Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 237, для научной тематики: Стеклообразные и пористые полупроводники

151.

Влияние нанокристаллических включений на фоточувствительность пленок аморфного гидрированного кремния     

Голикова О.А., Казанин М.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Проведены исследования фоточувствительности пленок аморфного гидрированного кремния, содержащие включения нанокристаллов Si. Установлена корреляция фоточувствительности с особенностями рамановских спектров и исследованы спектральные характеристики фотопроводимости. Показано, что максимальной фото...
152.

Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия     

Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Рудь Ю.В., Смирнов А.Н., Смирнова Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Впервые проведено исследование фотолюминесценции, комбинационного рассеяния света и переноса носителей заряда в пористом GaAs, приготовленном на основе кристаллического GaAs (111), A и B, n-типа проводимости. Установлено, что максимумы основной полосы фотолюминесценции с поверхностей A и B наблюд...
153.

Модификация оптоэлектронных свойств пористого кремния, приготовленного в электролите на основе тяжелой воды     

Каменев Б.В, Константинова Е.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Методами инфракрасной спектроскопии, электронного парамагнитного резонанса и фотолюминесценции исследованы слои пористого кремния, сформированные посредством электрохимической обработки Si в растворе HF : D2O. В отличие от образцов, приготовленных в обычном электролите (HF : H2O), обнаружено моно...
154.

Эффект Стеблера--Вронского и температурные зависимости фотопроводимости a-Si : H p-типа     

Кузнецов C.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Исследованы температурные зависимости фотопроводимости легированных бором пленок a-Si : H до и после длительного освещения. Установлено, что фотопроводимость исследованных пленок в интервале температур от 200 до 300 K (средние температуры) не зависит от уровня легирования и концентрации глубоких ...
155.

Kinetics of light-induced degradation in a-Si : H films investigated by computer modeling     

Meytin M.N., Zeman M., Budaguan B.G., Metselaar J.W. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
In this work we investigated the stability of a-Si : H films under illumination and following recovery in dark at different temperatures. The a-Si : H films were fabricated with 55 kHz PECVD and with standard rf 13.56 MHz PECVD. We measured the steady-state photocurrent and the dark current after...
156.

Перенос носителей заряда в двухколлекторном магнитотранзисторе     

Глауберман М.А., Козел В.В., Нахабин А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Представлен численный анализ переноса носителей заряда в латеральных двухколлекторных магнитотранзисторах. Были получены результирующее распределение концентрации инжектированных носителей в базе магнитотранзистора при наличии магнитного поля, а также зависимость чувствительности прибора от разме...
157.

Вольт-амперные характеристики электролюминесцентных структур Me/a-Si : H< Er>/c-Si, изготовленных магнетронным распылением     

Иванов П.А., Коньков О.И., Теруков Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Измерены и проанализированы вольт-амперные характеристики электролюминесцентных структур металл--<аморфный гидрогенизированный кремний, легированный эрбием>-<кристаллический кремний>, изготовленных магнетронным распылением. Показано, что в широком диапазоне плотностей тока перенос нос...
158.

Структурные особенности и свойства пленок a-Si : H, полученных методом циклического осаждения     

Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Коньков О.И., Казанин М.М., Коугия К.В., Сазанов А.П., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Исследованы пленки аморфного гидрогенизированного кремния, полученные методом циклического осаждения с использованием промежуточного отжига в водородной плазме. Пленки a-Si : H, осажденные в оптимальных режимах, обладают фоточувствительностью (отношение проводимостей при освещении и в темноте дос...
159.

Поглощение ифотопроводимость вкомпенсированном бором mu c - Si: H     

Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Исследованы поглощение, проводимость и фотопроводимость фоточувствительного слабо легированного бором mu c-Si:H. Зависимости фотопроводимости от температуры и интенсивности света измерены в области температур 100/ 400 K для различных энергий квантов (0.9, 1.3 и 1.8 эВ). Полученные результаты объя...
160.

Пленки аморфного бора сповышенной электропроводностью     

Голикова О.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Представлены результаты исследований электрических свойств наноструктурированных пленок аморфного бора a-B в сравнении с результатами, полученными для объемных образцов того же материала, а также для кристаллов некоторых "аморфноподобных" боридов со сложной икосаэдрической структурой. Предлагаютс...