Изучен кинетический механизм образования дефектов на вицинальной поверхности, разориентированной в двух направлениях, при молекулярно-пучковой эпитаксии. Эти дефекты представляют собой два адатома--- \glqq двойку\grqq, слипшихся в потенциальной канаве у края ступени. Изучено влияние параметров поверхности и скорости роста на вероятность образования таких дефектов. Показано, что увеличение угла разориентации поверхности способствует резкому уменьшению количества дефектов в процессе роста. PACS: 81.15.Aa
Бойко А.М., Сурис Р.А. Роль одномерной диффузии вмодели роста поверхности кристалла Косселя // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 372

Изготовлен униполярный гетеротранзистор AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs нового типа со слоем квантовых точек InAs непосредственно в канале GaAs. Экспериментально получены высокие значения максимального тока насыщения транзистора до35 А/см и крутизны до 1300 мСм/мм. Представлена модель, объясняющая особенности вольт-амперной характеристики нового прибора ионизацией квантовых точек сильным полем и десятикратным повышением дрейфовой скорости электронов в структуре со слоем квантовых точек InAs вблизи гетероперехода AlGaAs/GaAs. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be
Мокеров В., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В. Гетероструктурный транзистор наквантовых точках сповышенной максимальной дрейфовой скоростью электронов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 367

Показано, что квантование моментов оптических фононов в квантовой яме GaAs путем формирования барьерного слоя InAs с квантовыми точками позволяет исключить неупругое рассеяние электронов на оптических фононах и повысить дрейфовую скорость электронов выше дрейфовой скорости насыщения. Экспериментально установлено десятикратное увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в гетероструктуре AlGaAs/GaAs с введенными барьерами в виде квантовых точек InAs в квантовой яме GaAs в сравнении с дрейфовой скоростью насыщения в объемном GaAs. Увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов позволяет повысить максимальную плотность тока, крутизну и частоту отсечки гетероструктурного полевого транзистора с квантовыми точками. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be
Пожела Ю.К., Мокеров В.Г. Большое повышение максимальной дрейфовой скорости электронов вканале полевого гетеротранзистора // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 362

Представлены спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики светодиодов с активным слоем из InGaAsSb (длина волны излучения1.94 мкм при 300 K) втемпературном диапазоне77-543 K, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии на подложке GaSb и имеющих конструкцию типа флип-чип. Спектральные и мощностные характеристики обсуждаются в связи с особенностями конструкции, поглощением излучения в подложке и джоулевым разогревом. PACS: 85.60.Jb
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шленский А.А. Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие надлине волны1.94 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 356

Исследовано отражение инфракрасного излучения в диапазоне длин волн 1000--2200 нм подложками n-InP с \glqq тыльным\grqq зеркалом MgF2/Au. Установлено, что величина коэффициента отражения слабо зависит от толщины подложек и концентрации свободных носителей в диапазоне (0.1-6)· 1018 см-3. Методами жидкофазной эпитаксии и диффузии цинка и фосфора из газовой фазы получены термофотоэлектрические преобразователи на основе изопериодической гетероструктуры InP--In0.53Ga0.47As p-n- и n-p-полярности. Показано, что p-n- и n-p-термофотоэлементы с одинаковой конфигурацией контактов площадью1 см2 имели следующие характеристики: напряжение холостого хода Uoc=0.465 B и фактор заполнения FF=64% при плотности тока 1 A/см2, коэффициент отражения R=76-80% для длин волн >1.86 мкм. PACS: 85.80.Fi, 85.60.Bt
Карлина Л.Б., Власов А.С., Кулагина М.М., Тимошина Н.Х. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 351

