влияние эффекта насыщения усиления на мощность излучения полупроводниковых лазеров на квантовых ямах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 636

Исследовано влияние механического давления в направлении, перпендикулярном плоскости локализации границы раздела гетеропереходов n-InSe--p-GaSe, на изменение фотоэдс насыщения и тока короткого замыкания. Показано, что в оптических контактах InSe/GaSe, находящихся под воздействием давления P=35-40 кПа, наблюдается увеличение напряжения холостого хода почти в2раза и тока короткого замыкания более чем в5раз по сравнению с исходными образцами, что позволяет прогнозировать возможность увеличения кпд фотопреобразования таких структур до15-16%.
Драпак С.И., Воробец М.О., Ковалюк З.Д. Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта p-GaSe--n-InSe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 633

Механизм инжекционных потерь в светодиодах p-GaN/InGaN/n-GaN с квантовой ямой анализируется с помощью измерений температурных и токовых зависимостей внешней квантовой эффективности в области температур 77--300 K, а также измерений переходных токов. Результаты интерпретируются на основе туннельно-рекомбинационной модели избыточного тока, включающей туннелирование электронов сквозь потенциальный барьер в n-GaN и термическую активацию дырок над барьером в p-GaN. При малых прямых напряжениях доминирует захват электронов на состояния гетерограницы InGaN/p-GaN. Избыточный ток резко увеличивается с напряжением при росте плотности дырок на границе InGaN/p-GaN и рекомбинации их с захваченными электронами. Туннельно-рекомбинационный ток ограничивает инжекцию носителей заряда в квантовую яму и является причиной снижения эффективности при высоких плотностях тока и низких температурах. Пиннинг уровня Ферми связывается с декорированием гетерограниц, границ зерен и дислокаций примесными комплексами.
Бочкарева Н.И., Zhirnov E.A., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Шретер Ю.Г. Туннельно-рекомбинационные токи иэффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 627

Выполнен расчет влияния ионизованного заряда в диэлектрике на величину избыточного тока в МОП структуре. Сравнение результатов численного расчета с экспериментальными данными показывает, что этот эффект может быть ответственным за зависящий от времени пробой сверхтонкого подзатворного диэлектрика в МОП транзисторах.
Савинов И.С. Возникновение электроусталости в МОП структурах врезультате снижения высоты потенциального барьера приполевой ионизации атомов диэлектрика // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 623

Проведено исследование полупроводниковых лазерных гетероструктур с5 и10слоями квантовых точек InAs/GaAs, выращенных на подложках GaAs, с длиной волны излучения ~1.3 мкм. Из анализа эффективности спонтанной излучательной рекомбинации от тока и температуры получены зависимости безызлучательного времени жизни и эффективного оже-коэффициента в квантовых точках. Показано, что при низких температурах (ниже 200 K) в квантовых точках преобладает беспороговый канал оже-рекомбинации, в то время как при более высоких температурах доминирует квазипороговый канал. Оценки эффективного трехмерного оже-коэффициента, выполненные в приближении сферической квантовой точки, дают хорошее согласие с полученными экспериментальными результатами.
Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Семенова Е.С., Васильев А.П., Жуков А.Е., Устинов В.М., Зегря Г.Г. Температурная зависимость эффективного коэффициента оже-рекомбинации влазерахInAs/GaAs на квантовых точках сдлиной волны излучения1.3 мкм // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 507

Проведено детальное исследование влияния легирования активной области длинноволновых лазеров на InAs--GaAs-квантовых точках акцепторной примесью на их характеристики. Показано, что увеличение степени легирования приводит к росту характеристической температуры и увеличению диапазона температурной стабильности пороговой плотности тока. Влазере со степенью легирования порядка 2·1012 см-2 акцепторов на одну плоскость квантовых точек продемонстрирована характеристическая температура 1200 K в диапазоне температур 15-75oC, а также постоянное значение дифференциальной квантовой эффективности в диапазоне температур 15-65oC. Для оптимизированной структуры максимальная достигнутая выходная мощность в непрерывном режиме составила4.4 Вт.
Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Карачинский Л.Я., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Ковш А.Р., Крестников И.Л., Кожухов А.В., Михрин С.С., Леден -цов Н.Н. Влияние p-легирования активной области на температурную стабильность характеристик лазеров наInAs/GaAs-квантовых точках // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 502

