Исследована временная эволюция спектров катодной электролюминесценции пористого кремния вэлектролите, содержащем персульфат-ионы S2O82-, вгальваностатическом режиме. Показано, что при катодной поляризации происходят необратимые изменения люминесцентных свойств пористого кремния, проявляющиеся вуменьшении интенсивности сигнала идлинноволновом сдвиге спектра электролюминесценции при практически неизменном потенциале подложки (псевдо-тьюнинг). Необратимость изменения люминесцентных параметров связывается сконкурирующим электрохимическим окислением поверхности пористого кремния, приводящим кзатруднению биполярной инжекции носителей влюминесцентно-активные кристаллиты. Результаты работы позволяют утверждать, что наблюдаемые деградационные явления при катодной поляризации обусловлены теми же процессами, которые ответственны за возбуждение электролюминесценции, что ставит под сомнение трактовку известного влитературе эффекта тьюнинга (англ. tuning) как результата чисто электронного процесса впористом кремнии.
Сарен А.А., Кузнецов С.Н., Пикулев В.Б., Гардин Ю.Е., Гуртов В.А. Электролюминесценция пористого кремния при катодном восстановлении персульфат-ионов: степень обратимости эффекта тьюнинга // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1263

Анализируются возможности применения технологии MASD (magnetron assisted silane decomposition) для осаждения пленок a-Si : H как базовых материалов для получения поликремния. Показано, как особенности структуры пленок влияют на эффект кристаллизации.
Голикова О.А., Богданова Е.В., Бабаходжаев У.С. Кристаллизация пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных при различных условиях // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1259

Исследованы фотопроводимость, фотолюминесценция и термостимулированная люминесценция фотопроводящих пленок поли-N-эпоксипропилкарбазола, поли-N-винилкарбазола и нефотопроводящих поливинилбутираля, поливинилового спирта, полистирола и полиэтилена, допированных катионными, анионными и нейтральными красителями. Обнаружено усиление фотолюминесценции катионных красителей в пленках фотопроводящих полимеров по сравнению с нефотопроводящими. Усиление фотолюминесценции коррелирует с возрастанием фотопроводимости, тушащим действием внешнего электрического поля на интенсивность фотолюминесценции и с возрастанием интенсивности рекомбинационной люминесценции. Предполагается, что эффект усиления связан с наличием в пленках карбазолилсодержащих полимеров преддимерных ловушек для дырок вблизи ионов красителя. Предложены модельные представления формирования ловушек при фотогенерации дырок в преддимерные состояния.
Давиденко Н.А., Студзинский С.Л., Деревянко Н.А., Ищенко А.А., Скрышевский Ю.А., Аль-Кадими А.Д. Особенности фотолюминесценции и рекомбинационной люминесценции аморфных молекулярных полупроводников, допированных органическими красителями // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1248

Методом инфильтрации диоксида ванадия(VO2) вкристаллы опала, споследующим вытравливаниемSiO2, синтезированы фотонные кристаллы на основеVO2, обладающие фазовым переходом полупроводник--металл в области температур55-75oC. При исследовании оптических спектров отражения таких кристаллов установлено, что они характеризуются широкой фотонной запрещенной зоной (внаправлении распространения света[111]) ввидимой области спектра, энергетическое положение которой меняется скачком при фазовом переходе. Измерены температурный сдвиг и гистерезис положения фотонной запрещенной зоны. Врамках модели слоистой периодической среды выполнены количественные расчеты спектров отражения фотонных кристаллов опала иVO2, получены численные значения геометрических параметров и оптических констант исследованных трехмерно-периодических структур.
Голубев В.Г., Курдюков Д.А., Певцов А.Б., Селькин А.В., Шадрин Е.Б., Ильинский А.В., Боейинк Р. Гистерезис фотонной зоны вфотонном кристаллеVO2 при фазовом переходе полупроводник--металл // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1122

Исследованы закономерности деформации пластин макропористого кремния в результате высокотемпературного окисления и определены основные параметры, влияющие на их изгиб и последующую релаксацию напряжений при удалении окисла. Методами рентгеновской дифрактометрии и топографии проведены измерения радиуса кривизны и параметра решетки, выявлены области генерации дислокаций. Величина деформации кремниевой решетки составляет ~ 10-4 в окисленном макропористом кремнии и уменьшается на порядок после растворения окисла. Пластическая часть деформации сопровождается генерацией дислокаций в наиболее напряженных областях структуры, т. е. на границе между пористым слоем и подложкой в вертикальном направлении и между центральной пористой областью и кромкой в горизонтальной плоскости. Их концентрация составляет ~ 104 см-2.
Астрова Е.В., Ратников В.В., Ременюк А.Д., Шульпина И.Л. Исследование деформаций идефектов кристаллической решетки, возникающих при окислении макропористого кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1111

