Исследовано влияние температуры на стационарную фотопроводимость и релаксацию фотопроводимости после прекращения освещения в пленках слабо легированного бором микрокристаллического гидрированного кремния. Измерения проводились в области температур 150--430 K при облучении пленок квантами света с энергией 1.4 эВ. Из измерений стационарной фотопроводимости и ее релаксации получены температурные зависимости времени фотоответа и дрейфовой подвижности носителей в микрокристаллическом кремнии. Рассмотрены возможные механизмы переноса и рекомбинации носителей, определяющие изменение с температурой указанных параметров.
Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А. Влияние температуры нафотопроводимость икинетику ееспада вмикрокристаллическом кремнии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 8, Стр. 991

Исследованы спектры комбинационного рассеяния (100)-ориентированного пористого легированного кристаллаGaAs. Установлено, что излучение в спектрах плазмофононов как исходного, так и пористого кристаллов сильно поляризовано и не зависит от поляризации возбуждающего излучения. Сделан вывод о преимущественном фрелиховском вкладе в интенсивность спектра плазмофононов и об отсутствии влияния дефектов и многократного рассеяния на поляризацию рассеянного света в пористомGaAs. Обсуждается причина нарушения правил отбора в спектре пористого кристалла.
Денисов В.Н., Маврин Б.Н., Караванский В.А. Аномальная поляризация комбинационного рассеяния напоперечных ипродольных фононах впористом легированном полупроводникеGaAs // ФТП, 2001, том 35, выпуск 8, Стр. 987

Проведены исследования влияния вакуумных отжигов, имплантации ионовSi+ и облучения светом на фотоэлектрические параметры пленок a-Si : H. Показана решающая роль исходных характеристик пленок для эффекта кристаллизации, а также для проявления эффекта Стаблера--Вронского.
Рахимов Н., Бабаходжаев У., Мавлянов Х., Икрамов Р. Влияние внешних воздействий на фотоэлектрические параметры аморфного гидрированного кремния взависимости отисходных характеристик пленок // ФТП, 2001, том 35, выпуск 8, Стр. 985

Приведены результаты комплексного исследования методами инфракрасного поглощения, комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса пленокSiOx, полученных термическим испарениемSiO в вакууме. Установлен характер структурных превращений, происходящих в процессе отжига пленок. Отжиг в интервале температур 300-600oC вызывает появление полосы фотолюминесценции650 нм, связанной, по-видимому, со структурными дефектами пленкиSiOx. Дальнейшее повышение температуры отжига приводит к залечиванию дефектов и затуханию полосы. Обнаружено, что преципитатыSi переходят из аморфного состояния в кристаллическое после отжига при1100oC, с чем связано возникновение новой полосы фотолюминесценции в области730 нм. Зарегистрированы спектры электронного парамагнитного резонанса Pb-центров на границах хаотически ориентированных нанокристаллитов кремнияиSiO2.
Братусь В.Я., Юхимчук В.А., Бережинский Л.И., Валах М.Я., Ворона И.П., Индутный И.З., Петренко Т.Т., Шепелявый П.Е., Янчук И.Б. Структурные превращения иобразование нанокристаллитов кремния впленкахSiOx // ФТП, 2001, том 35, выпуск 7, Стр. 854

Показано, что зависимость емкости структуры Al/por-Si/Si от относительной влажности представляет собой изотерму физической адсорбции. Анализ этой зависимости позволяет определить общую пористость, эффективную долю оксидной фазы вpor-Si и соотношение объемов микропор, моно- и полимолекулярная адсорбция воды в которых приводит к их объемному заполнению, а также мезопор, заполняющихся по механизму капиллярной конденсации. Для последних получено распределение пор по размерам.
Тутов Е.А., Андрюков А.Ю., Бормонтов Е.Н Адсорбционно-емкостная порометрия // ФТП, 2001, том 35, выпуск 7, Стр. 850

