Проведены исследования фоточувствительности пленок аморфного гидрированного кремния, содержащие включения нанокристаллов Si. Установлена корреляция фоточувствительности с особенностями рамановских спектров и исследованы спектральные характеристики фотопроводимости. Показано, что максимальной фоточувствительностью обладают пленки с наиболее сформированным средним порядком в их структуре.
Голикова О.А., Казанин М.М. Влияние нанокристаллических включений на фоточувствительность пленок аморфного гидрированного кремния // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 762

Впервые проведено исследование фотолюминесценции, комбинационного рассеяния света и переноса носителей заряда в пористом GaAs, приготовленном на основе кристаллического GaAs (111), A и B, n-типа проводимости. Установлено, что максимумы основной полосы фотолюминесценции с поверхностей A и B наблюдаются вблизи энергий 1.82 эВ(A) и1.88 эВ(B). Определена величина дрейфовой подвижности электронов, она составляет ~4·10-4 см2/В·с. Размер нанокристаллитов в пористом GaAs определялся как из спектров фотолюминесценции, так и из рамановского сдвига. Полученные величины оказались близкими и составляли 6--8 нм.
Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Рудь Ю.В., Смирнов А.Н., Смирнова Н.Н. Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 757

Методами инфракрасной спектроскопии, электронного парамагнитного резонанса и фотолюминесценции исследованы слои пористого кремния, сформированные посредством электрохимической обработки Si в растворе HF : D2O. В отличие от образцов, приготовленных в обычном электролите (HF : H2O), обнаружено монотонное увеличение интенсивности фотолюминесценции в процессе естественного окисления образца при сохранении водородного покрытия поверхности кремниевого скелета. Предложен механизм аномального окисления слоев пористого кремния, полученного в смеси HF и тяжелой воды.
Каменев Б.В, Константинова Е.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. Модификация оптоэлектронных свойств пористого кремния, приготовленного в электролите на основе тяжелой воды // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 753

Исследованы температурные зависимости фотопроводимости легированных бором пленок a-Si : H до и после длительного освещения. Установлено, что фотопроводимость исследованных пленок в интервале температур от 200 до 300 K (средние температуры) не зависит от уровня легирования и концентрации глубоких рекомбинационных центров--- оборванных связей. Для объяснения экспериментальных результатов использована модель рекомбинации, согласно которой в a-Si : H p-типа функция заполнения нейтральных оборванных связей (следовательно, и фотопроводимость) определяется параметрами состояний хвоста валентной зоны и не зависит от уровня легирования и полной концентрации оборванных связей.
Кузнецов C.В. Эффект Стеблера--Вронского и температурные зависимости фотопроводимости a-Si : H p-типа // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 748

In this work we investigated the stability of a-Si : H films under illumination and following recovery in dark at different temperatures. The a-Si : H films were fabricated with 55 kHz PECVD and with standard rf 13.56 MHz PECVD. We measured the steady-state photocurrent and the dark current after switchhing off the light source as a function of time. We observed photocurrent degradation and following recovery of the dark current. The kinetics of the photocurrent degradation as well as the dark current recovery demonstrated stretched-exponential behavior. The results of these straightforward measurements in combination with computer modeling were used to determine the effect of light-induced degradation and thermal recovery on the density of states distribution in the band gap ofa-Si : H. We have found that the photocurrent degradation and the corresponding increase in the total defect concentration have different kinetics. The different kinetics were determined also for the dark current recovery and the corresponding decrease in the total defect concentration. The results point out that slow and fast types of defects in a-Si : H films control the kinetics of light-induced changes of the defect distribution in the band gap. A model is proposed that relates the origin of the fast and slow metastable defects with the distribution of Si-Si bond lengths.
Meytin M.N., Zeman M., Budaguan B.G., Metselaar J.W. Kinetics of light-induced degradation in a-Si : H films investigated by computer modeling // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 742

Представлен численный анализ переноса носителей заряда в латеральных двухколлекторных магнитотранзисторах. Были получены результирующее распределение концентрации инжектированных носителей в базе магнитотранзистора при наличии магнитного поля, а также зависимость чувствительности прибора от размера эмиттера.
Глауберман М.А., Козел В.В., Нахабин А.В. Перенос носителей заряда в двухколлекторном магнитотранзисторе // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 622

Измерены и проанализированы вольт-амперные характеристики электролюминесцентных структур металл--<аморфный гидрогенизированный кремний, легированный эрбием>-<кристаллический кремний>, изготовленных магнетронным распылением. Показано, что в широком диапазоне плотностей тока перенос носителей заряда в высокоомной пленке a-Si : H<Er> (удельное сопротивление около 1 ГОм·см) осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственным зарядом, при участии двух групп ловушек захвата. Из анализа вольт-амперных характеристик оценены параметры ловушек захвата: концентрация и энергия ионизации акцепторных центров (~ 1019 см-3 и 0.85--0.95 эВ соответственно), концентрация и энергия ионизации донорных центров (~ 1019 см-3 и 0.4 эВ соответственно). В свете полученных результатов обсуждается предлагаемый в литературе механизм возбуждения эрбиевой электролюминесценции в таком материале.
Иванов П.А., Коньков О.И., Теруков Е.И. Вольт-амперные характеристики электролюминесцентных структур Me/a-Si : H&lt; Er&gt;/c-Si, изготовленных магнетронным распылением // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 617

Исследованы пленки аморфного гидрогенизированного кремния, полученные методом циклического осаждения с использованием промежуточного отжига в водородной плазме. Пленки a-Si : H, осажденные в оптимальных режимах, обладают фоточувствительностью (отношение проводимостей при освещении и в темноте достигает значений sigmaph/sigmad~107 при освещенности 20 мВт / см2 в видимой области спектра), а значения оптической ширины запрещенной зоны (Eg) и энергии активации (Ea) составляют 1.85 и 0.91 эВ соответственно. Микроскопические исследования выявили четко выраженную слоистую структуру пленок a-Si : H и наличие нанокристаллических включений в матрице аморфной фазы.
Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Коньков О.И., Казанин М.М., Коугия К.В., Сазанов А.П., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И. Структурные особенности и свойства пленок a-Si : H, полученных методом циклического осаждения // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 492

Исследованы поглощение, проводимость и фотопроводимость фоточувствительного слабо легированного бором mu c-Si:H. Зависимости фотопроводимости от температуры и интенсивности света измерены в области температур 100/ 400 K для различных энергий квантов (0.9, 1.3 и 1.8 эВ). Полученные результаты объясняются определяющим вкладом микрокристаллической фазы и состояний на границах раздела микрокристаллов в перенос и рекомбинацию неравновесных носителей в mu c-Si:H. Рассмотрены возможные механизмы рекомбинации и изменение их роли с температурой.
Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А. Поглощение ифотопроводимость вкомпенсированном бором mu c - Si: H // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 373

Представлены результаты исследований электрических свойств наноструктурированных пленок аморфного бора a-B в сравнении с результатами, полученными для объемных образцов того же материала, а также для кристаллов некоторых "аморфноподобных" боридов со сложной икосаэдрической структурой. Предлагаются модели, объясняющие повышенную электропроводность пленок a-B.
Голикова О.А. Пленки аморфного бора сповышенной электропроводностью // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 369