Изучены распределение интенсивности электролюминесценции по площади и во времени до и после оптической деградации голубых InGaN/GaN-светодиодов. Проведены измерения I-V-характеристик. Обнаружено, что первоначально наиболее яркое свечение вблизи области металлизации p-контакта сменилось на слабое свечение после деградации светодиода. Обнаружена временная задержка (~ 20-40 нс) в распределении интенсивности электролюминесценции по площади светодиодов после их деградации. Предполагается, что рост избыточного тока после деградации обусловлен увеличением плотности состояний на гетерогранице InGaN/GaN и формированием электрического диполя, снижающего потенциальные барьеры в слоях p-GaN и n-GaN. Соответствующее увеличение емкости приводит к временной задержке растекания инжекционного тока и распределения яркости свечения по площади. Планарная неоднородность инжекции носителей заряда в квантовую яму до и после оптической деградации связывается с диффузией и электромиграцией водорода, индуцированной механическими напряжениями. Металлизация p-контакта может быть причиной генерации механических напряжений. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi
Бочкарева Н.И., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Клочков А.В., Шретер Ю.Г. Неоднородность инжекции носителей заряда идеградация голубых светодиодов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 122

Приведены результаты сопоставительных исследований темновых вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик пленочных солнечных элементов CdS/CdTe/Cu/Au и CdS/CdTe/ITO. Впервые экспериментально определены физические свойства тыльного контакта p+-CdTe/n+-ITO. PACS: 84.60.Tt, 85.20.Su, 73.30.+y
Хрипунов Г.С. Влияние тыльного контакта наэлектрические свойства пленочных солнечных элементов наосновеCdS/CdTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 117

Продемонстрирован практически идеальный статический высоковольтный пробой(1060 В) вp+-n-n+-диодах с охранными кольцами на основе4H-SiC. При легировании n-базы до уровня 1.9· 1016 см-3 напряженность поля пробоя в диоде составляет 2.7·106 В/см. Ток утечки диодов не превышает 5·10-5 А/см2 при обратном напряжении до1000 В. Диоды выдерживают без деструкции лавинный ток1 А/см2, что соответствует рассеиваемой мощности1 кВт/см2.
Иванов П.А., Грехов И.В., Ильинская Н.Д., Самсонова Т.П. Идеальный статический пробой в высоковольтных(1 кВ) диодных p-n-структурах сохранными кольцами наоснове 4H-SiC // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1475

Проведено моделирование полного торможения alpha-частицы в SiC методом Монте-Карло и получена гистограмма затрат энергии в актах ядерного рассеяния. Спектр имеет характерную асимметричную форму и ширину линии на половине высоты FWHMnucl~ 4.62 кэВ. Конечная форма спектральной линии получена сверткой с гауссианом, описывающим вклад флуктуаций ионизации и шумов (детектора и аппаратуры). Результирующая величина FWHM линии составила 8.75 кэВ (при дисперсии шума 1.7 кэВ). Достигнутое на практике разрешение детекторов оказывается в 2 раза худшим расчетной величины. Установлено, что потери заряда при переносе в объеме детектора незначительны и расхождение следует отнести к неоптимальной конструкции \glqq входного окна\grqq.
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R. Предельное разрешение по энергии карбид-кремниевых детекторов при спектрометрии ионов // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1469

Лазеры с квантовыми точками InAs/InGaAs на метаморфных слоях (In,Ga,Al)As, осажденных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs, продемонстрировали длину волны генерации вблизи 1.5 мкм и дифференциальную квантовую эффективность порядка 50%. Показано, что лазеры с узким полоском работают в одномодовом режиме и выдерживают плотности непрерывного тока свыше 20 кА·см-2 без заметной деградации. Продемонстрирован непрерывный режим генерации с максимальной оптической мощностью 220 мВт. Также показано, что вплоть до самых высоких уровней возбуждения отсутствует эффект шнурования тока и излучения.
Карачинский Л.Я., Kettler T., Гордеев Н.Ю., Новиков И.И., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Крыжановская Н.В., Жуков А.Е., Семенова Е.С., Васильев А.П., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Ковш А.Р., Щукин В.А., Михрин С.С., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Bimberg D. Непрерывный режим генерации одномодовых метаморфных лазеров наквантовых точках спектрального диапазона1.5 мкм // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1464