Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 237, для научной тематики: Стеклообразные и пористые полупроводники

201.

Plasma-enhanced chemical vapour deposition and structural characterization of amorphous chalcogenide films     

Nagels P. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
We describe the preparation of layers of amorphous Se, AsxS1-x, AsxSe1-x, GexS1-x and GexSe1-x by plasma-enhanced chemical vapour deposition using the hydrides of the elements as precursor gases. We discuss the influence of the gas ratios and the deposition conditions (pressure, rf power input) o...
202.

Towards understanding the photo-induced changes in chalcogenide glasses     

Fritzsche H. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
The various irreversible and reversible photo-induced phenomena in chalcogenide glasses, among these isotropic as well as anisotropic effects, were considered up to now to have different origins. Upon reexamination, we find that the elemental photostructural steps are the same for all these pheno...
203.

Моделирование гипервалентных конфигураций, пар спеременной валентностью, деформированной структуры и свойств a-S иa-As2S3     

Дембовский С.А., Зюбин А.С., Григорьев Ф.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Проведено квантово-химическое моделирование структуры, параметров стабильности и электронного строения дефектов (деформационных, топологических, связевых) в a-S и a-As2S3. Установлено положение в запрещенной зоне локализованных состояний, соответствующих дефектам, в том числе возбуждаемых светом ...
204.

Фазовые переходы, происходящие в халькогенидных стеклообразных полупроводниках при воздействии на них импульсами электрического поля и лазерного излучения     

Лебедев Э.А., Цэндин К.Д. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Получены и анализируются данные по фазовым переходам из упорядоченного в неупорядоченное состояние, происходящим за времена порядка микросекунд в микронных объемах халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-As-Te. Обсуждается связь структурных превращений, наблюдаемых при импульсном...
205.

Модифицирование электронного спектра и колебательных свойств аморфного углерода примесью меди     

Иванов-Омский В.И., Сморгонская Э.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
В приближении сильно связанных электронов рассчитываются энергетическимй спектр вблизи оптической щели и распределение эффективного заряда в графитоподобных углеродных нанокластерах простых конфигураций в a-C : H, содержащих атом примеси Cu. В расчете учитывается только взаимодействие pi-электрон...
206.

Рекомбинация ваморфном гидрогенизированном кремнии     

Коугия К.В., Теруков Е.И., Фус В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
На основе исследования нестационарной фотопроводимости в a-Si : H сделан вывод о том, что туннельная рекомбинация неравновесных носителей может играть определяющую роль в интервале температур от самых низких (гелиевых) и вплоть до температур, близких к температуре получения материала. ...
207.

Laser-induced anisotropic absorbtion, reflection and scattering of ligth inchalcogenide glassy semiconductors     

Lyubin V.M., Klebanov M.L. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Anisotropy induced in thin--film and bulk samples of chalcogenide glassy semiconductors by the linearly polarized light of different spectral ranges is studied. Three different ranges of exciting photons energy can be distinguished. 1)Above-band-gap light excitation is studied in film samples, tw...
208.

Synthesis and properties of Ge--Sb--S: NdCl3 glasses     

Frumarova B., Nemec P., Fruman M., Oswald J. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
High purity (GeS2)80-x(Sb2S3)20(NdCl3)x x=0, 0.01, 0.1, 0.5, glasses were prepared and their optical properties determined. The Ge--Sb--S system dissolves up to 0.5 mol.% of NdCl3 and still forms stable glasses. The sturcture of these glasses is formed by interconnected GeS4 tetrahedra and Sb...
209.

On the transport properties of microcrystalline silicon at low temperatures     

Zhou J.-H., Baranovskii S.D., Yamasaki S., Ikuta K., Kondo M., Matsuda A., Tanaka K. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
The dark and photoconductivity along with pulsed electron spin resonance have been measured over a wide temperature range with a high crystallinity hydrogenated microcrystalline silicon (mu c-Si : H) sample. The transport mechanism in mu c-Si : H is discussed based on these measurements. Striking...
210.

Nanoscale mechanism of photo-induced metastability and reversible photodarkening inchalcogenide vitreous semiconductors     

Kolobov A.V., Tanaka K. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
The present paper reviews the results oblained by the authors in the last three years. By applying in-situ (pamp and probe) EXAFS to reversible photostructural changes in chalcogenide vitreous semiconductors we have found an increase in the average coordination number of selenium species in the ...