Обнаружена поляризация и поляризационная память импульсной фотолюминесценции на пористых слоях, полученных на микрокристаллических пленках кубического SiC, осажденных на кремниевые подложки. Пористый слой подвергнут электрохимическому окислению. Предложена качественная модель, поясняющая механизм возникновения поляризации фотолюминесценции при линейно поляризованном возбуждении.
Данишевский А.М., Рогачев А.Ю., Шуман В.Б., Гук Е.Г. Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1387

Исследована фотолюминесценция в видимой и инфракрасной областях спектра пористого GaAs, полученного с помощью электролитического или химического травления GaAs. Полоса инфракрасной люминесценции пористого GaAs сдвинута относительно максимума кристаллического GaAs в длинноволновую область спектра и обладает большей шириной. Все образцы характеризуются широкой полосой излучения в видимой области спектра, интенсивность и форма которой зависят от условий приготовления слоев. В полосе можно выделить 2 максимума--- около 420 и 560 нм. Дано объяснение как видимого свечения, так и модификации инфракрасной полосы пористого GaAs. Из сравнения видимой лиминесценции пористого GaAs с излучением гидратированных оксидов мышьяка и галлия сделан вывод о том, что в видимой области люминесценция пористого GaAs, в особенности полученного химическим травлением, в значительной мере определяется присутствием оксидов. Высказаны соображения о путях получения квантово-размерных образований на поверхности GaAs.
Горячев Д.Н., Сресели О.М. Фотолюминесценция пористого арсенида галлия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1383

Приводятся результаты исследования слоев пористого кремния (ПК), полученного электрохимическим травлением Si p-типа проводимости в условиях различного освещения: естественного, с помощью лампы накаливания и излучения ртутной лампы с фильтром и без фильтра. Структура слоев изучалась методом рентгеновской двухкристальной дифрактометрии, состав контролировался с помощью спектров ИК поглощения, излучательные свойства--- по спектрам фотолюминесценции (ФЛ). Установлено, что электрохимическое травление при подсветке приводит к получению ПК с более высокой пористостью и с более яркой ФЛ, максимум которой сдвинут в коротковолновую область. Эти изменения сопровождаются большим разупорядочением структуры и возрастанием содержания кислорода в слое. Делается вывод о том, что подсветка ускоряет реакцию химического взаимодействия ПК с электролитом за счет окисления. При хранении на воздухе в ПК с высокой пористостью происходит тушение ФЛ, в слоях с более низкой пористостью, наоборот,--- возгорание. Старение ПК характеризуется ростом микродеформации слоев, уменьшением размеров кристаллитов с частичной потерей ими когерентности с подложкой и увеличением доли аморфной фазы.
Астрова Е.В., Ратников В.В., Витман Р.Ф., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В. Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1261

По времени пролета инжектированных носителей заряда сквозь пленки поликристаллического алмаза или алмазоподобного углерода определена подвижность неравновесных носителей порядка 10-3 и 3·10-8 см2/В·с соответственно. В поликристаллическом алмазе неравновесная подвижность дырок на 3порядка величины ниже равновесной подвижности (0.1/1 см2/В·с), найденной из электропроводности пленок на постоянном токе, что можно объяснить влиянием на перенос неравновесных носителей процессов захвата их ловушками.
Плесков Ю.В., Тамеев А.Р., Варнин В.П., Теремецкая И.Г., Баранов А.М. Сравнение подвижности равновесных и неравновесных носителей заряда впленках поликристаллического синтетического алмаза иаморфного алмазоподобного углерода // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1142

Исследованы спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пленок пористого кремния исходной пористости 50--60%, приготовленных на монокристаллах кремния p-типа проводимости и подвергнутых анодному окислению и химическому травлению. Установлено, что присутствующая в травленном пористом кремнии аморфная фаза не проявляется в спектрах фотовозбуждения, но оказывает влияние на спектр фотолюминесценции пористого кремния. Показано, что особенности спектров фотовозбуждения до и после травления, а также эволюция спектров фотолюминесценции и фотовозбуждения после травления могут быть интерпретированы в рамках модели равномерного квантования, в которой учитываются упругие напряжения в кремниевых кристаллах пористого кремния.
Филиппов В.В., Бондаренко В.П., Першукевич П.П. Спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пористого кремния, подвергнутого анодному окислению и травлению // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1135

Эллипсометрическим методом исследован процесс образования мелкопористого слоя, насыщенного атомами инертного газа, в кристаллической решетке кремния, легированного большими дозами криптона, а затем облученного наносекундными лазерными импульсами. Изучено изменение комплексного показателя преломления в этом слое под действием лазерных импульсов разной мощности. С помощью сканирующего силового микроскопа прослежена трансформация пор в зависимости от плотности энергии лазерного отжига и оценены их размеры.
Галяутдинов М.Ф., Курбатова Н.В., Буйнова Э.Ю., Штырков Е.И., Бухараев А.А. Исследование пористого кремния, полученного имплантацией ионов криптона и лазерным отжигом // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1130

Исследовано влияние радиационного воздействия ионов Ar+ с энергией 300кэВ и дозами 5· 1014/ 1· 1016 см-2 на свойства пористого кремния, полученного электрохимическим способом. На основе данных рамановского рассеяния света и фотолюминесценции показано, что радиационная стойкость слоев пористого кремния существенно выше, чем для монокристаллического кремния.
Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. Радиационная стойкость пористого кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1126