Исследуется эволюция спектров фотолюминесценции свременным разрешением впленках нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением илегированных золотом. При наносекундных временах релаксации фотолюминесценции спектры--- широкие, лежат вдиапазоне энергий 1.4-3.2 эВ смаксимумом при 2.4-2.8 эВ. При максимальных временах вдесятки микросекунд спектры становятся более узкими смаксимумом при1.6 эВ. При промежуточных значениях времен наблюдаются две полосы: низкоэнергетическая (1.6 эВ) ивысокоэнергетическая, максимум последней смещается со временем от2.7 до2.1 эВ. Результаты объяснены сучетом квантово-размерного эффекта, эффекта диэлектрического усиления ипроявлением кинетически связанных электронно-дырочной иэкситонной подсистем. Ионы иатомы золота пассивируют оборванные связи кремния на поверхности нанокристаллов Si иявляются катализаторами их окисления. Рассматривается общность рекомбинационных процессов, ответственных за видимую фотолюминесценцию вокисленных слоях пористого кремния иисследуемых пленках, легированных золотом.
Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Базылюк И.Р., Свечников С.В. Спектры фотолюминесценции нанокристаллов кремния // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 353

Исследовано влияние термического отжига винтервале температур Ta=300-600oC пленок микрокристаллического гидрированного кремния (mu c-Si : H), слабо легированного бором, на спектральные зависимости коэффициента поглощения(alpha) вобласти энергий фотонов hnu=0.8-2.0 эВ, темновую проводимость(sigmad) и фотопроводимость(Deltasigmaph). Измерения проводились при комнатной температуре. Сувеличением температуры отжига наблюдалось немонотонное изменениеalpha в области энергий hnu
Казанский А.Г., Мелл Х., Форш П.А. Влияние термического отжига наоптические и фотоэлектрические свойства пленок микрокристаллического гидрированного кремния // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 235

Приведены сравнительные исследования влияния термического отжига (при 400oC) в вакууме и в атмосфере азота с примесью кислорода на оптические свойства и спектры комбинационного рассеяния углеродных пленок. Обнаружены их аномальные изменения при отжиге в атмосфере азота: коэффициент поглощения пленок в видимой области спектра уменьшается приблизительно на 2 порядка, а в спектрах комбинационного рассеяния исчезает характерная полоса от графеновых нанокластеров и появляются несколько новых--- узкие полосы на частотах 928, 968 и 2324 см-1 и широкая полоса в области 2200--2400 см-1. Установлено, что эти изменения носят обратимый характер. Полученные результаты свидетельствуют о формировании нового типа углерод-азотных нанокластеров при определенных условиях термоотжига углеродных пленок.
Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Курбатова Н.В., Хайбуллин И.Б., Степанов А.Л. Синтез новых углерод-азотных нанокластеров притермическом отжиге ватмосфере азота алмазоподобных пленок углерода // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 230

Оптическими методами исследовано взаимодействие фуллерена C60 споли(2.6-диметил)-фениленоксидом (ПФО) впленках. Показано наличие двух состояний электронной структуры C60 вэтих пленках, при этом энергетическое состояние связанного сПФО C60 не зависит от его концентрации. Сопоставление спектров фотолюминесценции для систем ПФО-C60 иполистирол--C60 позволяет утверждать, что взаимодействие между компонентами систем осуществляется за счет pi-электронов фуллерена ибензольных колец полимеров. Предполагается, что C60 вполимерах существует вдвух состояниях, различающихся электронной структурой: молекулярно-диспергированном (ввиде комплекса сполимером) иввиде кристаллов (агрегатов) фуллерена.
Бирюлин Ю.Ф., Меленевская Е.Ю., Миков С.Н., Орлов С.Е., Петриков В.Д., Сыкманов Д.А., Згонник В.Н. Оптические свойства фуллеренсодержащих свободных пленок полидиметилфениленоксида // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 110

