На примере системы пористый кремний (por-Si)--кремний (Si) показана возможность эффективного неразрушающего исследования морфологии границы раздела полупроводниковых слоистых систем, а также состава многокомпонентных слоев методами эллипсометрии и резерфордовского обратного рассеяния. Обоими методами определен процентный состав основных компонентов por-Si: кристаллического кремния, оксида кремния и пустот (пористость). Показано, что por-Si, полученный импульсным анодированием, содержит значительное количество оксида кремния. Показано также, что спектральная эллипсометрия позволяет определить удельное соотношение отдельных слоев или компонент многослойных и многокомпонентных систем (при знании спектральной дисперсии оптических констант этих компонент).
Беляков Л.В., Макарова Т.Л., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Сресели О.М. Состав и пористость многокомпонентных структур: пористый кремний как трехкомпонентная система // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1122

Методами время-разрешенной фотолюминесценции и инфракрасной фурье-спектроскопии исследовано взаимодействие пористого кремния (por-Si) с тяжелой водой (D2O). Показано, что контакт por-Si с D2O приводит к аномально быстрому окислению его поверхности--- со скоростью, по крайней мере на порядок превышающей скорость окисления por-Si в обычной (протиевой) воде. Процесс окисления приводит к трансформации химического состава поверхности por-Si и сопровождается резкими изменениями спектральных и временных характеристик фотолюминесценции. Высказаны предположения о природе взаимодействия пористого кремния с тяжелой водой.
Горячев Д.Н., Полисский Г., Сресели О.М. Особенности взаимодействия пористого кремния с тяжелой водой // ФТП, 1998, том 32, выпуск 8, Стр. 1016

Исследован магнитофононный резонанс в многомодовом кристалле твердого раствора ZnxCdyHg1-x-yTe (x=0.08, y=0.11) в интервале температур от 77 до 200 K. С целью интерпретации полученной структуры спектра магнитофононного резонанса изучены методом комбинационного рассеяния фононные моды трех составов данного твердого раствора. Представленные результаты подтверждают трехмодовое поведение (исключая кластерные моды) фононного спектра этого класса твердых растворов. Сложная структура полос магнитофононного резонанса интерпретирована на основе полученных величин фононных частот. Показаны особенности электронного переноса в такой решетке.
Шерегий Е.М., Цебульский Й., Полит Я., Иванов-Омский В.И., Гембицкий В. Многомодовость и манитофононный резонанс четырехкомпонентных твердых растворов теллуридов цинка, кадмия и ртути // ФТП, 1998, том 32, выпуск 8, Стр. 1006

Представлены результаты исследования комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции, отражения и поглощения света в слоях пористого кремния, полученных электрохимическим травлением монокристаллических пластин. На основании анализа экспериментальных данных делается вывод о множественном характере центров, ответственных за излучательную и безызлучательную рекомбинацию в этом материале. Экспериментальные данные указывают на однородное распределение тех центров, максимум оптического возбужения которых находится в сине-зеленой области спектра, в отличие от центров, область эффективного возбуждения которых соответствует красной спектральной области. Эффективность излучательной рекомбинации последних повышается в тонком приповерхностном слое пленки пористого кремния.
Образцов А.Н., Караванский В.А., Окуши Х., Ватанабе Х. Поглощение света и фотолюминесценция пористого кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 8, Стр. 1001

Теоретически рассматривается модель фотоиндуцированной оптической анизотропии в аморфных полупроводниках. Изменение оптических характеристик образца связывается с фотогенерацией близнецовых электронно-дырочных пар. Если пары генерируются линейно поляризованным светом, то дипольные моменты близнецовых пар лежат главным образом в плоскости поляризации, что делает образец оптически анизотропным. Модель связывает оптическую анизотропию образца со средним квадратом проекции дипольного момента единицы объема на ось поляризации излучения < P2z>. Эволюция величины < P2z> определяется кинетикой дрейфа и рекомбинации носителей в близнецовых парах. Рассчитывается кинетика фотоиндуцированной анизотропии при непрерывном облучении образца и релаксация последней при импульсном воздействии поляризованного света.
Емельянова Е.В., Архипов В.И. Модель фотоиндуцированной анизотропии в стеклообразных полупроводниках // ФТП, 1998, том 32, выпуск 8, Стр. 995

Исследовано влияние радиационного воздействия ионов Ar и термоотжига на свойства пористого фосфида галлия (por-GaP), полученного электрохимическими методами. На основе данных комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции показано, что в отличие от пористого кремния por-GaP не обладает повышенной радиционной стойкостью, а термоотжиг дефектов в аморфизированных ионной имплантацией слоях затруднен вследствие отсутствия хорошей кристаллической основы для процессов твердотельной эпитаксиальной рекристаллизации. Данные по радиационному дефектообразованию и зондированию материала редкоземельным "люминесцентным зондом" соответствуют представлениям о мезопористой структуре материала.
Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Заварицкая Т.В., Лойко Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. Ионная имплантация пористого фосфида галлия // ФТП, 1998, том 32, выпуск 8, Стр. 990

Впервые сообщается о наблюдении эффективной фотолюминесценции эрбия при комнатной температуре в аморфном гидрогенизированном кремнии, полученном методом плазмохимического осаждения.
Теруков Е.И., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Гусев О.Б., Вайзер Г. Люминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии, полученном методом тлеющего разряда // ФТП, 1998, том 32, выпуск 8, Стр. 987

Chalcogenide glasses that contain sufficient concentrations of metal atoms can be doped p-type. This doping results in part because the local structural order is tetrahedral at both the metal and the chalcogen sites in these glasses. At concentrations exceeding 1019 см-3, oxygen promotes doping by increasing the densities of dangling-bond defects at 3-fold-coordinated chalcogens, which are the doping sites in these glasses. For oxygen concentrations below 1019 см-3, the conductivity is independent of oxygen and, therefore, is controlled by other mechanisms. The compositions Cu6As4S9 and Cu6As4Se9 are studied because at these compositions the S (orSe) and Cu atoms are all tetrahedrally coordinated and there exist only Cu--S and As--S (or Cu--Se and As--Se) bonds.
Girlani S.A., Yan B., Taylor P.C. Doping in metal chalcogenide glasses // ФТП, 1998, том 32, выпуск 8, Стр. 982

The influence of the presence of between 1% and 6% ofCu in arsenic chalcogenide glasses is examined through a study of the electronic energy levels by means of X-ray photoelectron and X-ray emission spectroscopy, through an investigation of the low-energy tunneling systems by means of phonon echoes at 0.37 K, and through an examination of the photodarkening and the photoinduced dichroism caused by polarezed Ar+-laser irradiation. Possible links between the various effects are being looked for. The Cu atoms do become an integral part of the amorphous lattice structure and strongly influence the photodarkening, but they do not have a significant effect on the tunneling systems or the dichroism. It is concluded that the tunneling levels and the dichroism involve only local configurations, while the photodarkening involves larger-scale areas of the lattice.
Bolle N., Hertogen P., Adriaenssens G.J., Senemaud C., Gheorghiu-de La Rocque A. Cu-induced changes in properties ofthearsenic chalcogenides // ФТП, 1998, том 32, выпуск 8, Стр. 976

A variety of photostructural changes observed in tetrahedral and chalcogenide amorphous semiconductors are reviewed from physical and chemical points-of-view. Specifically, observations of the photodarkening and related phenomena in chalcogenide glasses are summarized, and structural models proposed so far are criticized.
Tanaka Keiji Photoinduced structural changes in amorphous semiconductors // ФТП, 1998, том 32, выпуск 8, Стр. 964