Исследованы люминесцентные свойства тонкопленочных ZnO-микрорезонаторов цилиндрической формы диаметром1.8 мкм, полученных методом электронно-лучевой литографии и реактивного ионного травления. Обнаружены узкие пики свечения в экситонной и зеленой областях спектра оксида цинка, обусловленные размерным квантованием фотонных волновых функций. Установлено возникновение стимулированной ультрафиолетовой люминесценции на связанных фотонных модах микрорезонаторов при увеличении мощности оптической накачки.
Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Дубонос С.В., Князев М.А., Якимов Е.Е. Люминесцентные свойства ZnO-микрорезонаторов цилиндрической формы // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1473

Сообщается о создании светодиодов на основе твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов--расплавов. Приведены результаты исследования электролюминесцентных характеристик и их зависимости от тока и температуры. Внешний квантовый выход фотонов составил при комнатной температуре1.6 и0.11% для светодиодов с длиной волны излучения lambda=2.3 и 2.44 мкм соответственно. Для светодиодов с длиной волны излучения lambda=2.3 мкм при комнатной температуре в квазинепрерывном режиме достигнута средняя мощность излучения P=0.94 мВт, а в импульсном режиме пиковая мощность излучения составляла P=126 мВт (при токе3 А, длительности импульса0.125 мкс и частоте512 Гц).
Астахова А.П., Гребенщикова Е.А., Иванов Э.В., Именков А.Н., Куницына Е.В., Пархоменко Я.А., Яковлев Ю.П. Инфракрасные светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов--расплавов // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1466

Сообщается об исследовании светодиодов на основе гетероструктур GaSb-GaInAsSb-GaAlAsSb, излучающих за счет электронных переходов из зоны проводимости на уровни собственных двухзарядных акцепторов. Экспериментально и теоретически исследованы светодиоды в виде параллелепипеда как с круглым контактом, так и с сетчатым контактом на поверхности эптиксиального слоя. Приводятся математические соотношения, описывающие растекание тока из круглых и сетчатых контактов. Показано, что сетчатые контакты обеспечивают равномерное распределение тока по площади излучающего слоя в отличие от круглых контактов. Плотность тока под сетчатым контактом реально в 20раз меньше, чем под круглым, что особенно актуально для длинноволновых светодиодов (lambda>~=2 мкм), в которых велик вклад безызлучательной оже-рекомбинации. Ссетчатыми контактами получена мощность излучения3.5 мВт при токе300 мА.
Именков А.Н., Гребенщикова Е.А., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Сиповская М.А., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П. Свойства светодиодов наоснове GaSb ссетчатыми омическими контактами // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1399

Проведен подробный анализ оптических характеристик лазера с двойным вертикальным резонатором, использующим решеточную нелинейность структуры GaAs/AlGaAs для генерации излучения в средней части инфракрасного диапазона. Определены условия, позволяющие в непрерывном режиме реализовать мощность излучения~0.1 мВт на длине волны13 мкм при плотности тока накачки5 кА/см2.
Морозов Ю.А., Нефедов И.С., Алешкин В.Я. Нелинейное преобразование частоты влазере сдвойным вертикальным резонатором // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1392

Обсуждаются концепция конструирования и основные свойства экспериментальных двойных гетероструктур AlGaN / GaN / AlGaN с двумерным электронным каналом, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира. Разработаны основы постростовой технологии полевых сверхвысокочастотных транзисторов на основе нитридов IIIгруппы, включающие в себя формирование меза-изоляции и цикл изготовления омических контактов и барьера Шоттки. Первые полевые транзисторы, изготовленные из указанных гетероструктур, имеют полный набор статических характеристик и демонстрируют работоспособность в режиме малых сверхвысокочастотных сигналов на частоте 8.15 ГГц.
Александров С.Б., Баранов Д.А., Кайдаш А.П., Красовицкий Д.М., Павленко М.В., Петров С.И., Погорельский Ю.В., Соколов И.А., Степанов М.В., Чалый В.П., Гладышева Н.Б., Дорофеев А.А., Матвеев Ю.А., Чернявский А.А. Сверхвысокочастотные полевые транзисторы наоснове нитридов IIIгруппы // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1275

