Представлены спектральные характеристики показателя преломления и коэффициента экстинкции в диапазоне 0.6/2.0 эВ пленок аморфного кремния, полученных электронно-лучевым испарением при вариации температуры подложки, скорости напыления и температуры отжига на воздухе. Полученные результаты обсуждаются на основе изменений энергетической зоны Пенна в зависимости от указанных условий получения и обработки.
Машин А.И., Ершов А.В., Хохлов Д.А. Влияние условий получения иотжига наоптические свойства аморфного кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 879

Исследовано влияние дефектов (оборванных связей Si--Si), образованных в процессе осаждения пленок a-Si : H методом тлеющего разряда, при его легировании бором а также фотоиндуцированных, на изменения ближнего и среднего порядка в структурной сетке. Показано, что при постоянной концентрации дефектов ND=const заряженные дефекты значительно сильнее влияют на структуру a-Si : H, чем нейтральные.
Голикова О.А., Кудоярова В.Х. Дефекты, ближний и средний порядок в структурной сетке аморфного гидрированного кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 876

В оптических спектрах исследованных пленок a-Si : H(B) обнаружены колебательные моды на волновых числах 1879 и 1848 см-1, ранее неблюдавшиеся только в спектрах кристаллического диборана. Это указывает на образование в аморфной сетке комплексов и связей, подобных имеющимся в диборане, в частности, мостикового водорода. Изменение амплитуд обнаруженных мод после отжига пленок связывается со структурными перестройками, приводящими к уменьшению концентрации слабо связанного мостикового водорода и увеличению концентрации четырехкоординированного бора. Это объясняет обнаруженное ранее увеличение проводимости отожженных пленок.
Курова И.А., Белогорохова Л.И., Белогорохов А.И. Особенности оптических спектров аморфного гидрированного кремния, легированного бором, винфракрасной области спектра // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 631

Исследовано влияние температуры подложки Ts на слоевое сопротивление Rs для пленок поликристаллического Si, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения. Обнаружен немонотонный характер зависимости Rs от Ts для пленок, легированных разными примесями в процессе осаждения. Предложено объяснение полученным экспериментальным результатам на основе модифицированной модели Сетто.
Шенгуров Д.В., Павлов Д.А., Шабанов В.Н., Шенгуров В.Г., Хохлов А.Ф. Немонотонный характер зависимости сопротивления пленок поликристаллического кремния оттемпературы роста // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 627

Уменьшение концентрации оборванных кремний-кремниевых связей в пленках a-Si : H в результате отжига в атмосфере атомарного водорода определяется концентрацией их в исходной (неотожженной) пленке. Изменение суммарной концентрации водорода в пленках a-Si : H, подвергнутых отжигу в атмосфере атомарного водорода, определяется типом кремний-водородных связей, содержанием примесей: при наличиии моногидридных связей (2020 см-1) возможно уменьшение содержания водорода до 1 at.%, при наличии кислорода (=<sssim0.1 at.%) изменения содержания водорода не наблюдается. Уменьшение концентрации дефектов в результате отжига в атмосфере атомарного водорода наблюдается для всех пленок. Эффект Стаблера--Вронского--- облучение светом АМ-1 в течение 10 ч наблюдается для всех пленок вне зависимости от суммарной концентрации водорода, типа кремний-водородных связей, наличия кислорода.
Мездрогина М.М., Абрамов А.В., Мосина Г.Н., Трапезникова И.Н., Пацекин А.В. Влияние отжига ватмосфере атомарного водорода на свойства пленок аморфного гидрированного кремния ипараметры p-i-n-структур наихоснове // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 620

Фотовольтаические явления в структурах < пористый Si>/Si ( por-Si/p-Si) исследованы методом импульсного фотонапряжения в интервале времен 100 нс--10 мс при облучении наносекундными лазерными импульсами с энергиями квантов 1.4, 2.0, 2.8 и3.7 эВ. Полученные данные свидетельствуют о том, что кроме барьерной фотоэдс, обусловленной разделением неравновесных носителей заряда в области пространственного заряда p-Si на границе раздела por-Si/p-Si, также существует эффективный механизм формирования фотоэдс в результате перезарядки поверхности наноструктуры por-Si. Данный механизм реализуется специфическим для полупроводниковых наноструктур образом, объясняемым как "оптическое легирование" полупроводника.
Тимошенко В.Ю., Константинова Е.А., Дитрих Т. Исследование фотоэдс в структурах &lt;пористый Si&gt;/Si методом импульсного фотонапряжения // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 613

Исследовано изменение интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) и спектров поглощения в ИК области образцов пористого кремния (ПК) при термических отжигах и химических обработках. Обнаружено, что обработка ПК в HCl + Zn приводит к увеличению интенсивности ФЛ более чем в 2раза и влияет на характер уменьшения интенсивности при отжигах. При сопоставлении наблюдавшихся изменений с ИК спектрами высказано предположение о ключевой роли связей Si--Hx в эффективной ФЛ вПК.
Шелонин Е.А., Найденкова М.В., Хорт А.М., Яковенко А.Г., Гвелесиани А.А., Марончук И.Е. Влияние термических отжигов и химических воздействий нафотолюминесценцию пористого кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 494

Метод фотоемкостной спектроскопии впервые применен для исследования оптического поглощения пленок a-As2Se3 в области энергий фотонов, меньших оптической ширины запрещенной зоны. В интервале энергий 0.83--1.94 эВ получен спектр фотоемкости, анализ которого используется для характеристики плотности локализованных состояний в хвосте валентной зоны и на глубоких состояниях заряженных дефектов. Показано влияние старения и засветки пленки на уровень оптического поглощения глубокими центрами.
Васильев И.А., Шутов С.Д. Исследование оптического поглощения тонких пленок a-As2Se3 методом фотоемкостной спектроскопии // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 490

Проведены исследования скорости деградации фотопроводимости gamma (sigmaph~ t-gamma) пленок нелегированного аморфного гидрированного кремния, осажденных при Ts=300-400oC и подвергнутых засветке в течение 5 ч при 300 K (источник света 100 мВт/см2, lambda
Голикова О.А., Казанин М.М., Кудоярова В.Х. Эффект Стаблера--Вронского в зависимости от положения уровня Ферми и структуры нелегированного аморфного гидрированного кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 484

Представлены результаты исследования ядерного магнитного резонанса протонов воды в пористом кремнии. Показано, что магнитно-резонансная спектроскопия с использованием "гибкого зонда" из молекул воды является эффективным методом анализа пористых квантово-размерных структур со сложной пространственной конфигурацией пор. Приведены и обсуждаются "ЯМРизотермы" гидратированных слоев пористого кремния, полученного в различных технологических режимах. Изучены процессы сорбции и предложена модель формирования монослоев воды на пористой поверхности. Устоновлено наличие в слоях тонкой структуры пор со средним диаметром 1.4 нм.
Мамыкин А.И., Мошников В.А., Ильин А.Ю. Магнитно-резонансная спектроскопия пористых квантово-размерных структур // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 356