Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 237, для научной тематики: Стеклообразные и пористые полупроводники


191.

Состав и пористость многокомпонентных структур: пористый кремний как трехкомпонентная система     

Беляков Л.В., Макарова Т.Л., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Сресели О.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
На примере системы пористый кремний (por-Si)--кремний (Si) показана возможность эффективного неразрушающего исследования морфологии границы раздела полупроводниковых слоистых систем, а также состава многокомпонентных слоев методами эллипсометрии и резерфордовского обратного рассеяния. Обоими мето...
192.

Особенности взаимодействия пористого кремния с тяжелой водой     

Горячев Д.Н., Полисский Г., Сресели О.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Методами время-разрешенной фотолюминесценции и инфракрасной фурье-спектроскопии исследовано взаимодействие пористого кремния (por-Si) с тяжелой водой (D2O). Показано, что контакт por-Si с D2O приводит к аномально быстрому окислению его поверхности--- со скоростью, по крайней мере на порядок превы...
193.

Многомодовость и манитофононный резонанс четырехкомпонентных твердых растворов теллуридов цинка, кадмия и ртути     

Шерегий Е.М., Цебульский Й., Полит Я., Иванов-Омский В.И., Гембицкий В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследован магнитофононный резонанс в многомодовом кристалле твердого раствора ZnxCdyHg1-x-yTe (x=0.08, y=0.11) в интервале температур от 77 до 200 K. С целью интерпретации полученной структуры спектра магнитофононного резонанса изучены методом комбинационного рассеяния фононные моды трех составо...
194.

Поглощение света и фотолюминесценция пористого кремния     

Образцов А.Н., Караванский В.А., Окуши Х., Ватанабе Х. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Представлены результаты исследования комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции, отражения и поглощения света в слоях пористого кремния, полученных электрохимическим травлением монокристаллических пластин. На основании анализа экспериментальных данных делается вывод о множественном характ...
195.

Модель фотоиндуцированной анизотропии в стеклообразных полупроводниках     

Емельянова Е.В., Архипов В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Теоретически рассматривается модель фотоиндуцированной оптической анизотропии в аморфных полупроводниках. Изменение оптических характеристик образца связывается с фотогенерацией близнецовых электронно-дырочных пар. Если пары генерируются линейно поляризованным светом, то дипольные моменты близнец...
196.

Ионная имплантация пористого фосфида галлия     

Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Заварицкая Т.В., Лойко Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследовано влияние радиационного воздействия ионов Ar и термоотжига на свойства пористого фосфида галлия (por-GaP), полученного электрохимическими методами. На основе данных комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции показано, что в отличие от пористого кремния por-GaP не обладает повыш...
197.

Люминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии, полученном методом тлеющего разряда     

Теруков Е.И., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Гусев О.Б., Вайзер Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Впервые сообщается о наблюдении эффективной фотолюминесценции эрбия при комнатной температуре в аморфном гидрогенизированном кремнии, полученном методом плазмохимического осаждения. ...
198.

Doping in metal chalcogenide glasses     

Girlani S.A., Yan B., Taylor P.C. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Chalcogenide glasses that contain sufficient concentrations of metal atoms can be doped p-type. This doping results in part because the local structural order is tetrahedral at both the metal and the chalcogen sites in these glasses. At concentrations exceeding 1019 см-3, oxygen promotes doping ...
199.

Cu-induced changes in properties ofthearsenic chalcogenides     

Bolle N., Hertogen P., Adriaenssens G.J., Senemaud C., Gheorghiu-de La Rocque A. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
The influence of the presence of between 1% and 6% ofCu in arsenic chalcogenide glasses is examined through a study of the electronic energy levels by means of X-ray photoelectron and X-ray emission spectroscopy, through an investigation of the low-energy tunneling systems by means of pho...
200.

Photoinduced structural changes in amorphous semiconductors     

Tanaka Keiji - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
A variety of photostructural changes observed in tetrahedral and chalcogenide amorphous semiconductors are reviewed from physical and chemical points-of-view. Specifically, observations of the photodarkening and related phenomena in chalcogenide glasses are summarized, and structural models propo...