Приведены спектральные характеристики светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs с активным слоем из InAs и резонатором, образованным широким анодным контактом и поверхностью структуры, излучающих вблизи 3.3 мкм при комнатной температуре. Приведены данные о диаграмме направленности и модовой структуре светодиодов с толщинами 7.5-45 мкм и зависимости положения мод от тока накачки.
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шустов В.В. Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом играницей раздела полупроводник/воздух // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1270

Сообщаются результаты исследований, направленных на создание высокоэффективных фотоприемников на основе гетероструктур Ge / Si для применения в волоконно-оптических линиях связи. Фотоприемники выполнены в виде вертикальных p-i-n-диодов на подложках кремний-на-изоляторе в сочетании с волноводной латеральной геометрией и содержат слои квантовых точекGe. Слоевая плотность квантовых точек составляет 1·1012 см-2, размеры точек в плоскости роста~8 нм. Достигнута наибольшая из известных в литературе для Ge / Si-фотодиодов с квантовыми точками величина квантовой эффективности в диапазоне телекоммуникационных длин волн, которая при засветке со стороны торца волноводов составила21% на длине волны1.3 мкм и16% на длине волны1.55 мкм.
Якимов А.И., Двуреченский А.В., Кириенко В.В., Степина Н.П., Никифоров А.И., Ульянов В.В., Чайковский С.В., Володин В.А., Ефремов М.Д., Сексенбаев М.С., Шамирзаев Т.С., Журавлев К.С. Волноводные Ge / Si-фотодиоды совстроенными слоями квантовых точекGe дляволоконно-оптических линий связи // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1265

Исследовано влияние облучения alpha-частицами на величину токового и оптического отклика варизонных детекторов alpha-частиц и рентгеновского излучения в системе AlxGa1-xAs/GaAs. Установлено, что снижение величины как токового, так и оптического отклика обусловлено ростом скорости безызлучательной рекомбинации при увеличении дозы облучения alpha-частицами.
Дапкус Л., Пожела К., Пожела Ю., Шиленас А., Юцене В., Ясутис В. Поведение варизонных детекторов ионизирующих излучений приоблучении alpha -частицами // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1147

Исследованы характеристики омических контактов на основе InGaAs в планарных диодах на полупроводниковых сверхрешетках с малой площадью активной области (1-10 мкм2). Диоды изготавливались на основе коротких (18или30периодов) высоколегированных (1018 см-3) GaAs/AlAs-сверхрешеток с шириной минизоны24.4 мэВ. Величина приведенного сопротивления омического контакта при комнатной температуре составила 2·10-7 Ом·см2. Показано, что свойства созданных планарных диодов позволят в дальнейшем использовать их в полупроводниковых приборах, функционирующих в терагерцовой области частот в широком диапазоне температур (4-300 K).
Павельев Д.Г., Демарина Н.В., Кошуринов Ю.И., Васильев А.П., Семенова Е.С., Жуков А.Е., Устинов В.М. Характеристики планарных диодов терагерцового диапазона частот наоснове сильно легированных GaAs/AlAs-сверхрешеток // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1141

Исследована фотолюминесценция и генерация Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазеров с различным дизайном активной области, излучающих в зеленом спектральном диапазоне (длины волн lambda=510-530 нм) в широком интервале температур и интенсивностей накачки азотным лазером. Минимальный порог генерации10 кВт/см2, максимальная внешняя квантовая эффективность12% и максимальная выходная мощность 20 Вт были получены для структуры, активная область которой состояла из трех изолированных квантовых ям ZnSe с дробно-монослойными вставками CdSe. Лазеры имели высокую температурную стабильность порога генерации (характеристическая температура T0=330 K до100oC). Впервые предложен и исследован интегральный конвертер, состоящий из зеленого Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазера, оптически накачиваемого синим InGaN/GaN-лазером с множественными квантовыми ямами, выращенным на подложкеSi(111).
Седова И.В., Сорокин С.В., Торопов А.А., Кайгородов В.А., Иванов С.В., Копьев П.С., Луценко Е.В., Павловский В.Н., Зубелевич В.З., Гурский А.Л., Яблонский Г.П., Dikme Y., Kalisch H., Szymakowski A., Jansen R.H., Schineller B., Heuken M. Лазерная генерация вгетероструктурах Cd(Zn)Se/ZnMgSSe принакачке излучением азотного иInGaN/GaNлазеров // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1135