Выполнено исследование светочувствительных и люминесцентных свойств некоторых материалов класса полиамидинов, способных к супрамолекулярному упорядочению. Показано, что в зависимости от молекулярного строения полимера эффективность люминесценции полиамидинов может более чем в3 раза превышать интенсивность люминесценции широко используемых органических люминесцирующих полупроводников--- полифениленвиниленов. Высказано предположение, что указанный эффект обусловлен способностью полиамидинов к формированию супрамолекулярных структур сpi-n-H-сопряжением.
Александрова Е.Л., Компан М.Е., Дудкина М.М., Теньковцев А.В., Теруков Е.И. Влияние супрамолекулярного упорядочения на фотофизические свойства полиамидинов // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1110

Разработана технология инфильтрации оксида цинка в трехмерную опаловую решетку методом химического осаждения из раствора, получены образцы композитов ZnO--опал, проявляющие преимущественно люминесценцию в ультрафиолетовой области спектра при комнатной температуре. Степень заполнения контролировали двумя способами: 1) по приросту массы образца; 2) по смещению максимума в спектре оптического отражения заполненных ZnO образцов относительно исходных опаловых матриц. Результаты, полученные двумя методами, согласуются. Определены оптимальные условия синтеза заполненных оксидом цинка опалов с точки зрения получения максимальной интенсивности ультрафиолетовой люминесценции. Показано, что использование \glqq сырых\grqq опалов и частичное заполнение пор полупроводниковым материалом дает увеличение интенсивности краевой экситонной полосы свечения при комнатной температуре в несколько раз. Полученные результаты могут быть использованы при создании эффективных направленных лазерных источников света в ультрафиолетовой области спектра с использованием эффекта \glqq фотонного кристалла\grqq.
Масалов В.М., Самаров Э.Н., Волкодав Г.И., Емельченко Г.А., Баженов А.В., Божко С.И., Карпов И.А., Грузинцев А.Н., Якимов Е.Е. Ультрафиолетовая люминесценция ZnO, инфильтрованного вопаловую матрицу // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 884

Исследованы особенности образования толстых слоев пористого кремния на кремниевых подложках n-типа в гальваностатическом режиме. Обнаружен скачок на зависимостях напряжение--время в процессе анодирования при освещении видимым светом без ИК составляющей. Скачок сопровождается возникновением крупноблочного нарушенного слоя кремния. Показано, что эти эффекты связаны с недостаточной концентрацией дырок, необходимых для травления кремния. Врезультате механизм генерации неосновных носителей изменяется от радиационного на механизм лавинного пробоя.
Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. Формирование толстых слоев пористого кремния принедостаточной концентрации неосновных носителей // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 739

Исследованы закономерности электрического транспорта в слоях пористого кремния, полученного методом электрохимического травления пластин монокристаллического кремния p-типа с ориентацией поверхности(110). Обнаружено, что латеральные проводимость и фотопроводимость слоев вдоль кристаллографической оси[110] значительно выше, чем вдоль оси[001]. Для объяснения полученного результата использована модель эффективной среды, в которой учтено наличие потенциальных барьеров на границах кремниевых нанокристаллов, характеризующихся анизотропией формы. Экспоненциальная зависимость проводимости пористого кремния от корня квадратного из приложенного напряжения интерпретирована в рамках эффекта Пула-Френкеля.
Форш П.А., Осминкина Л.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Особенности электрического транспорта ванизотропно наноструктурированном кремнии // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 626

Выполнены исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок кремния, сформированных методом лазерной абляции. Измерения осуществлялись в X-диапазоне с модуляцией магнитного поля на частоте ~100 кГц при температурах 300 и 77 K. Наблюдали два вида спектров. Первый вид, обнаруживающий большую концентрацию оборванных связей кремния в нанокристаллах Si и оболочках SiOx, присущ пленкам нанокристаллического кремния (nc-Si), не обладающим видимой фотолюминесценцией. Второй вид спектров, указывающий на наличие E'-центров, центров <немостиковый кислород>-дырка (NBOHC) и пероксидных радикалов, характерен для пленок с видимой фотолюминесценцией, что свидетельствует о наличии в них высокобарьерных слоев SiO2. Наблюдался эффект увеличения интенсивности фотолюминесценции и уменьшения сигнала электронного парамагнитного резонанса на пористых пленках nc-Si при длительном хранении навоздухе.
Братусь В.Я., Окулов С.М., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г. Исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 621

