Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 315, для научной тематики: Физика полупроводниковых приборов

101.

Люминесцентные свойства ZnO-микрорезонаторов цилиндрической формы     

Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Дубонос С.В., Князев М.А., Якимов Е.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Исследованы люминесцентные свойства тонкопленочных ZnO-микрорезонаторов цилиндрической формы диаметром1.8 мкм, полученных методом электронно-лучевой литографии и реактивного ионного травления. Обнаружены узкие пики свечения в экситонной и зеленой областях спектра оксида цинка, обусловленные разме...
102.

Инфракрасные светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов--расплавов     

Астахова А.П., Гребенщикова Е.А., Иванов Э.В., Именков А.Н., Куницына Е.В., Пархоменко Я.А., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Сообщается о создании светодиодов на основе твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов--расплавов. Приведены результаты исследования электролюминесцентных характеристик и их зависимости от тока и температуры. Внешний квантовый выход фотонов составил при комнатной темпер...
103.

Свойства светодиодов наоснове GaSb ссетчатыми омическими контактами     

Именков А.Н., Гребенщикова Е.А., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Сиповская М.А., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Сообщается об исследовании светодиодов на основе гетероструктур GaSb-GaInAsSb-GaAlAsSb, излучающих за счет электронных переходов из зоны проводимости на уровни собственных двухзарядных акцепторов. Экспериментально и теоретически исследованы светодиоды в виде параллелепипеда как с круглым контакто...
104.

Нелинейное преобразование частоты влазере сдвойным вертикальным резонатором     

Морозов Ю.А., Нефедов И.С., Алешкин В.Я. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Проведен подробный анализ оптических характеристик лазера с двойным вертикальным резонатором, использующим решеточную нелинейность структуры GaAs/AlGaAs для генерации излучения в средней части инфракрасного диапазона. Определены условия, позволяющие в непрерывном режиме реализовать мощность излуч...
105.

Сверхвысокочастотные полевые транзисторы наоснове нитридов iiiгруппы     

Александров С.Б., Баранов Д.А., Кайдаш А.П., Красовицкий Д.М., Павленко М.В., Петров С.И., Погорельский Ю.В., Соколов И.А., Степанов М.В., Чалый В.П., Гладышева Н.Б., Дорофеев А.А., Матвеев Ю.А., Чернявский А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Обсуждаются концепция конструирования и основные свойства экспериментальных двойных гетероструктур AlGaN / GaN / AlGaN с двумерным электронным каналом, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира. Разработаны основы постростовой технологии полевых сверхвысокоча...
106.

Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом играницей раздела полупроводник/воздух     

Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шустов В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Приведены спектральные характеристики светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs с активным слоем из InAs и резонатором, образованным широким анодным контактом и поверхностью структуры, излучающих вблизи 3.3 мкм при комнатной температуре. Приведены данные о диаграмме направленности...
107.

Волноводные Ge / Si-фотодиоды совстроенными слоями квантовых точекGe дляволоконно-оптических линий связи     

Якимов А.И., Двуреченский А.В., Кириенко В.В., Степина Н.П., Никифоров А.И., Ульянов В.В., Чайковский С.В., Володин В.А., Ефремов М.Д., Сексенбаев М.С., Шамирзаев Т.С., Журавлев К.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Сообщаются результаты исследований, направленных на создание высокоэффективных фотоприемников на основе гетероструктур Ge / Si для применения в волоконно-оптических линиях связи. Фотоприемники выполнены в виде вертикальных p-i-n-диодов на подложках кремний-на-изоляторе в сочетании с волноводной л...
108.

Поведение варизонных детекторов ионизирующих излучений приоблучении alpha -частицами     

Дапкус Л., Пожела К., Пожела Ю., Шиленас А., Юцене В., Ясутис В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Исследовано влияние облучения alpha-частицами на величину токового и оптического отклика варизонных детекторов alpha-частиц и рентгеновского излучения в системе AlxGa1-xAs/GaAs. Установлено, что снижение величины как токового, так и оптического отклика обусловлено ростом скорости безызлучательной...
109.

Характеристики планарных диодов терагерцового диапазона частот наоснове сильно легированных GaAs/AlAs-сверхрешеток     

Павельев Д.Г., Демарина Н.В., Кошуринов Ю.И., Васильев А.П., Семенова Е.С., Жуков А.Е., Устинов В.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Исследованы характеристики омических контактов на основе InGaAs в планарных диодах на полупроводниковых сверхрешетках с малой площадью активной области (1-10 мкм2). Диоды изготавливались на основе коротких (18или30периодов) высоколегированных (1018 см-3) GaAs/AlAs-сверхрешеток с шириной минизоны2...
110.

Лазерная генерация вгетероструктурах Cd(Zn)Se/ZnMgSSe принакачке излучением азотного иInGaN/GaNлазеров     

Седова И.В., Сорокин С.В., Торопов А.А., Кайгородов В.А., Иванов С.В., Копьев П.С., Луценко Е.В., Павловский В.Н., Зубелевич В.З., Гурский А.Л., Яблонский Г.П., Dikme Y., Kalisch H., Szymakowski A., Jansen R.H., Schineller B., Heuken M. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Исследована фотолюминесценция и генерация Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазеров с различным дизайном активной области, излучающих в зеленом спектральном диапазоне (длины волн lambda=510-530 нм) в широком интервале температур и интенсивностей накачки азотным лазером. Минимальный порог генерации10 кВт/см2, макс...