Методом модуляционной спектроскопии электроотражения исследовались образцы пористого кремния. Показано наличие мини-зон, ответственных за существование фотолюминесцентных полос (красная, зеленая и голубая). Установлено исчезновение мини-зоны, отвечающей за полосу вголубой области спектра, при обработке поверхности пористого кремния вH+-плазме. Пассивация поверхности водородом также приводит крелаксации механических напряжений, как впористой пленке, так и вкремниевой подложке. Установлена природа электронных состояний взапрещенной зоне кремниевых нанокристаллитов.
Венгер Е.Ф., Голиней Р.Ю., Матвеева Л.А., Васин А.В. Влияние водородной плазмы на спектр электроотражения испектр электронных состояний пористого кремния // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 104

С использованием методов гравиметрии, инфракрасной спектроскопии, многоугловой эллипсометрии имикроскопии атомных сил проведено исследование термостимулированной трансформации структуры кремний-кислородной фазы вслоях SiOx, приводящей кобразованию нановключений кремния. Показано, что вакуумная термообработка приводит кувеличению концентрации кислородных мостиков вструктурной сетке окисла, окисел уплотняется, сглаживается рельеф его поверхности. Выделение фаз кремния идиоксида кремния происходит врезультате процесса перехода кислорода от слабо окисленных молекулярных кластеров (SiOSi3) ксильно окисленным (SiO3Si). Анализ эллипсометрических данных врамках модели эффективной среды позволил оценить доли выделившихся фаз кремния идиоксида кремния.
Лисовский И.П., Индутный И.З., Гненный Б.Н., Литвин П.М., Мазунов Д.О., Оберемок А.С., Сопинский Н.В., Шепелявый П.Е. Фазово-структурные превращения впленках SiOx впроцессе вакуумных термообработок // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 98

Мультиэнергетичная (3-24 кэВ) имплантация водорода (винтервале доз 5· 1016-3· 1017 см-2) в пластины p-Si была использована для создания гидрированных слоевSi : H. Показано, что в результате имплантации формируются гетероструктуры Si : H/p-Si. После имплантации протекание тока через структуры контролируется механизмом Пула--Френкеля с энергией доминирующего эмиссионного центра Ec-0.89 эВ. Максимальной фоточувствительностью обладают структуры, облученные дозой водорода 3.2· 1017 см-2 и отожженные в диапазоне температур250-300o C. Ширина запрещенной зоны слоя Si : H составляет Eg~ 2.4 эВ, значение диэлектрической проницаемости varepsilon~ 3.2. Плотность состояний вблизи уровня Ферми (1-2)· 1017 см-3 эВ-1.
Наумова О.В., Антонова И.В., Попов В.П., Стась В.Ф. Электрофизические свойства структур Si : H/p-Si, полученных имплантацией водорода // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 93

На основе рассмотрения электронных процессов, сопровождающих фотовозбуждение зона--зона, установлена связь между концентрацией наведенных спинов и концентрацией врожденных U--центров.
Гинзбург Л.П. Влияние заряженных дефектов наобнаружение электронного парамагнитного резонанса встеклообразных халькогенидных полупроводниках // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 83

На основе проведенных вшироком интервале напряженностей электрического поля (1-10)· 105 В·см-1 итемператур (77-350 K) исследований квантового выхода идрейфовой подвижности носителей заряда вфуллеренсодержащих тонких пленках сенсибилизированных красителем полиимидов предложен механизм взаимодействия молекул фуллерена сароматическими фрагментами полиимидов ианионами красителя. Установлено, что фуллерен, являющийся эффективным сенсибилизатором фотоэффекта вароматических трифениламинсодержащих полиимидах, снижает более чем на порядок светочувствительность иподвижность носителей заряда вполиимиде, сенсибилизированном красителем, восстанавливая их до величин, характерных для несенсибилизированного полиимида
Александрова Е.Л. Влияние фуллерена на фотогенерацию иперенос носителей заряда втрифениламинсодержащих полиимидах // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1384

Проведено сравнительное исследование переходного тока, ограниченного пространственным зарядом, в пористом кремнии и пористом анатазе(TiO2). Определенные из времени пролета значения дрейфовой подвижности электронов при комнатной температуре в пористом кремнии и пористом анатазе составляют10-2 и5·10-6 см2/В · с соответственно. Обсуждаются особенности токов, ограниченных пространственным зарядом, в пористом анатазе.
Лебедев Э.А., Диттрих Т. Ток, ограниченный пространственным зарядом, впористом кремнии ианатазе(TiO2) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1268