Исследовались слои пористого кремния с внедренными углеродсодержащими веществами (фуллерены, ультрадисперсный алмаз, углеводы). Обнаружено, что высокотемпературный отжиг таких слоев в атмосфере водорода приводит к сильной трансформации спектров фотолюминесценции. Предполагается, что это является результатом образования кристаллитов карбида кремния кубической модификации и квантово-размерного эффекта в них.
Сресели О.М., Горячев Д.Н., Осипов В.Ю., Беляков Л.В., Вуль С.П., Серенков И.Т., Сахаров В.И., Вуль А.Я. Приготовление иисследование карбидизированного пористого кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 604

Слои аморфного кремния, полученные имплантацией ионов водорода с энергией 24 кэВ в SiO2/Si и Si дозами соответственно 2.7· 1017 и 2.1· 1017 см-3, исследованы методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии с вариацией энергии возбуждающих электронов. Установлено, что при имплантации происходит аморфизация приповерхностного слоя кремния толщиной до 150--200 нм. Имплантация ионов водорода в кремний с пленкой окисла на поверхности приводит к формированию слоя гидрогенизированного кремния, имеющего большую температурную стабильность.
Галахов В.Р., Антонова И.В., Шамин С.Н., Аксенова В.И., Ободников В.И., Гутаковский А.К., По -пов В.П. Рентгеноэмиссионное исследование структуры слоев Si : H, сформированных имплантацией ионов водорода с низкой энергией // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 598

Исследовалась возможность получения регулярного рисунка центров нуклеации макропор в кремнии с помощью ионной имплантации вместо использования обычных V-образных затравочных ямок. Показано, что избирательное радиационное повреждение или локальное изменение типа проводимости достаточны для зарождения макропор в одних участках и пассивации других. Полученные результаты могут быть полезны для практического применения и для лучшего понимания процесса порообразования вкремнии.
Астрова Е.В., Васюнькина Т.Н. Формирование центров нуклеации макропор вкремнии спомощью ионной имплантации // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 593

Исследованы структурные характеристики и спектры комбинационного рассеяния света слоев пористого кремния. Показано, что эффект усиления интенсивности сигнала рамановского рассеяния от пористого кремния по сравнению с интенсивностью сигнала от подложки связан с присутствием в образцах пор микронных размеров. Предложена модель, позволяющая объяснить это усиление и форму сигнала, в том числе совпадение сигнала от пористого слоя по форме и положению с линией от кремниевой подложки.
Булах Б.М., Джумаев Б.Р., Корсунская Н.Е., Литвин О.С., Торчинская Т.В., Хоменкова Л.Ю., Юхимчук В.А. Взаимосвязь морфологии пористого кремния сособенностями спектров комбинационного рассеяния света // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 587

Изучено влияние адсорбции полярных молекул сероводорода, ацетона на вольт-амперные характеристики и временные зависимости тока структур на основе окисленного пористого кремния типа <Pd-ПКО-p+-Si-Al>. Получены структуры двух видов: с барьером Шоттки и с токами, ограниченными пространственным зарядом. Обнаружено наличие положительного объемного заряда у палладиевого электрода, который определяет вольт-амперные характеристики в области V
Биленко Д.И., Белобровая О.Я., Жаркова Э.А., Мысенко И.Б., Хасина Е.И. Влияние адсорбции наэлектрофизические свойства структур наоснове окисленного пористого кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 490

Проведено исследование переноса носителей заряда вслоях пористого кремния методом измерения времени пролета врежиме сильной инжекции винтервале температур T=290-350 K и напряженности электрического поля F=(1.5-1.7)· 104 В/см. Получено, что значения дейфовых подвижностей электронов и дырок составляют mue~2· 10-3 см2/В· с и muh~ 6· 10-4 см2/В· с при T=292 K и F=4· 104 В/см. Установлена экспоненциальная зависимость дрейфовой подвижности от температуры сэнергией активации ~ 0.38 и ~ 0.41 эВ для электронов и дырок соответственно. Показано, что характер зависимостей от времени фототока, соответствующего дрейфу носителей заряда, и сверхлинейная зависимость времени пролета от величины, обратной приложенному кобразцу напряжению, позволяют использовать представления отоке, ограниченном пространственным зарядом, вусловиях аномального дисперсионного переноса. Экспериментальные данные объяснены вмодели переноса, контролируемого захватом носителей на локализованные состояния, распределение которых по энергии вблизи краев зоны проводимости и валентной зоны описывается экспоненциальным законом схарактеристической энергией~0.03 эВ.
Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Смирнова Н.Н. Перенос носителей заряда впористом кремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 355