Исследовано влияние упругой деформации изгиба на электропроводность пористого кремния с различной морфологией пор и с различными свойствами обедненных областей вокруг пор. Пористые слои были сформированы методом анодного электрохимического травления на кремниевых пластинах p- иn-типа проводимости и обладали пористостью 5-68%. Показано, что характер наблюдаемых изменений электропроводности пористого кремния при деформации зависит от структурных особенностей пористого материала. Для объяснения полученных результатов использованы различные физические модели переноса носителей заряда в пористом кремнии.
Зимин С.П., Брагин А.Н. Тензорезистивный эффект в слоях пористого кремния сразличной морфологией // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 616

Исследованы особенности фотопроводимости пленок аморфного молекулярного полупроводника на основе поли-N-эпоксипропилкарбазола с большой концентрацией окрашенных органических молекул и пленок полимерной композиции с агрегатами органического красителя. Обнаружено исчезновение зависимости энергии активации фотопроводимости от напряженности внешнего электрического поля при переходе от полимерных композиций первого типа ко вторым. Предложено объяснение экспериментальных результатов, состоящее в том, что в полимерных композициях с областями квазиупорядоченных молекул красителя, в отличие от аморфных молекулярных полупроводников, фотогенерация и транспорт носителей заряда происходят и внутри таких областей.
Давиденко Н.А., Ищенко А.А., Костенко Л.И., Кувшинский Н.Г., Мысык Д.Д., Мысык Р.Д. Фотопроводимость полимерных композиций свысокой концентрацией органических красителей // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 610

Исследовано поглощение и отражение инфракрасного излучения в диапазоне 500-6000 см-1, связанное со свободными носителями заряда в слоях мезопористого кремния (пористость 60-70%), сформированных из монокристаллических пластин p-Si с концентрацией дырок Np~1020 см-3 ориентации(100). Установлено, что вклад свободных дырок в оптические параметры образцов уменьшается с ростом их пористости, а также дополнительно падает при естественном окислении на воздухе. Экспериментальные результаты объяснены в рамках модели, основанной на приближении эффективной среды Бруггемана и классической теории Друде с поправкой на дополнительное рассеяние носителей заряда в кремниевых остатках (нанокристаллах). Сравнение расчетных и экспериментальных зависимостей дает значение концентрации дырок в нанокристаллах Np~1019 см-3 для свежеприготовленных слоев и показывает снижениеNp в процессе их естественного окисления.
Осминкина Л.А., Курепина Е.В., Павликов А.В., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Взаимодействие инфракрасного излучения сосвободными носителями заряда вмезопористом кремнии // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 603

The electrical conductivity and optical properties of the bis-diethylaminokumarin have been investigated. The electrical conductivity of the compound exhibited three-dimensional hopping conduction in the temperature range 295-321 K. The compound shows typical semiconductor property and its semiconducting property results from delocalization of the pi-electrons in the structure. To determine the optical band gap of the compound, an optical absorption study was made in the wavelength range 250-600 nm. The optical study revealed that the optical transition is the allowed indirect one. The electronic parameters such as electrical conductivity at room temperature sigma25, activation energyE, and optical band gapEg, of the compound are 1.46·10-5 S/cm, 0.42 eV and2.46 eV, respectively. These values are in agreement with electronic parameters of organic semiconductors.
Yakuphanoglu F., Aydin M., Arsu N., Sekerci M. A Small-Molecule Organic Semiconductor // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 486

Теоретически проанализированы зависимости концентрации носителей заряда в кремниевых квантовых нитях, находящихся в оболочке из двуокиси кремния, от диаметра нитей и местоположения атомов примеси относительно центра нитей. Показано, что по мере уменьшения диаметра нитей и нанокристаллов энергия залегания легирующей примеси увеличивается, соответственно концентрации носителей заряда уменьшается, и экранирование кулоновского притяжения становится неэффективным. Врезультате механизм фотолюминесценции определяется излучательной рекомбинацией экситонов даже в случае сильно легированного кремния. Экспериментальные исследования спектральных, люкс-ваттных и температурных зависимостей фотолюминесценции в структурах пористого кремния, полученных при использовании слабо и сильно легированных кремниевых подложек, подтверждают эти выводы.
Саченко А.В., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Сресели О.М. Экситонная фотолюминесценция влегированных квази-1D структурах на основе кремния // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 479