Проведено исследование лавинных светодиодов на основе пористого кремния с целью увеличения их эффективности. Максимальная внешняя квантовая эффективность 1.4% была получена при импульсном режиме работы со скважностью импульсов100, где светодиоды функционируют с наибольшими амплитудами входных токов. Однако увеличение квантовой эффективности с увеличением входных токов ограничено достижением области насыщения, связанной с термическим разогревом диодной структуры.
Лазарук С.К., Лешок А.А., Лабунов В.А., Борисенко В.Е. Эффективность лавинных светодиодов на основе пористого кремния // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 149

Методами атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света исследован переход от двухмерного (2D) псевдоморфного роста к трехмерному (3D) (наноостровковому) в многослойных структурах InxGa1-xAs/GaAs, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией. Номинальная концентрация In вInxGa1-xAs варьировалась от x=0.20 до0.50. Толщина осаждаемых слоев InxGa1-xAs иGaAs составляли 14 и 70 монослоев соответственно. Показано, что при данных толщинах переход2D--3D имеет место при x>= 0.27. Установлено, что формирование квантовых точек InxGa1-xAs (наноостровков) не сводится к классическому механизму Странского--Крастанова, а существенно модифицируется процессами вертикальной сегрегации атомов In и интердиффузии атомовGa. Врезультате InxGa1-xAs может моделироваться 2Dслоем с пониженной концентрацией In (x0.60). Для многослойных сруктур InxGa1-xAs можно реализовать латеральное выстраивание квантовых точек в цепочки в направлении[ 110] и улучшение однородности их размеров.
Валах М.Я., Стрельчук В.В., Коломыс А.Ф., Mazur Yu.I., Wang Z.M., Xiao M., Salamo G.J. Резонансное комбинационное рассеяние света и атомно-силовая микроскопия многослойных наноструктур InGaAs/GaAs с квантовыми точками // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 140

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезирован массив квантовых молекул InAs в матрице GaAs, состоящий из пар вертикально совмещенных квантовых точек InAs. Исследование полученных структур методом просвечивающей электронной микроскопии показало, что вертикально совмещенные квантовые точки имеют одинаковый размер. Фотолюминесцентные измерения продемонстрировали наличие в спектрах исследуемых образцов полос, соответствующих электронным состояниям квантовых молекул.
Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Поляков Н.К., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Zakharov N.D., Werner P., Andreev A. Исследование способов получения исвойств квантовых молекул InAs вматрице GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 136

Приводятся результаты исследования изображений аморфного гидрогенизированного углерода, легированного кобальтом. Изображения получены методом просвечивающей электронной микроскопии, в том числе микроскопии высокого разрешения. Слои аморфного углерода выращивались методом совместного магнетронного распыления графитовой и кобальтовой мишеней в атмосфере аргон-водородной плазмы. Показано, что образуются кристаллические кластеры нанометровых размеров. Исследовано влияние одночасового термического отжига при температуре 800oC в атмосфере аргона на функцию распределения нанокластеров по размерам. Показано, что для исходного образца функция распределения представляет собой гауссиан с максимумом в области ~7 нм, а после отжига претерпевает значительное размытие, сопровождающееся смещением максимума в область больших размеров, и отклоняется от гауссовой кривой. Награницах кластеров после отжига в режиме высокого разрешения видна характерная структура, которая приписывается углеродным наноразмерным капсулам, обволакивающим кластеры.
Иванов-Омский В.И., Колобов А.В., Лодыгин А.Б., Ястребов С.Г. Распределение поразмерам нанокластеров кобальта вматрице аморфного углерода // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1463

Исследовано влияние адсорбции донорных и акцепторных молекул на спектры фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса микропористого кремния. Обнаружено гашение фотолюминесценции микропористого кремния, сдвиг максимума спектра в коротковолновую область и рост интенсивности сигнала электронного парамагнитного резонанса при адсорбции молекул диоксида азота и пиридина. Полученные результаты объясняются в рамках модели излучательной рекомбинации экситонов в пористом кремнии, учитывающей образование заряженных комплексов (NO2)-, (C5H5N)+ и дефектов (типа оборванной связи кремния) на поверхности нанокристаллов кремния.
Константинова Е.А., Рябчиков Ю.В., Осминкина Л.А., Воронцов А.С., Кашкаров П.К. Влияние адсорбции донорных иакцепторных молекул нарекомбинационные свойства кремниевых нанокристаллов // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1386