Исследования в растровом электронном микроскопе показали, что стравливание слоя пористого кремния в растворе HF происходит неравномерно. Припостепенном стравливании пористого кремния величина фотолюминесценции пористого кремния существенно уменьшается, а ее максимум сдвигается сначала в коротковолновую, а затем в длинноволновую область. Измерения фотоэдс на импульсах красного света показали, что граничный потенциал varphis подложки p-Si положителен и значения varphis возрастают при стравливании слоя пористого кремния, а также при понижении температуры от300 до200 K. ПриT
Венгер Е.Ф., Горбач Т.Я., Кириллова С.И., Примаченко В.Е., Чернобай В.А. Изменение свойств системы &lt;пористыйSi&gt; / Si припостепенном стравливании слоя пористогоSi // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 349

Выполнено сравнительное исследование фотолюминесценции пористого кремния с различной морфологией наноструктур и пластин кристаллического кремния, на которых они были сформированы. Установлено, что интенсивность фотолюминесценции мезопористого кремния зависит квадратично от интенсивности возбуждающего излучения, тогда как для нанопористого кремния наблюдается линейная зависимость от интенсивности возбуждения. Предложена модель рекомбинационных процессов в системах полупроводниковых нанокристаллов. Полученные экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с выводами модели.
Лисаченко М.Г., Константинов Е.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Особенности рекомбинации неравновесных носителей заряда вобразцах пористого кремния сразличной морфологией наноструктур // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 344

С использованием бесконтактного метода микроволновой фотопроводимости исследованы процессы релаксации фотовозбужденных носителей заряда в нанокристаллическом пористом оксиде титана. Показано, что с уменьшением размера нанокристаллов наблюдается уменьшение амплитуды и изменение времен релаксации микроволновой фотопроводимости, что объясняется локализацией носителей заряда вследствие эффекта диэлектрического ограничения (confinement). Захват дырок ловушками на поверхности нанокристаллов TiO2 приводит к увеличению амплитуды и удлинению времен релаксации микроволновой фотопроводимости.
Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Кытин В.Г., Гайворонский В.Я., Porteanu H., Dittrich Th., Koch F. Микроволновая фотопроводимость внанокристаллическом пористом оксиде титана приимпульсном лазерном возбуждении // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 338

Исследовано влияние термообработки в вакууме на структуру и свойства пленок аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H), полученных методом циклического осаждения с использованием промежуточного отжига в водородной плазме. Пленки a-Si : H, осажденные в оптимальных режимах, характеризовались наличием неоднородно распределенной по толщине нанокристаллической фазы, объемная доля которой не превышала1%, и обладали оптической шириной запрещенной зоны Eg=1.85 эВ, энергией активации Ea=0.91 эВ и высокой фоточувствительностью (sigmaph/sigmad~107 при освещенности 100 мВт/см2 в видимой области спектра). Исследования методом просвечивающей электронной микроскопии показали, что термообработка в вакууме приводит в размытию первоначальной слоистой структуры пленок a-Si : H и незначительному росту нанокристаллических включений в матрице аморфной фазы. После термообработки при температуре выше 350oC наблюдаются резкое увеличение темновой проводимости и, как результат, уменьшение фоточувствительности пленок a-Si : H.
Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Неведомский В.Н., Сазанов А.П., Ситникова А.А., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И. Влияние термообработки наструктуру исвойства пленок a-Si : H, полученных методом циклического осаждения // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 238