Методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе исследованы фоточувствительные резистивные элементы на основе HgCdTe, фоточувствительность которых понизилась в результате длительной эксплуатации. Показано, что процессы деградации в таких элементах связаны с появлением вблизи контактов областей с пониженной чувствительностью. Проведено моделировние распределения наведенного тока для таких неоднородных элементов. Показано, что сравнение измеренных и рассчитанных распределений сигнала наведенного тока позволяет выявлять наиболее вероятные причины неоднородного понижения чувствительности. Проведенное сравнение показало, что наиболее вероятной причиной понижения чувствительности в исследованных элементах является повышение концентрации доноров в приконтактных областях. PACS: 71.20.Nr, 71.55.Eq, 72.20.Jv
Вергелес П.С., Крапухин В.В., Якимов Е.Б. Исследование резистивных фоточувствительных элементов наоснове HgCdTe методом наведенного тока // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 242

Исследованы электронный транспорт и фотоотклик в терагерцовом диапазоне в полевом транзисторе GaN/AlGaN с субмикрометровым затвором (0.25 мкм) с двумерным электронным газом в канале (концентрация электронов ns~ 5·1012 см-2) при4.2 K. Подвижность носителей заряда в канале транзистора определялась по зависимости проводимости от магнитного поля и составила mu~3500 см2/В·с. Обнаружено, что зависимость фотоэдс на частоте излучения f=574 ГГц от напряжения на затворе (т. е. от концентрации двумерных электронов) имеет характерный максимум, что связывается с резонансным откликом в подзатворной плазме транзистора. PACS:61.82.Fk, 68.65.Fg, 71.10.Ca
Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Knap W., Lusakowski J. Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения всубмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 238

Анализ частотной зависимости импенданса резонансно-туннельного диода на основе InGaAs/InAlAs с шириной ямы 5 нм и барьерами толщиной 5 нм в диапазоне частот 0.1-50 ГГц показал, что механизм транспорта в таком диоде в основном последовательный, а не когерентный, что совпадает с проведенными оценками. Обсуждается возможность определения долей когерентного и последовательного механизма транспорта электронов через резонансно-туннельный диод по частотной зависимости его импенданса. PACS: 73.40.Gk, 85.30.Mn
Алкеев Н.В., Аверин С.В., Дорофеев А.А., Velling P., Khorenko E., Prost W., Tegude F.J. Последовательный механизм транспорта электронов врезонансно-туннельном диоде столстыми барьерами // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 233

Исследованы кремниевые фотодиоды, p-область которых имеет сетчатую структуру. Получены аналитические выражения для емкости таких фотодиодов. Проведен анализ влияния размеров ячейки и диффузионной длины неосновных носителей заряда на чувствительность кремниевого сетчатого фотодиода в спектральном диапазоне 0.6-1.0 мкм. Приведены экспериментальные характеристики фотодиодов с сетчатым p-n-переходом с размерами ячеек50 и110 мкм. Обсуждены факторы, определяющие особенности их спектральной характеристики. PACS:85.60.Dw, 72.40.+w, 73.50.Pz.
Блынский В.И., Василевский Ю.Г., Малышев С.А., Чиж А.Л. Кремниевый фотодиод ссетчатым p-n-переходом // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 229

Изучено влияние рекомбинационных и краевых потерь неравновесных квазичастиц на энергетическое разрешение сверхпроводящих туннельных детекторов. Для детекторов Ti/Nb/Al/AlOx/Al/Nb/NbN с пассивным электродом Ti/Nb измерена зависимость сигнала от энергии рентгеновских квантов и изучена форма аппаратурных линий. Проведен анализ экспериментальных данных на основе диффузионной модели туннельных детекторов. PACS: 29.40.Wk, 74.45.+c, 74.78.Fk
Андрианов В.А., Горьков В.П., Кошелец В.П., Филиппенко Л.В. Сверхпроводящие туннельные детекторы рентгеновского излучения. Вопросы энергетического разрешения // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 221

На примере гетероструктур InGaAs/GaAs изучена возможность управления эффективным временем жизни неравновесных носителей заряда посредством контролируемого рассогласования по параметру решетки сопрягаемых материалов гетероструктуры. Установлена связь между соотношением толщины и состава слабо легированных слоев твердого раствора InGaAs и временем жизни неравновесных носителей заряда, что позволяет управлять временем жизни неравновесных носителей заряда в пределах от единиц наносекунд до микросекунды без существенного изменения концентрации подвижных носителей заряда. На основе проведенных исследований изготовлены импульсные p+-p0-pi-n0-n+-диоды, блокирующие напряжения до500 В, коммутирующие токи >~= 10 A при временах переключения, не превышающих10 нс. PACS: 68.55.Ln, 68.55.Nq, 73.40.Kp, 73.50.Gr, 81.05.Ea, 81.15.Gh, 84.30.Jc, 85.30.De, 85.30.Kk
Солдатенков Ф.Ю., Данильченко В.Г., Корольков В.И. Управление временем жизни носителей заряда ввысоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 217

