Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 315, для научной тематики: Физика полупроводниковых приборов

51.

Роль одномерной диффузии вмодели роста поверхности кристалла косселя     

Бойко А.М., Сурис Р.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Изучен кинетический механизм образования дефектов на вицинальной поверхности, разориентированной в двух направлениях, при молекулярно-пучковой эпитаксии. Эти дефекты представляют собой два адатома--- \glqq двойку\grqq, слипшихся в потенциальной канаве у края ступени. Изучено влияние парам...
52.

Гетероструктурный транзистор наквантовых точках сповышенной максимальной дрейфовой скоростью электронов     

Мокеров В., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Изготовлен униполярный гетеротранзистор AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs нового типа со слоем квантовых точек InAs непосредственно в канале GaAs. Экспериментально получены высокие значения максимального тока насыщения транзистора до35 А/см и крутизны до 1300 мСм/мм. Представлена модель, объясняющая осо...
53.

Большое повышение максимальной дрейфовой скорости электронов вканале полевого гетеротранзистора     

Пожела Ю.К., Мокеров В.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Показано, что квантование моментов оптических фононов в квантовой яме GaAs путем формирования барьерного слоя InAs с квантовыми точками позволяет исключить неупругое рассеяние электронов на оптических фононах и повысить дрейфовую скорость электронов выше дрейфовой скорости насыщения. Эксперимента...
54.

Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие надлине волны1.94 мкм     

Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шленский А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Представлены спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики светодиодов с активным слоем из InGaAsSb (длина волны излучения1.94 мкм при 300 K) втемпературном диапазоне77-543 K, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии на подложке GaSb и имеющих конструкцию типа флип-чип. Спектральные и мо...
55.

Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP     

Карлина Л.Б., Власов А.С., Кулагина М.М., Тимошина Н.Х. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследовано отражение инфракрасного излучения в диапазоне длин волн 1000--2200 нм подложками n-InP с \glqq тыльным\grqq зеркалом MgF2/Au. Установлено, что величина коэффициента отражения слабо зависит от толщины подложек и концентрации свободных носителей в диапазоне (0.1-6)· 1018 см...
56.

Неоднородность инжекции носителей заряда идеградация голубых светодиодов     

Бочкарева Н.И., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Клочков А.В., Шретер Ю.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Изучены распределение интенсивности электролюминесценции по площади и во времени до и после оптической деградации голубых InGaN/GaN-светодиодов. Проведены измерения I-V-характеристик. Обнаружено, что первоначально наиболее яркое свечение вблизи области металлизации p-контакта сменилось на слаб...
57.

Влияние тыльного контакта наэлектрические свойства пленочных солнечных элементов наосновеCdS/CdTe     

Хрипунов Г.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Приведены результаты сопоставительных исследований темновых вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик пленочных солнечных элементов CdS/CdTe/Cu/Au и CdS/CdTe/ITO. Впервые экспериментально определены физические свойства тыльного контакта p+-CdTe/n+-ITO. PACS: 84.60.Tt, 85.20.Su, 73.30.+y ...
58.

Идеальный статический пробой в высоковольтных(1 кВ) диодных p-n-структурах сохранными кольцами наоснове 4H-SiC     

Иванов П.А., Грехов И.В., Ильинская Н.Д., Самсонова Т.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Продемонстрирован практически идеальный статический высоковольтный пробой(1060 В) вp+-n-n+-диодах с охранными кольцами на основе4H-SiC. При легировании n-базы до уровня 1.9· 1016 см-3 напряженность поля пробоя в диоде составляет 2.7·106 В/см. Ток утечки диодов не превышает 5·10-5 А...
59.

Предельное разрешение по энергии карбид-кремниевых детекторов при спектрометрии ионов     

Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Проведено моделирование полного торможения alpha-частицы в SiC методом Монте-Карло и получена гистограмма затрат энергии в актах ядерного рассеяния. Спектр имеет характерную асимметричную форму и ширину линии на половине высоты FWHMnucl~ 4.62 кэВ. Конечная форма спектральной линии получена с...
60.

Непрерывный режим генерации одномодовых метаморфных лазеров наквантовых точках спектрального диапазона1.5 мкм     

Карачинский Л.Я., Kettler T., Гордеев Н.Ю., Новиков И.И., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Крыжановская Н.В., Жуков А.Е., Семенова Е.С., Васильев А.П., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Ковш А.Р., Щукин В.А., Михрин С.С., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Bimberg D. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Лазеры с квантовыми точками InAs/InGaAs на метаморфных слоях (In,Ga,Al)As, осажденных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs, продемонстрировали длину волны генерации вблизи 1.5 мкм и дифференциальную квантовую эффективность порядка 50%. Показано, что лазеры с узким полоском...