Легирование золотом пленок нанокристаллического кремния (nc-Si), полученных лазерной абляцией, существенно подавляет безызлучательный канал рекомбинации носителей заряда и экситонов, приводит к возрастанию интенсивности, стабильности видимой фотолюминесценции, к усилению низкоэнергетической (1.5-1.6 эВ) полосы фотолюминесценции. Легирование снижает величину фотоэдс и захват электронов на ловушки в пленке, а также уменьшает плотность граничных электронных состояний и концентрацию глубоких ловушек для электронов на подложке монокристаллического кремния (c-Si). Наблюдаемое влияние легирования на фотолюминесцентные и электронные свойства пленок nc-Si и структур nc-Si/c-Si обусловлено процессами пассивации золотом оборванных связей кремния и доокисления кремния на поверхности нанокристаллов и формированием высокобарьерных слоевSiO2.
Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Кириллова С.И., Манойлов Э.Г., Примаченко В.Е., Свечников С.В., Венгер Е.Ф. Фотолюминесцентные и электронные свойства пленок нанокристаллического кремния, легированного золотом // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1105

Пленки карбида бора получены разложением в плазме высокочастотного тлеющего разряда продуктов сублимации порошка C2B10H12. Состав пленок исследовался с помощью методов ядерных реакций и инфракрасной спектроскопии. Показано, что состав пленок слабо изменялся в зависимости от типа рабочего газа (Ar,He) и температуры подложки (20-100oC) и определялся формулой a-B0.52C0.48 : H. Оптическая ширина запрещенной зоны составляла ~3.8 эВ, удельное сопротивление изменялось от 106 до 105 Ом · см с возрастанием температуры подложки. Наличие слабой фотолюминесценции с максимумом в области 475 нм свидетельствует о наличии акцепторного уровня в запрещенной зоне, что коррелирует с величиной энергии активации проводимости.
Ананьев А.С., Коньков О.И., Лебедев В.М., Новохацкий А.Н., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Получение исвойства пленок аморфного гидрогенизированного карбида бора // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 1006

Проводимость собственного аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H) после gamma-облучения возрастает. Этот эффект обусловлен увеличением количества метастабильных состояний D+ в щели подвижности. Проводимость несобственного (нелегированного) облученного a-Si : H уменьшается. Вероятно, что gamma-облучение создает в этом материале комплексы, включающие водород. Обсуждается сравнение этих результатов с известными данными для a-Si : H, легированного B или P.
Аблова М.С., Куликов Г.С., Першеев С.К. Метастабильные состояния нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния, создаваемые gamma -облучением // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 1001

Исследовано взаимодействие кобальта с углеродной матрицей в пленках аморфного гидрогенизированного углерода, модифицированного кобальтом. Пленки аморфного гидрогенизированного углерода с различной концентрацией кобальта, a-C : H(Co), выращены методом магнетронного сораспыления графитовой и кобальтовой мишеней в аргоно-водородной атмосфере на постоянном токе. Относительное содержание атомов кобальта и углерода в пленках определялось с использованием метода обратного резерфордовского рассеяния протонов и метода ядерных реакций. Исследовано инфракрасное поглощение в области колебаний растяжения связей C--C и деформационных колебаний связей C--H, а также рамановское рассеяние. Обнаружено гигантское усиление поглощения колебательными C--H-модами и индуцированное кобальтом появление дополнительных C--C-мод. Проанализирована интенсивность основных колебательных мод в зависимости от содержания кобальта и температуры отжига. Выявлены основные механизмы взаимодействия кобальта с матрицей аморфного углерода. Показано, что термический отжиг в вакууме при ~ 350oC подавляет взаимодействие кобальта с углеродом, что должно способствовать формированию при этих и более высоких температурах нанокластеров кобальта в матрице аморфного углерода.
Звонарева Т.К., Иванова Е.И., Фролова Г.С., Лебедев В.М., Иванов-Омский В.И. Колебательная спектроскопия a-C : H(Co) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 734

Приводятся данные о фотопроводимости пленок наноструктурированного гидрированного кремния, полученных различными методами, в зависимости от положения уровня Ферми, плотности дефектов и типа Si--H-связей. Определено влияние имплантации ионов Si+ на фотопроводимость и другие параметры пленокa-Si : H.
Голикова О.А. Фотопроводимость пленок наноструктурированного гидрированного кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 730