Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 237, для научной тематики: Стеклообразные и пористые полупроводники

161.

Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si : H< P>     

Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Обсуждается кинетика релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний, обусловливающих повышение темновой проводимости пленок a-Si : H

. Установлено, что релаксация описывается функциями типа растянутой экспоненты с параметрами tau и beta, различно зависящими о...

162.

Классификация электрических свойств пористого кремния     

Зимин С.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
На основе различий в структуре пористого кремния и в процессах формирования в нем областей, обедненных носителями тока, проведена классификация электрических свойств пористого материала. Показано, что пористый кремний может быть поделен на 4группы, каждая из которых обладает своим набором отличит...
163.

Трансформирование неупорядоченной структурной сетки пленок аморфного гидрированного кремния при легировании бором     

Мездрогина М.М., Пацекин А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Исследовано влияние технологических параметров осаждения, чистоты и относительной концентрации диборана, температуры подложки на электрофизические параметры пленок a-Si : H, полученных методом высокочастотного разложения газовой смеси в многоэлектродной системе. Предполагается одновремен...
164.

Механизмы переноса и инжекции носителей в пористый кремний приего электролюминесценции в электролитах     

Горячев Д.Н., Полисский Г., Сресели О.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Предложена модель, описывающая перенос и инжекцию носителей в гетерофазной системе <кремниевая подложка>/<кремниевые нанокристаллиты>/<электролит> при возбуждении электролюминесценции. Основная часть тока проходит из электролита непосредственно в подложку, минуя нанокристаллиты....
165.

Сканирующая туннельная микроскопия пленок аморфного углерода, модифицированного медью     

Голубок А.О., Горбенко О.М., Звонарева Т.К., Масалов С.А., Розанов В.В., Ястребов С.Г., Иванов-Омский В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Приводятся экспериментальные результаты исследования методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии поверхности пленок аморфного гидрированного углерода, легированного медью. Результаты свидетельствуют о проявлении эффекта пространственной упорядоченности наноструктур в тонких пленка...
166.

Эффект сверхбыстрого низкотемпературного легирования стеклообразных пленок As--Se медью, серебром, золотом, хромом (эффектХана)     

Коржуев М.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Анализируется эффект сверхбыстрого низкотемпературного легирования халькогенидных стеклообразных пленок (As--Se, Ge--Se идр.) рядом металлов (Cu, Ag, Au, Cr идр.), обнаруженный ранее в гетероструктурах металл/<халькогенидная стеклообразная пленка> при 250/350 K. ...
167.

Особенности роста пленок a-C : H и a-C : H&lt;Cu&gt; при магнетронном распылении     

Звонарева Т.К., Иванов-Омский В.И., Нащекин А.В., Шаронова Л.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Рассматриваются особенности роста пленок a-C : H и a-C : H, полученных магнетронным сораспылением графитовой и медной мишеней в аргоно-водородной атмосфере. Пленки исследованы методами инфракрасной спектроскопии, сканирующей электронной микроскопии и эллипсометрии. Показано, что введени...
168.

Фазовый переход кристалл--стекло, происходящий подвоздействием электрического поля вхалькогенидных полупроводниках     

Лебедев Э.А., Цэндин К.Д., Казакова Л.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Показано, что минимальная мощность импульсов электрического поля, вызывающая фазовый переход кристалл--стекло в микронных пленках халькогенидных полупроводников, не зависит от длительности импульсов tau при tau>10 мкс и растет при уменьшении tau для значений tau...
169.

Влияние локального окружения на кинетику спада фотолюминесценции Er в аморфном гидрогенизированном кремнии     

Теруков Е.И., Кудоярова В.Х., Коньков О.И., Константинова Е.А., Каменев Б.В., Тимошенко В.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Впервые проведены исследования кинетики спада фотолюминесценции примеси Er в пленках аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H), полученного двумя методами: сораспылением мишеней Si и Er с применением технологии разложения силана на постоянном токе в магнитном поле (MASD) и высок...
170.

Модификации структуры и электрических параметров пленок аморфного гидрированного кремния, имплантированных ионами Si+     

Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х., Петров И.Н., Домашевская Э.П., Терехов В.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Определено влияние имплантации ионами кремния (с энергией Si+ 30, 60 и 120 кэВ) на темновую проводимость, фотопроводимость, содержание водорода в пленках, величину микроструктурного параметра, а также на особенности ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров пленок a-Si : H, осажденных при T...