Представлены результаты фотолюминесцентных исследований самоорганизующихся наноразмерных кластеров (квантовых точек) InP в матрице In0.49Ga0.51P, выращенных на подложке GaAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Получены зависимости эффективности люминесценции от температуры в интервале 77-300 K и от уровня возбуждения при мощности накачки 0.01-5 кВт/см2. Спектры фотолюминесценции являются суперпозицией излучения квантовых точек и смачивающего слоя. Соотношение их интенсивности зависит от мощности накачки и температуры, а длина волны излучения структуры изменяется в пределах 0.65--0.73 мкм. При низком уровне возбуждения и 77 K квантовые точки InP имеют высокую температурную стабильность длины волны излучения и высокую квантовую эффективность.
Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Николаев Д.Н., Соколова З.Н., Тарасов И.С. Оптические исследования квантовых точек InP // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 242

Сообщается об исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии морфологии поверхности слоев аморфного гидрогенизированного (гидрированного) углерода, модифицированного медью, a-C : H(Cu). Описывается алгоритм математической обработки изображений и построения функции распределения продольной составляющей рельефа поверхности по размерам. Пленки a-C : H(Cu) наносились методом магнетронного сораспыления графита и меди на подложки двух типов: n-Si (100) с сильно легированным поверхностным слоем иSi с нанесенным слоемCr. Обнаружена мезоскопическая структура поверхности кристаллического кремния, хромового слоя и пленки a-C : H(Cu). Рассмотрена корреляция элементов структуры подложек и пленки. Делается вывод о формировании гранул с характерными размерами6--8 нм, присущими собственно пленке.
Звонарева Т.К., Иванов-Омский В.И., Ястребов С.Г., Голубок А.О., Горбенко О.М., Розанов В.В. Исследование морфологии поверхности пленок аморфного гидрогенизированного углерода, модифицированного медью // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 237

Теоретически исследовано фотохимическое преобразование тонких пленок неорганических фоторезистов под действием ультрафиолетового излучения эксимерного лазера. Показано, что, оптимизировав интенсивность излучения и дозу облучения, можно достичь сужения переходной области между засвеченными и незасвеченными участками, что приводит к улучшению качества изображения при фотолитографии.
Калитеевская Н.А., Сейсян Р.П. Эффект усиления контраста передачи изображения при взаимодействии ультрафиолетового излучения с пленками неорганических фоторезистов // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 233

Методы эллипсометрии и спектрофотометрии в видимом и ближнем ультрафиолетовом диапазонах (1.5-5.6 эВ) применены для изучения термической стабильности аморфного углерода (a-C иa-C : H). Сиспользованием анализа Крамерса--Кронига была получена и проанализирована диэлектрическая функция аморфного углерода. Показано, что применение существующих подходов к анализу полученных данных для образцов, подвергнутых термическому воздействию, не является достаточным. Проведен анализ формы края фундаментального поглощения с учетом коллективных явлений в наноразмерных фрагментах графитоподобной составляющей структуры аморфного углерода. Показано, что существует два типа графитоподобных кластеров, вносящих вклад в спектральную зависимость края собственного поглощения и претерпевающих модификацию при термическом воздействии.
Иванов-Омский В.И., Толмачев А.В., Ястребов С.Г. Оптические свойства пленок аморфного углерода, выращенного при магнетронном распылении графита // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 227

В a-C : H, модифицированном медью, исследовалась активация в инфракрасном поглощении запрещенных в отсутствие меди квазирамановских колебательных мод графеновых плоскостей. Проведено сравнение параметров квазирамановских полос G и D в спектрах оптического поглощения в области колебательных частот углерод-углеродных связей и истинно рамановских полос в спектрах рамановского рассеяния чистого и модифицированного медью a-C : H. Утверждается, что достаточно хорошее совпадение частот истинно рамановских полос в a-C : H и квазирамановских полос в a-C : H (Cu) свидетельствует о том, что взаимодействие атомов меди c углеродной матрицей практически не нарушает целостности графеновых колец и может рассматриваться как интеркаляция. Для идентификации наблюдаемых квазирамановских и сопутствующих им полос рассмотрены корреляционные соотношения между их параметрами. Из соотношения интегральных интенсивностей полос D и G сделана оценка размеров графитоподобных кластеров и их зависимости от содержания меди в пленке.
Иванов-Омский В.И., Звонарева Т.К., Фролова Г.С. Колебательные моды углерода вгидрогенизированном аморфном углероде, модифицированном медью // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1450

