Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 237, для научной тематики: Стеклообразные и пористые полупроводники

171.

Распределение по энергии локализованных состояний в аморфном гидрогенизированном кремнии     

Коугия К.В., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
На основе анализа спектральных и температурных зависимостей нестационарной фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии предложен метод определения спектральной зависимости коэффициента оптического поглощения и рассчитано распределение по энергии локализованных состояний, на которых пр...
172.

Релаксация проводимости в закрытом пористом кремнии после термообработки     

Зимин С.П., Брагин А.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Проведено изучение влияния кратковременного отжига при температурах 450/550oC на проводимость пористого кремния, закрытого пленкой металла. Пористый кремний сформирован на подложкахp- иn-типа проводимости и имел пористость 16/40% и5/10% соответственно. Показано, что при отжиге при темпера...
173.

Поглощение и ширина оптической щели пленок a-С : H, полученных изацетиленовой плазмы     

Коншина Е.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Пленки аморфного гидрогенизированного углерода (a-C : H) были приготовлены методом химического осаждения паров с использованием тлеющего разряда на постоянном токе. Проанализированы зависимости коэффициента поглощения в интервале длин волн 400/ 2400 нм. Выделены две гауссовоподобные полосы с макс...
174.

Дефекты в пленках a-Si : H, наведенные ионной имплантацией кремния     

Голикова О.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследованы пленки нелегированного a-Si : H, подвергнутые имплантации ионами кремния (дозы 1012-1014 см-2, средняя энергия varepsilon=60 кэВ) при комнатной температуре. Установлены следующие результаты взаимодействия пленок с ионными пучками: образование дефектов (оборванных Si--Si-связей) в нейт...
175.

Особенности электронных свойств и структуры пленок a-Si : H сповышенной фоточувствительностью     

Голикова О.А., Казанин М.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследованы температурные зависимости фотопроводимости, параметр Урбаха, оптические модуляционные спектры и рамановские спектры с целью выяснения причины повышения фоточувствительности пленок a-Si : H. Показано, что эти пленки сочетают низкую плотность дефектов с существованием глубоких дырочных ...
176.

Фотопроводимость аморфного гидрированного кремния, легированного методом ионной имплантации     

Казанский А.Г., Петрушко С.М., Рыжкова Н.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследовано влияние концентрации примесей (фосфора и бора) на фотопроводимость пленок аморфного гидрированного кремния, гидрированного и легированного методом ионной имплантации. Проведено сопоставление с данными для пленок, легированных из газовой фазы. Обнаружено существенное отличие зависимост...
177.

Фоточувствительные структуры на пористом кремнии     

Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследуются электрические и фотоэлектрические свойства двух типов сэндвич-структур Al/пористый кремний/монокристаллический кремний (c-Si)/Al с тонкими и толстыми слоями пористого кремния, полученными химическим окрашивающим травлением без приложения электрического поля. Установлено, что свойства ...
178.

Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO и SiO2     

Образцов А.Н., Тимошенко В.Ю., Окуши Х., Ватанабе Х. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Представлены результаты сравнительного исследования оптического поглощения и фотолюминесценции в слоях пористого кремния, оксидах кремния (SiO и SiO2) и порошкообразном кремнии. Обнаружена корреляция положения края полосы поглощения, определяемого по данным фотоакустической спектроскопии, а также...
179.

Влияние температуры подложки иотжига нафотолюминесценцию эрбия надлине волны 1.54 мкм впленках a-Si : H, полученных методом тлеющего разряда     

Теруков Е.И., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Гусев О.Б., Вайзер Г., Кюне Х. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
В пленках a-Si : H, легированных атомами Er через газовую фазу с использованием в качестве источника ионов Er порошка Er(ТМНД)3, наблюдается эффективная фотолюминесценция Er при комнатной температуре. Показано, что условия осаждения пленок и их последующий отжиг влияют на интенсивность фотолюмине...
180.

Проводимость структур наоснове легированных нанокристаллических пленок SnO2 cзолотыми контактами     

Акимов Б.А., Гаськов А.М., Лабо М., Подгузова С.Е., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Тадеев А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследована проводимость нанокристаллических пленок диоксида олова, легированных Pt, Pd, Ni, на изолирующих подложках SiO2 при температурах 77--400 K. Легирование позволило варьировать сопротивление пленок от 104 до 107 Ом. Установлено, что в отличие от контакта Au-монокристалличeский SnO2 золоты...