Предложена модель, описывающая перенос и инжекцию носителей в гетерофазной системе <кремниевая подложка>/<кремниевые нанокристаллиты>/<электролит> при возбуждении электролюминесценции. Основная часть тока проходит из электролита непосредственно в подложку, минуя нанокристаллиты. Электрохимические процессы на границе подложки и электролита порождают электроактивные частицы, инжектирующие один или оба вида носителей соответственно в макро- и нанокристаллиты. При биполярной инжекции нанокристаллиты играют роль катализатора в экзотермических реакциях обмена зарядами между электроактивными частицами, несущими противоположные заряды. При этом частицы передают нанокристаллитам энергию, накопленную ими при их образовании. Часть этой энергии освобождается путем радиационной рекомбинации. Возникает эффективная видимая электролюминесценция, слабо зависящая от степени легирования и типа проводимости исходного кремния.
Горячев Д.Н., Полисский Г., Сресели О.М. Механизмы переноса и инжекции носителей в пористый кремний приего электролюминесценции в электролитах // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 227

Приводятся экспериментальные результаты исследования методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии поверхности пленок аморфного гидрированного углерода, легированного медью. Результаты свидетельствуют о проявлении эффекта пространственной упорядоченности наноструктур в тонких пленках на основе углерода и меди. Измерены геометрические параметры наноструктур. В рамках модели Симмонса проведена оценка величины работы выхода (varphi~0.05 эВ). Обнаружены осцилляции дифференциальной проводимости с периодом по напряжению Delta V=200/400 мВ в туннельных контактах Ir--пленка. Обсуждается природа наблюдаемых осцилляций.
Голубок А.О., Горбенко О.М., Звонарева Т.К., Масалов С.А., Розанов В.В., Ястребов С.Г., Иванов-Омский В.И. Сканирующая туннельная микроскопия пленок аморфного углерода, модифицированного медью // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 223

Анализируется эффект сверхбыстрого низкотемпературного легирования халькогенидных стеклообразных пленок (As--Se, Ge--Se идр.) рядом металлов (Cu, Ag, Au, Cr идр.), обнаруженный ранее в гетероструктурах металл/<халькогенидная стеклообразная пленка> при 250/350 K.
Коржуев М.А. Эффект сверхбыстрого низкотемпературного легирования стеклообразных пленок As--Se медью, серебром, золотом, хромом (эффектХана) // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 219

Рассматриваются особенности роста пленок a-C : H и a-C : H<Cu>, полученных магнетронным сораспылением графитовой и медной мишеней в аргоно-водородной атмосфере. Пленки исследованы методами инфракрасной спектроскопии, сканирующей электронной микроскопии и эллипсометрии. Показано, что введение меди в аморфный гидрогенизированный углерод не приводит к заметному изменению углерод-водородных связей в матрице. В пленках a-C : H<Cu> толщиной ~ 2 мкм обнаружен прилегающий к подложке тонкий однородный слой (~1000 Angstrem), который сменяется текстурой, ориентированной от подложки к поверхности. Проведен анализ результатов эллипсометрических измерений в рамках двуслойной модели пленки.
Звонарева Т.К., Иванов-Омский В.И., Нащекин А.В., Шаронова Л.В. Особенности роста пленок a-C : H и a-C : H&lt;Cu&gt; при магнетронном распылении // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 96

Показано, что минимальная мощность импульсов электрического поля, вызывающая фазовый переход кристалл--стекло в микронных пленках халькогенидных полупроводников, не зависит от длительности импульсов tau при tau>10 мкс и растет при уменьшении tau для значений tau
Лебедев Э.А., Цэндин К.Д., Казакова Л.П. Фазовый переход кристалл--стекло, происходящий подвоздействием электрического поля вхалькогенидных полупроводниках // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 93

Впервые проведены исследования кинетики спада фотолюминесценции примеси Er в пленках аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H<Er>), полученного двумя методами: сораспылением мишеней Si и Er с применением технологии разложения силана на постоянном токе в магнитном поле (MASD) и высокочастотным разложением силана. Источником Er во втором случае служил полимерный порошок Er(TMHD)3. Показано, что пленки a-Si : H<Er>, полученные методом MASD, имеют характерные времена спада фотолюминесценции Er при комнатной температуре 10/ 15 мкс, т. е. в 20раз меньшие, чем в кристаллическом кремнии, легированном Er, (c-Si<Er,O>) при температурах жидкого азота. Для пленок a-Si : H<Er>, полученных высокочастотным разложением силана, времена спада фотолюминесценции Er составляют 2 мкс. Отличие во временах спада кинетики фотолюминесценции связывается с различным локальным окружением атомов Er в a-Si : H<Er>, полученном разными методами.
Теруков Е.И., Кудоярова В.Х., Коньков О.И., Константинова Е.А., Каменев Б.В., Тимошенко В.Ю. Влияние локального окружения на кинетику спада фотолюминесценции Er в аморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 90

Определено влияние имплантации ионами кремния (с энергией Si+ 30, 60 и 120 кэВ) на темновую проводимость, фотопроводимость, содержание водорода в пленках, величину микроструктурного параметра, а также на особенности ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров пленок a-Si : H, осажденных при Ts=300oC методами dc-MASD и rf-PECVD, отличающихся исходными структурными характеристиками.
Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х., Петров И.Н., Домашевская Э.П., Терехов В.А. Модификации структуры и электрических параметров пленок аморфного гидрированного кремния, имплантированных ионами Si+ // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 86