Исследованы основные оптические иэлектрические свойства полиамидокислоты иее комплекса сTb+2. Установлено наличие фотолюминесценции при комнатной температуре смаксимумом излучения при520 нм. Энергия температурной активации проводимости при температуре выше 350 K составляет 2.1 эВ. По интенсивности фотолюминесценции полиамидная кислота сравнима сэлектролюминесцентным полимером полифенилвиниленом.
Лебедев Э.А., Гойхман М.Я., Компан М.Е., Кудоярова В.Х., Подешво И.В., Теруков Е.И., Кудрявцев В.В. Оптические иэлектрические свойства полиамидокислоты иметалл-полимерного комплекса сTb+2 на ее основе // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 844

Приведен обзор материалов для органических фотовольтаических ячеек и светоизлучающих устройств. Наиболее исследованными органическими материалами, обеспечивающими высокую эффективность фотоэлектрического преобразования энергии, являются системы, сенсибилизированные красителями. Выявлены системы, обеспечивающие эффективную люминесценцию, на основе сопряженных полимеров, комплексов редкоземельных элементов с органическими лигандами и красителей. Для решения задачи эффективного фотоэлектрического преобразования необходимо апробировать сенсибилизацию различными типами красителей. Фталоцианины(Pc) и пентацены(Pn) представляют особый интерес. Фталоцианины--- наиболее перспективные материалы, так как они легко синтезируются, нетоксичны, и их электрические характеристики широко исследованы. Использование уникального электронного акцептораC60 значительно повышает эффективность превращения солнечной энергии в электричество. Для создания органических фотовольтаических ячеек широко используются проводящие ароматические и гетероциклические полимеры: поли(p-фенилен-винилены)(PPV), полианилины(PANI), полипирролы(Ppy) и политиофены(PTh). Органические фотопроводящие материалы обеспечивают высокую светочувствительность и низкий темновой ток. Из-за доступности и простоты нанесения они позволяют изготавливать относительно дешевые фотовольтаические ячейки.
Юрре Т.А., Рудая Л.И., Климова Н.В., Шаманин В.В. Органические материалы для фотовольтаических исветоизлучающих устройств // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 835

Для металлоксидов меди YBa2Cu3O6.9, YBa2Cu3O6.6, YBa2Cu4O8, Nd1,85Ce0.15CuO4, La1.85Sr0.15CuO4, HgBa2CuO4, HgBa2CaCu2O6, Bi2Sr2CaCu2O8 иTl2Ba2CaCu2O8 при температурах, выше температуры перехода в сверхпроводящее состояниеTc, температурная зависимость центра тяжестиS мессбауэровского спектра примесных атомов 67Zn2+ в узлах меди и иттрия определяется доплеровским сдвигом 2-го порядка. Вобласти T
Серегин Н.П., Степанова Т.Р., Кожанова Ю.В., Волков В.П., Серегин П.П., Троицкая Н.Н. Влияние перехода порядок--беспорядок вэлектронной подсистеме кристалла наэлектронную плотность вузлах решетки // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 830

Проведено исследование фотолюминесцентных свойств винтервале 4.2-300 K стеклообразного Ge2S3, легированного редкоземельными элементамиLa, Ce, Gd. Показано, что примеси не создают новых уровней, ответственных за излучение. Оценены изменения основных параметров спектра возбуждения иизлучения взависимости от концентрации ирода примесей.
Бабаев А.А., Камилов И.К., Вагабова З.В., Султанов С.М., Асхабов А.М., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Влияние примесей редкоземельных элементов нафотолюминесценцию стеклообразного Ge2S3 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 827

Синтезированы тройные теллуридные стекла Si15Ge(Ga)5Te80, Si19.7Te78.7Se1.6, Si19.2Te76.8Se4 иGe19Te72Se9. Вшироком интервале температур ичастот исследованы электрические, акустические иакустооптические свойства, атакже дисперсия оптического пропускания полученных сплавов. Проведен сравнительный анализ результатов. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемых явлений. Показано, что синтезированный сплав Ge19Te72Se9 является достойным конкурентом сплаву Si20Te80 при изготовлении высокоэффективных акустооптических устройств широкого применения среднего инфракрасного диапазона (2-12 мкм).
Кулакова Л.А., Мелех Б.Т., Бахарев В.И., Кудоярова В.Х. Синтез ифизические свойства стекол всистемах Si(Ge)-Se-Te // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 822