Исследованы фотоэлектрические и электролюминесцентные свойства структур кремний--<пористый кремний> с химически осажденным металлическим контактом. Большая удельная площадь контакта и избирательное осаждение металла только на неквантово-размерные элементы структур обеспечивают лучшие фотоэлектрические характеристики фотодиодов, по сравнению со структурами с напыленным контактом, особенно в коротковолновой области спектра. Спектры электролюминесценции объясняются свойствами барьера металл--кремний при прямом смещении и двойной инжекцией носителей в квантово-размерные нанокристаллиты--- при обратном.
Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. Фотоответ и электролюминесценция структур кремний--&lt;пористый кремний&gt;--&lt;химически осажденный металл&gt; // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1386

Аморфные пленки твердого раствора Ge0.90Si0.10 : Hx (x=1.3, 5.1, 8.7, 14.2 и23.7 ат%) толщиной 1 мкм были получены в атмосфере с различными парциальными давлениями водорода методом плазмохимического осаждения. Скорость осаждения составляла 0.3-0.5 Angstrem/c. Измерения электропроводности пленок проведены в температурной области 100-420 K. Измерена темновая проводимость пленки, рассчитаны энергия активации прыжка при температуре 100 K, длина прыжка, подвижность электронов на уровнях varepsilonF и varepsilonC, а также энергия активации проводимости.
Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge0.90Si0.10 : Hx // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1383

Предложен новый, рассматриваемый на качественном уровне, механизм зарождения и начальных стадий роста пор при образовании пористого кремния ( por-Si). При этом основное внимание уделено реакции взаимного обмена зарядами между ионамиSi2+, образующимися при электролитическом или химическом окислении исходного кремния (реакции диспропорционирования). Предлагаемый механизм в значительной степени устраняет многие противоречия, присущие ранее предложенным схемам образования por-Si, и, в частности, объясняет особенности морфологии por-Si, получаемого в различных экспериментальных условиях. Значительное внимание уделено влиянию освещения в этих процессах.
Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. О механизме образования пористого кремния // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1130

Эрбий был введен в аморфный гидрогенизированный кремний, полученный высокочастотным разложением силана, за счет термического испарения TRIS (2,2,6,6тетраметил--2.5гептадионато) Er(III) внутри плазменного промежутка. Полученные образцы обладали выраженной слоистой структурой вследствие истощения источника эрбия: ближайший к подложке, обогащенный эрбием, кислородом и углеродом слой контролировал люминесценцию с длиной волны 1.535 мкм, характерную для внутри атомных переходов эрбия 4I13/2-> 4I15/2, и содержал значительное число дефектов. Верхний слой был значительно менее дефектным и по своим фотоэлектрическим характеристикам приближался к нелегированному a-Si : H и контролировал фотопроводимость полученных образцов. Экспериментальные данные проанализированы в рамках моделей легирования a-Si : H эрбием с образованием проводимости n-типа и формирования гетероперехода по мере роста пленки.
Теруков Е.И., Казанин М.М., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Коугия К.В., Никулин Ю.А., Казанский А.Г. Влияние эрбия на электрические и фотоэлектрические свойства аморфного кремния, полученного высокочастотным разложением силана // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 861

Предложено теоретическое описание процесса фотохимического превращения пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников, в частности AsSe. Проведен анализ результатов экспериментов по исследованию фотопотемнения тонких пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников под действием импульсного излучения ArF-эксимерного лазера с длиной волны излучения 193 нм. Установлено, что для материала AsSe процесс фотохимического превращения характеризуется оптической чувствительностью порядка 3 см3/кДж и пороговой интенсивностью света ~ 17 кДж/см2·с.
Калитеевская Н.А., Сейсян Р.П. Моделирование фотохимических превращений ифотопотемнения пленок фоторезистов поддействием импульсного вакуумного ультрафиолетового излучения // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 857