Исследованы температурные зависимости проводимости, фотопроводимости и подвижности дырок в мелкозернистых поликристаллах CdTe. Результаты хорошо согласуются с представлениями о заряженных межзеренных границах. Определены величины межзеренных потенциальных барьеров и характер их влияния на подвижности свободных носителей зарядов.
Колосов С.А., Клевков Ю.В., Плотников А.Ф. Электрические свойства мелкозернистых поликристалловCdTe // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 473

The diffusion of chromium bottom contact has been studied through thin10 nm amorphous silicon film. The concentration of the diffused impurity has been analysed by an X-ray photon spectroscopy technique and the diffusion coefficient was estimated. Diffusion annealing was carried out in vacuum (10-6 mTorr), the temperature was kept at400oC and annealing time varied from 0-300 min. The authors propose that diffusion of chromium in thin hydrogenated amorphous film limited by silicide formation at the metal-silicon interface.
Persheyev S.K., Drapacz P.R., Rose M.J., Fitzgerald A.G. Diffusion of Chromium in Thin Hydrogenated Amorphous Silicon Films // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 358

Исследовалось взаимодействие матрицы кремниевых нанокристаллитов (слой пористого кремния) с внедренными молекулами фуллерена C60. Изучалась деградация фуллеренсодержащих слоев под действием сильно поглощаемого лазерного света. Показано, что слои демонстрируют максимальную стабильность после высокотемпературного отжига в атмосфере водорода. Вэтом случае спектры фотолюминесценции практически не меняются при хранении на воздухе и под интенсивным лазерным облучением. Обсуждаются возможные механизмы исследованных явлений.
Сресели О.М., Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Вуль С.П., Захарова И.Б., Алексеева Е.А. Влияние фуллерена на фотолюминесценцию пористого кремния // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 124

Изучено влияние легирования золотом на фотолюминесцентные свойства и электронные состояния структур <пористый кремний>/<монокристаллический кремний> (por-Si/c-Si), полученных химическим окрашивающим травлением. Измерены спектры фотолюминесценции с временным разрешением и температурные зависимости конденсаторной фотоэдс. Показано, что введение золота из растворов его соли в сформированный por-Si несколько уменьшает интенсивность фотолюминесценции и изменяет ее спектральное распределение, но более существенно изменяет параметры электронных состояний por-Si и границы раздела por-Si/c-Si, что проявляется при исследовании фотоэдс.
Венгер Е.Ф., Кириллова С.И., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г., Примаченко В.Е. Влияние примеси золота нафотолюминесценцию и фотоэдс пористого кремния // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 117

Подробно исследованы зависимости от дозы концентрации парамагнитных центров с g=2.0055 при облучении кремния ионамиGe+, Ar+ иNe+. Показано, что во всех случаях зависимости характеризуются (ранее не замеченным) наличием максимумов при дозах, соответствующих переходу к полной аморфизации. Эта особенность объяснена на основе модели, предполагающей дополнительный вклад в электронный парамагнитный резонанс от оборванных связей, расположенных на границе раздела нанокристаллов с аморфной матрицей.
Тетельбаум Д.И., Ежевский А.А., Михайлов А.Н. Экстремальная дозовая зависимость концентрации парамагнитных центров, обусловленных оборванными связями вSi, приионном облучении, как свидетельство наноструктурирования // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1380

Проведено исследование переходного фототока сиспользованием время-пролетной методики вобразцах пористого кремния, подвергнутых длительному хранению навоздухе, винтервале температур 300-350 K инапряженности электрического поля104-105 В/см. Натех же образцах была исследована фотолюминесценция при использовании техники спектроскопии свременным разрешением при T=300 K. Наосновании сопоставления полученных данных сделан вывод осущественной роли локализованных состояний вобоих процессах при характерных временах этих процессов вмикросекундном диапазоне.
Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Пирятинский Ю.П., Смирнова Н.Н. Переходный фототок ифотолюминесценция впористом кремнии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1244