Electronic properties of a-Se as a function of the source (boat) temperature and as a function ofAs (up to0.7%) andCl (up to40 wt.ppm) concentrations have been experimentally studied by carrying out conventional and interrupted field time-of-flight (IFTOF) transient photoconductivity measurements that provide accurate determinations of the drift mobility and the deep trapping time (lifetime). No variation in electron and hole lifetimes and mobilities for pure a-Se was observed with the source temperature, that is, no dependence was observed on the deposition rate nor on the vapor composition. The addition ofAs reduces the hole lifetime but does not change the hole mobility. At the same time As addition increases the electron lifetime while reducing the electron mobility. The electron range mutau however increases with theAs content which means that the overall concentration of deep electon traps must be substantially reduced by the addition ofAs. Claddition in the ppm range increases the hole lifetime but reduces the electron lifetime. The drift mobility of both carriers remains the same. We interpret the results in terms of a shallow trap controlled charge transport in which deep traps are due to potential under and overcoordinated charged defects that can exist in the structure.
Kasap S.O., Koughia K.V., Fogal B., Belev G., Johanson R.E. The influence of deposition conditions and alloying on the electronic properties ofamorphous selenium // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 816

Методом рентгеновской дифракции изучена структура частиц нанопористого углерода, полученного из карбидов различных материалов (SiC, TiC, Mo2C иB4C) путем химического удаления карбидообразующих элементов. На измеренных дифрактограммах регистрируются рефлексы вобласти двойного угла отражения 2theta=23-26o и42-44o. Анализ углового положения, полуширины иинтенсивности этих пиков показал, что первый из них есть рефлекс от базисных плоскостей искаженных графитоподобных кристаллических фрагментов, авторой может быть обусловлен двумерной дифракцией (101) от осколков графеновых плоскостей востальной массе образца. Присутствие графитоподобных кристаллитов зависит от способа приготовления образца. Их размер колеблется впределах 40--100 Angstrem, аобъемная доля составляет величину от5 до12% для разных образцов.
Кютт Р.Н., Данишевский А.М., Сморгонская Э.А., Гордеев С.К. Рентгенодифракционное исследование структуры нанопористого углерода, полученного из карбидных материалов // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 811

Представлены результаты исследования адсорбционных свойств фуллеренов. Действие фуллеренов вкачестве адсорбентов сравнивается сдействием сажи иактивного угля. По своим адсорбирующим способностям сажа оказывается на уровне активных углей. Всоставе сажевого материала фуллерены не проявляются, акак самостоятельный адсорбент они значительно эффективней, чем активный уголь. Обсуждаются возможные механизмы адсорбции фуллеренов. Делается вывод, что адсорбционные способности фуллеренов реализуются главным образом через дисперсионные взаимодействия. Представлены некоторые теоретические оценки.
Березкин В.И., Викторовский И.В., Вуль А.Я., Голубев Л.В., Петрова В.Н., Хорошко Л.О. Фуллереновые микрокристаллы как адсорбенты органических соединений // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 802

Врамках простой модели монодисперсной системы флуктуаций электронной плотности проанализированы возможные изменения винтенсивности малоуглового рентгеновского рассеяния, возникающие при заполнении нанопор внанопористом углероде сторонними примесями. Рассмотрены системы сразличными соотношениями между электронной плотностью углеродного каркаса и встроенных внего неуглеродных нанокластеров, соответствующие композитам скластерами гексагонального или аморфного селена и ромбической или аморфной серы. Рассчитаны парциальные вклады визменение интенсивности рассеяния от незаполненных нанопор, углеродных и неуглеродных нанокластеров и общее изменение взависимости от фактора заполнения нанопорbeta при различных степенях исходной нанопористости углеродного каркасаalpha. Показано, что взависимости отalpha иbeta возможно как усиление, так и ослабление рассеяния. Полученные данные могут быть полезны для контроля эффективности заполнения нанопор при формировании композита.
Сморгонская Э.А. Квопросу обисследовании композитов наоснове нанопористого углерода методом малоуглового рентгеновского рассеяния // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 796

Исследовано изменение темновой проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием, a-Si : H(Er), врезультате их предварительного освещения при комнатной температуре. Изучено влияние компенсирующей примеси бора на фотоиндуцированное изменение проводимости пленок a-Si : H(Er). Установлено, что величина и знак изменения проводимости зависят от длительности освещения и положения уровня Ферми вщели подвижности. Рассмотрены возможные механизмы, приводящие кфотоиндуцированному изменению проводимости пленок a-Si : H(Er).
Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков E.И., Форш П.А. Фотоиндуцированное изменение проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 793