Источники когерентного излучения изготовлены на основе двойной гетероструктуры InAs/InAsSbP с толстой активной областью (3.3 мкм), выращенной методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследованы спектральные характеристики диодов при различных длинах резонатора и измерена поляризация излучения. Установлено, что модовый состав спектра определяется излучательной рекомбинацией на гетерогранице и в объеме активной области. При величине тока на 30% выше порогового значения проявляется новая мода с промежуточной длиной волны между длинами волн упомянутых излучений. Промежуточная мода, предположительно, обусловлена взаимодействием между модами интерфейсной и межзонной излучательной рекомбинации, одновременно присутствующими в резонаторе.
Астахова А.П., Ильинская Н.Д., Именков А.Н., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Яковлев Ю.П. Интерфейсная имежзонная лазерная генерация вгетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 497

Исследована статистика носителей в светодиодных структурах с многослойными сверхтонкими внедрениями InGaN в матрице GaN. Оптические данные свидетельствуют о формировании в исследованных структурах массива квантовых точек, имеющих разброс по размерам, что приводит к неоднородному уширению энергетического спектра носителей, локализованных в квантовых точках. Показано, что, несмотря на слабый транспорт носителей между квантовыми точками, при температурах порядка комнатной и выше носители распределяются на уровнях массива квантовых точек квазистатистически. Это позволяет описывать процессы инжекции и рекомбинации носителей в исследованных приборных структурах с позиции квазиуровней Ферми для электронов и дырок.
Сизов Д.С., Сизов В.С., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Фомин А.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н. Исследование статистики носителей в светодиодных структурах InGaN / GaN // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 492

Предложена конструкция и технология изготовления матриц вертикально-излучающих лазеров с нижним полупроводниковым AlGaAs/GaAs и верхним AlGaO/GaAs распределенными брэгговскими отражателями. Реализованы матрицы, содержащие 8x 8 лазеров с активной областью на основе двух квантовых ям InGaAs. На индивидуальных излучающих элементах при диаметре окисленной апертуры 8--10 мкм получена лазерная генерация на длинах волн 960--965 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре с пороговыми токами 1.0--2.5 мА, дифференциальной эффективностью до 0.4 мВт/мА и максимальной выходной мощностью более2 мВт.
Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Жуков А.Е., Васильев А.П., Шуленков А.С., Чумак С.В., Никитина Е.В., Блохин С.А., Кулагина М.М., Семенова Е.С., Лившиц Д.А., Максимов М.В., Устинов В.М. Конструкция и технология изготовления матриц вертикально-излучающих лазеров // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 487

Методом МОС-гидридной эпитаксии получены асимметричные лазерные гетероструктуры раздельного ограничения со сверхшироким волноводом в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs/InGaAs (длина волны излучения ~1080 нм). Исследованы оптические и электрические свойства лазеров с полосковым контактом шириной ~100 мкм. Показано, что в лазерах на основе асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом (более 1 мкм) удается достичь генерации на основной поперечной моде и снизить внутренние оптические потери до0.34 см-1. Влазерных диодах с длиной резонатора более3 мм достигнуто снижение теплового сопротивления до2oC/Вт и получена характеристическая температура T0=110oC в диапазоне от0 до100oC. Визготовленных лазерах достигнуты рекордные значения коэффициента полезного действия 74% и мощности оптического излучения16 Вт в непрерывном режиме генерации. Наработка лазеров на отказ при 65oC, рабочей мощности 3--4 Вт в течение 1000 ч привела к падению мощности на3--7%.
Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Николаев Д.Н., Станкевич А.Л., Хомылев М.А., Шамахов В.В., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Налет Т.А., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Тарасов И.С. Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 388