Исследовано влияние облучения легкими ионами углерода на нанокластерную структуру алмазоподобных пленок углерода. Установлено, что электронные свойства (оптическое поглощение, электропроводность при низких температурах) пленок проявляют сильную дозовую зависимость, что является следствием квантово-размерного эффекта. Изменения оптической щели и энергии активации прыжковой проводимости свидетельствуют о росте размеров pi-кластеров, тогда как их концентрация остается постоянной во всем интервале доз облучения 3· 1014-1.2· 1017 см-2. Процесс дефектообразования в кластерах сдвинут в сторону более высоких доз облучения по сравнению с однородными по структуре материалами. Проведены оценки оптического поглощения pi-кластеров, их концентрации в образцах, параметров туннелирования для исходных и полностью "графитизированных" пленок, толщины барьерного слоя между кластерами, определена ширина зоны дефектных состояний. Показано, что известная зависимость оптической ширины pi-кластеров от их размера должна быть модифицирована в случае больших кластеров (Eg=<q 1 эВ).
Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Жихарев В.А., Хайбуллин И.Б. Влияние бомбардировки ионами углерода нананоструктуру алмазоподобных пленок // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 612

Проведено исследование дрейфовой подвижности носителей заряда в пористом кремнии в широком интервале температур 190--360 K и напряженности электрического поля 2· 103-3· 104 В/см. Установлена экспоненциальная зависимость дрейфовой подвижности дырок от температуры с энергией активации d~0.14 эВ. Получена оценка плотности локализованных состояний, контролирующих перенос.
Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Смирнова Н.Н. Дрейфовая подвижность носителей заряда впористом кремнии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 609

Исследован новый эффект возбуждения люминесценции пористого кремния при адсорбции озона из газовой фазы. Сигналы озон-индуцированной люминесценции и фотолюминесценции строго коррелированно затухают со временем экспозиции в озоне, при этом наблюдается рост окисной фазы в составе пористого кремния. Обнаружена линейная связь между люминесцентным потоком и количеством окисной фазы при озоновом воздействии. Наблюдаются коррелированные сдвиги спектров озон-индуцированной люминесценции и фотолюминесценции спектра в пористом кремнии при вариации пористости. Предложен механизм эффекта, согласно которому при диссоциативной адсорбции озона происходит экзотермическая реакция окисления боковых связей атомов кремния на поверхности нанокристаллитов. Высвобождающаяся энергия идет на возбуждение электронного спектра кремниевых кристаллитов. Излучательная релаксация при озоновом возбуждении протекает аналогично случаю фотонного возбуждения люминесценции в пористом кремнии.
Кузнецов С.Н., Пикулев В.Б., Сарен А.А., Гардин Ю.Е., Гуртов В.А. Возбуждение люминесценции пористого кремния приадсорбции молекул озона // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 604

Методом разложения SiH4 в магнетронной камере (dc-MASD) были приготовлены пленки a-Si : H с включениями кластеров (SiH2)n или нанокристалловSi. Пленки имели величины микроструктурного параметра R=0.7-1.0. Методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии установлено влияние этих включений на возрастание степени упорядочения структурной сеткиSi. Показано, что независимо от природы включений влияние их максимально для пленок собственного материала, осажденных при высоких температурах (до400oC).
Голикова О.А., Богданова Е.В., Казанин М.М., Кузнецов А.Н., Терехов В.А., Кашкаров В.М., Остапенко О.В. Структурная сетка кремния впленках a-Si : H, содержащих упорядоченные включения // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 600

Исследовались электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si : H, полученных методом циклического плазмохимического осаждения, и влияние на эти свойства термического отжига. Показано, что фоточувствительность неотожженных пленок велика, отношение фотопроводимости к темновой проводимости достигает величины K=3.4· 106. Сувеличением температуры отжига происходит уменьшение фоточувствительности за счет значительного уменьшения фотопроводимости и увеличения темновой проводимости. Проводимость пленок, отожженных при температуре выше 500oC, определяется суммой зонной проводимости и прыжковой проводимости по состояниям вблизи уровня Ферми.
Курова И.А., Ормонт Н.Н., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Афанасьев В.П., Гудовских А.С. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si : H ивлияние нанихтермического отжига // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 367