Методами спектральной эллипсометрии (винтервале энергий фотонов1--5 эВ) измерены поляризационные углы для пленок аморфного гидрогенизированного углерода, полученного магнетронным распылением графита ватмосфере аргоно-водородной плазмы. Восстановлена дисперсия мнимой идействительной частей диэлектрической функции. Показано, что висследуемой области частот полученные данные совместимы сформализмом Крамерса--Кронига. Использование правила сумм позволило сделать вывод онеоднородном распределении плотности состояний поэнергиям ивыявить характерные пороговые энергии в спектре эффективной плотности состояний--- 2 и3.8 эВ. Показана возможность описания энергетического спектра электронов спомощью гауссианов. Распределение состояний поэнергиям связывается свкладом sigma- иpi-состояний.
Ястребов С.Г., Гаррига М., Алонсо М.И., Иванов-Омский В.И. Спектральная эллипсометрия аморфного гидрогенизированного углерода, выращенного при магнетронном распылении графита // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1241

Изучалось влияние кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия при lambda=1.54 мкм в пленках a-SiOx : H< Er>, полученных методом магнетронного напыления. Концентрация кислорода в газовой фазе плазмы изменялась в диапазоне 0.1-12 мол% при неизменности других параметров процесса напыления. Анализ системы a-Si : H-Er-O показал, что реально область гомогенности аморфной матрицы a-SiOx : H< Er> носит ретроградный характер (T=const). Область гомогенности условно можно разбить на две части, каждая из которых должна содержать один из двух разнозаряженных [Er-O]n-- и [Er-O-Si-O]m--кластеров (m>n). Это обстоятельство подтверждается экспериментом: вобласти концентрации кислорода в плазме 5.5-8 мол%, в последней, вероятно, непосредственно перед растущей поверхностью пленки происходят \glqq необычные\grqq ассоциативные процессы, обусловленные появлением в плазме и в пленке [Er-O-Si-O]m--кластеров. Именно им приписывается эффект увеличения фотолюминесценции эрбия при росте концентрации кислорода более5.5 мол%.
Ундалов Ю.К., Теруков Е.И., Гусев О.Б., Кудоярова В.Х. Изучение влияния кислорода наинтенсивность фотолюминесценции эрбия впленках a-SiOx : H&lt; Er&gt;, полученных магнетронным способом // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 853

Разработан новый метод модификации полимеров сбоковыми карбоксильными группами глицидиловыми эфирами гидроксилсодержащих азобензольных красителей. Исследованы спектральные, термомеханические исветочувствительные свойства модифицированных красителем полиамидоимидов сразличной степенью загруженности. Показано, что пленки этих полимеров практически прозрачны в области длин волн выше500 нм иобладают достаточно высокой подвижностью боковых хромофорных групп, что обусловливает их перспективность для нелинейно-оптических сред. Кроме того, эти полимеры обладают светочувствительностью(103-104 см2/Дж), которая существенно повышается при легировании молекулами дифениламида, осуществляющими транспорт носителей заряда.
Александрова Е.Л., Гойхман М.Я., Субботина Л.И., Ромашкова К.А., Гофман И.Ф., Кудрявцев В.В., Якиманский А.В. Оптические и светочувствительные свойства гребнеобразных полиамидоимидов // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 849

Осуществлен синтез новых металл-полимерных комплексов на основе полимера с бихинолиловыми звеньями в основной цепи и Ru(bPy)2Cl2 и исследованы их спектральные и деформационно-прочностные характеристики. Изучены светочувствительные свойства указанных металл-полимерных комплексов в диапазоне температур 20-150oC. Показано, что светочувствительность синтезированных полимеров составляет2· 104 см2/Дж, квантовый выход фотогенерации носителей зарядаeta=0.025.
Александрова Е.Л., Гойхман М.Я., Подешво И.В., Гофман И.В., Кудрявцев В.В. Светочувствительные свойства новых фотопроводящих полимеров на основе бихинолиловых комплексов рутения // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 846