Выпрямляющие гетеропереходы с фоточувствительностью 1--5 В/Вт при T=300 K получены образованием оптических контактов свободного пористого кремния со слоистыми полупроводниками InSe и GaSe. Широкополосный фотовольтаический эффект получен при освещении этих гетеропереходов со стороны пластины свободного пористого кремния. Длинноволновый край фоточувствительности этих устройств определяется прямыми переходами в InSe или GaSe соответственно. Сделано заключение, что гетеропереходы на основе пластин свободного пористого кремния могут применяться как широкополосные фотопреобразователи.
Лебедев А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительность гетероструктур пористый кремний--слоистые полупроводники A IIIB VI // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 353

Методами трансмиссионной электронной микроскопии и электронографии исследовано изменение структуры имплантированных ионами инертных газов и химически активной примеси аморфных пленок Si. Показано, что пленки Si, облученные ионами Ar+ и P+ с дозами выше 7· 1015 см-2 не кристаллизуются вплоть до температуры 680oC, что связано с радиационным образованием термостабильных вакансионных комплексов. Установлено, что кристаллизация пленок Si после внедрения меньших доз ионов P+ приводит к ускорению роста зерен в них по сравнению с необлученными пленками. Обсуждается модель механизма влияния ионного облучения на кристаллизацию пленок Si.
Бахтина Н.В., Машин А.И., Павлов А.П., Питиримова Е.А. Влияние ионного облучения пленок аморфного кремния наихкристаллизацию // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 349

Проведены исследования фотопроводимости и плотности дефектов в пленках нелегированного a-Si : H под воздействием света (W=114 мВт / см2, lambdabeta или gamma~=beta в зависимости от положения уровня Ферми до засветки, т. е. в зависимости от зарядового состояния дефектов: D- и D0 или D+ и D0. Показано также, что на индуцированную светом кинетику sigmaph влияет переход дефектов в состояние D0 за счет соответствующего сдвига уровня Ферми при засветке.
Голикова О.А. Влияние зарядового состояния дефектов наиндуцированную светом кинетику фотопроводимости аморфного гидрированного кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 345

Исследована температурная зависимость электропроводности легированныхB иP пленок a-Si :H до и после gamma-облучения от источника 60Co. Доза облучения составляла 1017-1018 фот/см2. Обнаружено существенное различие в поведении пленок n- и p-типа. Электропроводность пленок p-типа слабо (в2--3раза) увеличивается, а электропроводность пленок n-типа резко (на2--3порядка) уменьшается. Наблюдаемое различие объясняется разным характером перераспределения зарядов на оборванных кремниевых связях D+ иD- под влиянием gamma-облучения. Сопоставление полученных результатов с литературными данными позволяет сделать заключение об индуцировании gamma-квантами метастабильных состояний a-Si : H, которые обусловлены движением связанного водорода.
Аблова М.С., Куликов Г.С., Першеев С.К. Гамма-индуцированные метастабильные состояния легированного аморфного гидрированного кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 245

Лазеры, излучающие в спектральном диапазоне 2.7--3.0мкм, созданы методом жидкофазной эпитаксии на основе InAsSbP-двойных гетероструктур с разным содержанием фосфора в активной и широкозонных областях. Лазеры имеют при 77K пороговую плотность тока ~0.8кА/см2 и работают в импульсном режиме до ~124K с предельной пороговой плотностью тока 10--12кА/см2. Лазеры имеют низкое последовательное сопротивление ~0.45Ом.
Данилова Т.Н., Данилова А.П., Ершов О.Г., Именков А.Н., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7--3.0мкм (T=77K) // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 241

Впервые получены свободные пленки пористого GaP и исследована их микроструктура методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и комбинационного рассеяния света (КРС). Результаты ПЭМ показали, что микроструктура пленок пористого GaP имеет сложное пространственное строение, но при этом локальная кристаллографическая ориентация сохраняется и соответствует исходной подложке. В спектре КРС обнаружены эффекты сужения полуширины пика LO-колебаний с одновременным сдвигом в низкочастотную область, которые могут быть удовлетворительно объяснены изменением плазмон-фононного взаимодействия в результате уменьшения концентрации носителей. Обнаружен также сдвиг частоты поверхностных колебаний пористого GaP в зависимости от локальных условий формирования пор. Показано, что принципиально возможно получить пористые слои без заметного покрытия поверхности пор окислами или другими продуктами электрохимической реакции.
Заварицкая Т.Н., Караванский В.А., Квит А.В., Мельник Н.Н. Исследования структуры пористого фосфида галлия // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 235

Исследованы оптические модуляционные спектры и фотопроводимость ряда пленок a-Si : H, содержащих 5--6 ат% водорода и отличающихся по величине микроструктурного параметра (R=0.2-0.8). Получена информация о плотности дефектов в пленках, размытии краев зон, величине щели, а также о величине произведения подвижности на время жизни электронов. Показано осущественное влияние микроструктуры на оптоэлектронные параметры пленок с низким содержанием водорода.
Adriaenssens G.J., Голикова О.А., Grevendonk W. Оптоэлектронные параметры пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных при высоких температурах, в зависимости отихмикроструктуры // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 121

Исследована релаксация темновой проводимости пленок a-Si : H, легированных бором, после их освещения в интервале температур 360-470 K. Показано, что выбор условий освещения пленок (времени освещения и температуры) позволяет на основании изучения релаксации проводимости независимо исследовать релаксацию концентрации созданных светом метастабильных дефектов типа оборванных связей и релаксацию концентрации метастабильных состояний, связанных с примесными атомами. Как в первом, так и во втором случае релаксация происходит по закону растянутой экспоненты. Определены основные параметры, характеризующие релаксацию, и их температурные зависимости. Полученные результаты интерпретируются в рамках модели распределения энергий отжига, созданных светом метастабильных состояний.
Казанский А.Г., Ларина Э.В. Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si : H p-типа, легированного бором // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 117

Обнаружено, что при температурах T>120oC кинетика изменения темновой проводимости (sigmad) нелегированных и легированных бором пленок a-Si : H во время и после освещения немонотонна: имеются быстрый и медленный процессы изменения sigmad разного знака. Изменением длительности и интенсивности освещения или температуры пленки можно выделить быстрый или медленный процессы релаксации sigmad, которые описываются растянутой экспонентой. Немонотонная релаксация sigmad описывается суммой двух растянутых экспонент, параметры которых tau,beta зависят от характеристик пленки, а также от температуры, времени и интенсивности освещения. Обсуждается природа немонотонной релаксации.
Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н., Сенашенко Д.В. Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si : H приповышенных температурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1455

Проведено исследование кинетики структурной релаксации в аморфном гидрогенизированном кремнии a-Si : H, осажденном различными методами, с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии. Полученные экспериментальные результаты были использованы для анализа природы метастабильных состояний в a-Si : H и исследования связи между структурной релаксацией и светоиндуцированной метастабильностью (эффект Стеблера--Вронского).
Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А. Метастабильность и релаксационные процессы ваморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1449