Поиск публикаций Научные конференции и семинары Новости науки Научная сеть

 Найдено научных статей и публикаций: 237, для научной тематики: стеклообразные и пористые полупроводники


Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 



101.

Дрейфовая подвижность носителей заряда впористом кремнии     

Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Смирнова Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Проведено исследование дрейфовой подвижности носителей заряда в пористом кремнии в широком интервале температур 190--360 K и...
102.

Влияние бомбардировки ионами углерода нананоструктуру алмазоподобных пленок     

Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Жихарев В.А., Хайбуллин И.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Исследовано влияние облучения легкими ионами углерода на нанокластерную структуру алмазоподобных пленок углерода. Установлено,...
103.

Адсорбционно-емкостная порометрия     

Тутов Е.А., Андрюков А.Ю., Бормонтов Е.Н - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Показано, что зависимость емкости структуры Al/por-Si/Si от относительной влажности представляет собой изотерму физической адсорбции....
104.

Структурные превращения иобразование нанокристаллитов кремния впленкахSiOx     

Братусь В.Я., Юхимчук В.А., Бережинский Л.И., Валах М.Я., Ворона И.П., Индутный И.З., Петренко Т.Т., Шепелявый П.Е., Янчук И.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Приведены результаты комплексного исследования методами инфракрасного поглощения, комбинационного рассеяния света,...
105.

Влияние внешних воздействий на фотоэлектрические параметры аморфного гидрированного кремния взависимости отисходных характеристик пленок     

Рахимов Н., Бабаходжаев У., Мавлянов Х., Икрамов Р. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Проведены исследования влияния вакуумных отжигов, имплантации ионовSi+ и облучения светом на фотоэлектрические параметры пленок a-Si :...
106.

Аномальная поляризация комбинационного рассеяния напоперечных ипродольных фононах впористом легированном полупроводникеGaAs     

Денисов В.Н., Маврин Б.Н., Караванский В.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Исследованы спектры комбинационного рассеяния (100)-ориентированного пористого легированного кристаллаGaAs. Установлено, что...
107.

Влияние температуры нафотопроводимость икинетику ееспада вмикрокристаллическом кремнии     

Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Исследовано влияние температуры на стационарную фотопроводимость и релаксацию фотопроводимости после прекращения освещения в...
108.

Исследование электронной структуры аморфного кремния исилицина методом рентгеновской спектроскопии     

Машин А.И., Хохлов А.Ф., Домашевская Э.П., Терехов В.А., Машин Н.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Методами рентгеновской и ультрамягкой рентгеновской спектроскопии были изучены эмиссионныеSiKbeta- иSiL23-спектры кристаллического...
109.

Особенности фотоэлектрических свойств наноструктурированных пленок гидрированного кремния     

Голикова О.А., Казанин М.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Исследованы наноструктурированные пленки Si, отличающиеся содержанием водорода и формами Si--H-связей, а также некоторыми...
110.

Численный расчет температурных зависимостей фотопроводимости a-Si : H p-типа     

Кузнецов С.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Представлены результаты численного расчета температурных зависимостей фотопроводимости a-Si : H p-типа. Расчеты были выполнены для...