Поиск публикаций Научные конференции и семинары Новости науки Научная сеть

 Найдено научных статей и публикаций: 237, для научной тематики: стеклообразные и пористые полупроводники


Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 



81.

Вольт-амперные характеристики электролюминесцентных структур Me/a-Si : H< Er>/c-Si, изготовленных магнетронным распылением     

Иванов П.А., Коньков О.И., Теруков Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Измерены и проанализированы вольт-амперные характеристики электролюминесцентных структур металл--<аморфный гидрогенизированный...
82.

Перенос носителей заряда в двухколлекторном магнитотранзисторе     

Глауберман М.А., Козел В.В., Нахабин А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Представлен численный анализ переноса носителей заряда в латеральных двухколлекторных магнитотранзисторах. Были получены...
83.

Kinetics of light-induced degradation in a-Si : H films investigated by computer modeling     

Meytin M.N., Zeman M., Budaguan B.G., Metselaar J.W. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
In this work we investigated the stability of a-Si : H films under illumination and following recovery in dark at different temperatures. The a-Si : H films were fabricated with 55 kHz PECVD and with standard rf 13.56 MHz PECVD. We measured the...
84.

Эффект Стеблера--Вронского и температурные зависимости фотопроводимости a-Si : H p-типа     

Кузнецов C.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Исследованы температурные зависимости фотопроводимости легированных бором пленок a-Si : H до и после длительного освещения....
85.

Модификация оптоэлектронных свойств пористого кремния, приготовленного в электролите на основе тяжелой воды     

Каменев Б.В, Константинова Е.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Методами инфракрасной спектроскопии, электронного парамагнитного резонанса и фотолюминесценции исследованы слои пористого...
86.

Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия     

Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Рудь Ю.В., Смирнов А.Н., Смирнова Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Впервые проведено исследование фотолюминесценции, комбинационного рассеяния света и переноса носителей заряда в пористом GaAs,...
87.

Влияние нанокристаллических включений на фоточувствительность пленок аморфного гидрированного кремния     

Голикова О.А., Казанин М.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Проведены исследования фоточувствительности пленок аморфного гидрированного кремния, содержащие включения нанокристаллов Si....
88.

Моделирование фотохимических превращений ифотопотемнения пленок фоторезистов поддействием импульсного вакуумного ультрафиолетового излучения     

Калитеевская Н.А., Сейсян Р.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Предложено теоретическое описание процесса фотохимического превращения пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников, в...
89.

Влияние эрбия на электрические и фотоэлектрические свойства аморфного кремния, полученного высокочастотным разложением силана     

Теруков Е.И., Казанин М.М., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Коугия К.В., Никулин Ю.А., Казанский А.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Эрбий был введен в аморфный гидрогенизированный кремний, полученный высокочастотным разложением силана, за счет термического...
90.

О механизме образования пористого кремния     

Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Предложен новый, рассматриваемый на качественном уровне, механизм зарождения и начальных стадий роста пор при образовании...