На основе анализа спектральных и температурных зависимостей нестационарной фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии предложен метод определения спектральной зависимости коэффициента оптического поглощения и рассчитано распределение по энергии локализованных состояний, на которых происходит рекомбинация неравновесных дырок.
Коугия К.В., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Распределение по энергии локализованных состояний в аморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 81

Проведено изучение влияния кратковременного отжига при температурах 450/550oC на проводимость пористого кремния, закрытого пленкой металла. Пористый кремний сформирован на подложкахp- иn-типа проводимости и имел пористость 16/40% и5/10% соответственно. Показано, что при отжиге при температурах 500 и550oC пористый кремний на p-Si переходит в высокопроводящее состояние. Описано явление релаксации проводимости в закрытых слоях пористого кремния на p-Si после термообработки. Проведен анализ полученных результатов с точки зрения модели пассивации примесных атомов водородом. Показано, что переход алюминий--<пористый кремний> после отжига обладает выпрямляющим действием. Определены параметры потенциального барьера для контактов Al--<пористый кремний> на подложкахp- иn-типа.
Зимин С.П., Брагин А.Н. Релаксация проводимости в закрытом пористом кремнии после термообработки // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 476

Пленки аморфного гидрогенизированного углерода (a-C : H) были приготовлены методом химического осаждения паров с использованием тлеющего разряда на постоянном токе. Проанализированы зависимости коэффициента поглощения в интервале длин волн 400/ 2400 нм. Выделены две гауссовоподобные полосы с максимумами ~600 и ~800 нм. Показано, что отношение интегральных интенсивностей (I600/I800) этих полос уменьшается при увеличении напряжения. Сделано сравнение изменений отношения I600/I800 и вариации основных полос в спектрах комбинационного рассеяния для выяснения природы поглощения пленок a-C : H в видимом диапазоне спектра. Для объяснения соотношения между структурой края поглощения и шириной щели Тауца (ET) предложены две простые схемы для прозрачных изолирующих пленок с ET<= 1.5 эВ и "черных" проводящих пленок a-C : H с ET=< 1 эВ.
Коншина Е.А. Поглощение и ширина оптической щели пленок a-С : H, полученных изацетиленовой плазмы // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 469

Исследованы пленки нелегированного a-Si : H, подвергнутые имплантации ионами кремния (дозы 1012-1014 см-2, средняя энергия varepsilon=60 кэВ) при комнатной температуре. Установлены следующие результаты взаимодействия пленок с ионными пучками: образование дефектов (оборванных Si--Si-связей) в нейтральном состоянии (D0), изменение зарядового состояния D0-> D-, переход a-Si : H-> a-Si, рост негомогенности структуры. Показано, как они зависят от исходных структурных и электронных характеристик пленок.
Голикова О.А. Дефекты в пленках a-Si : H, наведенные ионной имплантацией кремния // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 464

Исследованы температурные зависимости фотопроводимости, параметр Урбаха, оптические модуляционные спектры и рамановские спектры с целью выяснения причины повышения фоточувствительности пленок a-Si : H. Показано, что эти пленки сочетают низкую плотность дефектов с существованием глубоких дырочных ловушек. Эти факторы приводят к возрастанию величины sigmaph при T=300 K по сравнению с sigmaph "стандартного" a-Si : H при Delta E=const.
Голикова О.А., Казанин М.М. Особенности электронных свойств и структуры пленок a-Si : H сповышенной фоточувствительностью // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 336

Исследовано влияние концентрации примесей (фосфора и бора) на фотопроводимость пленок аморфного гидрированного кремния, гидрированного и легированного методом ионной имплантации. Проведено сопоставление с данными для пленок, легированных из газовой фазы. Обнаружено существенное отличие зависимостей фотопроводимости от уровня легирования для фосфора и бора. Фотопроводимость имплантированных фосфором пленок возрастает с уровнем легирования и на порядок величины меньше фотопроводимости пленок, легированных фосфором из газовой фазы. В то же время фотопроводимость пленок, имплантированных бором, слабо зависит от уровня легирования и практически совпадает с фотопроводимостью пленок, легированных бором из газовой фазы. Полученные результаты объясняются в рамках модели рекомбинации, учитывающей различие в перезарядке состояний дефектов в пленках n- и p-типа.
Казанский А.Г., Петрушко С.М., Рыжкова Н.В. Фотопроводимость аморфного гидрированного кремния, легированного методом ионной имплантации // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 332

Исследуются электрические и фотоэлектрические свойства двух типов сэндвич-структур Al/пористый кремний/монокристаллический кремний (c-Si)/Al с тонкими и толстыми слоями пористого кремния, полученными химическим окрашивающим травлением без приложения электрического поля. Установлено, что свойства структур с тонкими слоями пористого кремния определяются гетеропереходом пористый кремний c-Si. Его свойства объяснены в рамках энергетической зонной диаграммы изотипного гетероперехода с противоположными направлениями изгибов зон по обе стороны перехода, обусловленными проявлением локальных состояний на границе. Фоточувствительность структур с толстым слоем пористого кремния определяется фотопроводимостью пористого кремния. Максимум спектральной зависимости фотопроводимости слоев пористого кремния находится при 400--500 нм. Полученные результаты сравниваются с известными для структур на основе пористого кремния, полученного анодизацией.
Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. Фоточувствительные структуры на пористом кремнии // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 327

Представлены результаты сравнительного исследования оптического поглощения и фотолюминесценции в слоях пористого кремния, оксидах кремния (SiO и SiO2) и порошкообразном кремнии. Обнаружена корреляция положения края полосы поглощения, определяемого по данным фотоакустической спектроскопии, а также спектров фотолюминесценции со степенью окисления кремния. Для образцов пористого кремния выявлено различие частотных зависимостей фотоакустического сигнала от энергии квантов возбуждающего света.
Образцов А.Н., Тимошенко В.Ю., Окуши Х., Ватанабе Х. Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO и SiO2 // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 322

В пленках a-Si : H, легированных атомами Er через газовую фазу с использованием в качестве источника ионов Er порошка Er(ТМНД)3, наблюдается эффективная фотолюминесценция Er при комнатной температуре. Показано, что условия осаждения пленок и их последующий отжиг влияют на интенсивность фотолюминесценции и ее температурную зависимость. Наблюдаемое поведение объясняется изменением структуры матрицы аморфного кремния в рамках механизма оже-возбуждения с участием дефектов.
Теруков Е.И., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Гусев О.Б., Вайзер Г., Кюне Х. Влияние температуры подложки иотжига нафотолюминесценцию эрбия надлине волны 1.54 мкм впленках a-Si : H, полученных методом тлеющего разряда // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 208

Исследована проводимость нанокристаллических пленок диоксида олова, легированных Pt, Pd, Ni, на изолирующих подложках SiO2 при температурах 77--400 K. Легирование позволило варьировать сопротивление пленок от 104 до 107 Ом. Установлено, что в отличие от контакта Au-монокристалличeский SnO2 золотые контакты для нанокристаллического материала являются омическими во всем диапазоне температур и их вклад в проводимость всех исследованных структур не превышает 5%.
Акимов Б.А., Гаськов А.М., Лабо М., Подгузова С.Е., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Тадеев А. Проводимость структур наоснове легированных нанокристаллических пленок SnO2 cзолотыми контактами // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 205