Изучались особенности работы детекторов, подвергнутых облучению протонами с энергией8 МэВ и дозой 3· 1014 см-2. Детекторы были выполнены на базе современных CVD-пленок 4H-SiC n-типа проводимости, имеющих концентрацию нескомпенсированных доноров ~ 2· 1014 см-3 при толщине55 мкм. Высокая концентрация первично введенных дефектов (~ 2· 1017 см-3) обусловила глубокую компенсацию проводимости пленки. Обнаружена нестабильность во времени основных характеристик детекторов--- амплитуды импульса и разрешающей способности. Эффект связан с долговременным захватом неравновесных носителей на радиационные центры и, как следствие, возникновением в объеме детектора эдс поляризации. Проанализирована кинетика установления стационарных значений указанных выше величин. PACS: 61.80.-x, 61.82.Fk, 61.82.-d, 72.20.Jv
Иванов А.М., Строкан Н.Б., Богданова Е.В., Лебедев А.А. Нестабильность характеристик SiC-детекторов, подвергнутых экстремальному воздействию ядерных частиц // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 117

Производится расчет времениtau выхода каскадной охлаждающей термобатареи на стационарный режим. Использованный метод не требует решения уравнений в частных производных для ветвей полупроводниковых элементов. Время переходного процесса двухступенчатой батареи получается в аналитической форме как решение квадратного уравнения, коэффициенты которого определяются термоэлектрическими параметрами полупроводников, теплоемкостями материалов батареи и размерами различных частей устройства. Для батареи с произвольным числом ступенейN расчет сводится к стандартной задаче вычисления собственных значений двух симметричных матриц N-гопорядка. Полученные расчетные значенияtau для конкретных двухступенчатых батарей находятся в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными. PACS: 07.20.Dt, 72.20Pa, 85.80.Fi
Равич Ю.И., Гордиенко А.Н. Метод расчета времени переходного процесса многоступенчатой охлаждающей термобатареи // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 112

Приводятся результаты численного моделирования затворных характеристик КНИ-МОП-нанотранзисторов с двумя независимо управляемыми затворами. Рассматривался случай с заземленной и плавающей базой как без, так и с учетом поверхностной рекомбинации носителей заряда. Показано, что при заданных конструктивных параметрах (длине затвора 50-100 нм, толщине кремния 25-30 нм) путем изменения напряжения на дополнительном затворе можно варьировать пороговое напряжение транзистора в диапазоне 0.45 В, уменьшать ток транзистора в закрытом состоянии до 7 порядков, подпороговый наклон затворных характеристик--- до 60 мВ/дек. Подавление короткоканальных эффектов в таких транзисторах зависит от ряда параметров (перечисленных по степени убывания воздействия): материала затвора, времени жизни носителей заряда (плавающая или заземленная база), толщины отсеченного слоя Si, напряжения на дополнительном затворе, длины канала. PACS: 73.40.Qv, 73.50.--h, 85.30.De, 85.30.Tv
Наумова О.В., Ильницкий М.А., Сафронов Л.Н., Попов В.П. КНИ-нанотранзисторы сдвумя независимо управляемыми затворами // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 104

Исследованы фоточувствительные в области 0.3-1.1 мкм поверхностно-барьерные диоды на основе CdxHg1-xTe (x~ 0.8), полученные травлением (бомбардировкой) поверхности кристалла p-типа проводимости ионами аргона. Сиспользованием измеренных спектральных кривых поглощения и отражения, а также параметров диодной структуры, найденных из электрических характеристик, рассчитаны спектры фотоэлектрической квантовой эффективности диодов. Приведены результаты расчетов фотоэлектрических параметров диодов на основе Cd0.8Hg0.2Te в сравнении с солнечными элементами на основе CdTe иSi. Для условий солнечного облученияAM1.5 найдены напряжение холостого хода и ток короткого замыкания, атакже предельные значения коэффициента полезного действия. PACS: 73.30.+y, 78.66.Hf, 84.60.Jt
Косяченко Л.А., Кульчинский В.В., Паранчич С.Ю., Склярчук В.М. Возможности использования твердого раствора Cd0.8Hg0.2Te всолнечных элементах // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 95