С помощью метода фотомодуляционной спектроскопии исследовано распределение плотности электронных состояний в запрещенной зоне пленок микрокристаллического гидрированного кремния (mu c-Si : H) с различным уровнем легирования бором. Информацию о распределении плотности состояний получали из анализа температурных зависимостей постоянной и переменной составляющих фотопроводимости при освещении пленок модулированным светом. Получено распределение плотности электронных состояний в верхней и нижней половинах запрещенной зоны mu c-Si : H. Проведенные исследования показали, что в mu c-Si : H хвост плотности состояний вблизи валентной зоны более пологий по сравнению с хвостом плотности состояний вблизи зоны проводимости.
Казанский А.Г., Хабарова К.Ю. Распределение плотности электронных состояний взапрещенной зоне микрокристаллического гидрированного кремния // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1261

Сообщается о новом процессе получения структур с вертикальными стенками в толстом слое макропористого кремния на подложке. Проблема фотолитографии решается путем создания рисунка с обратной стороны пластины. Врезультате кремниевая подложка сама служит маской, через которую удаляются определенные участки пористого слоя. Изготовлены узкие и высокие полоски макропористого кремния, ориентированные вдоль рядов макропор. Полученные структуры двумерного фотонного кристалла использовались для введения света в направлении, перпендикулярном оси каналов, и регистрации ИК спектров отражения.
Астрова Е.В., Боровинская Т.Н., Толмачев В.А., Перова Т.С. Технология создания рисунка в макропористом кремнии и получение полос двумерных фотонных кристаллов с вертикальными стенками // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1125

Сообщается об условиях образования кварцевых микротрубок диаметром 5-10 мкм в процессе структурирования окисленного макропористого кремния. Показано, что микротрубки с закрытым дном могут быть зафиксированы в вертикальном положении на равном расстоянии друг от друга в соответствии с \glqq решеткой\grqq макропористого кремния и представлять интерес как пробирки для микролаборатории на чипе. Тонкие и длинные кварцевые микротрубки в неупорядоченном состоянии формируют \glqq стекловату\grqq. Обнаружено, что микротрубки и \glqq стекловата\grqq обладают интенсивной фото- и катодолюминесценцией с максимумами в зеленой области спектра.
Астрова Е.В., Боровинская Т.Н., Перова Т.С., Заморянская М.В. Кварцевые микротрубки на основе макропористого кремния // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1121

Методом измерения времени пролета определены значения дрейфовой подвижности электронов и дырок в пористом карбиде кремния, полученном поверхностной анодизацией пластин 4H-SiC n-типа проводимости. Подвижности электронов и дырок при 300 K в электрическом поле104 В/см составили mue=6· 10-3 и muh=3· 10-3 см2/В·с соответственно. Низкие значения подвижности объясняются захватом носителей на локализованные состояния.
Казакова Л.П., Мынбаева М.Г., Мынбаев К.Д. Дрейфовая подвижность носителей заряда впористом карбиде кремния // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1118

Проявление токовой неустойчивости в виде S-образной вольт-амперной характеристики было обнаружено в тонких пленках металл-полимерного комплекса полиамидокислоты с Tb+2. Характеристики токовой неустойчивости сравнимы с характеристиками эффекта переключения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Происхождение токовой неустойчивости в металл-полимерном комплексе может быть связано с электронно-тепловым переключением. Пороговое напряжение и ток в пленках толщиной ~ 0.1 мкм составляют 3--7 В и (2-1)· 10-2 A/см2 соответственно.
Лебедев Э.А., Гойхман М.Я., Цэндин К.Д., Подешво И.В., Теруков Е.И., Кудрявцев В.В. Токовая неустойчивость сS-образной вольт-амперной характеристикой вслоях металл-полимерного комплекса полиамидокислоты сTb+2 // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1115