Исследованы в темноте и при подсветке временные зависимости скоростей релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний электрически активных атомов примеси в легированных бором пленках a-Si : H. Установлено, что в условиях подсветки скорость релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний атомов бора увеличивается в начальный период времени, когда скорость их фотоиндуцированной релаксации превышает скорость их фотоиндуцированного образования.
Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л. Влияние светового излучения наскорость релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний вa-Si : H(B) // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 753

Изучено влияние бомбардировки тяжелыми ионамиXe (энергия Ei=80 кэВ) на оптические свойства, низкотемпературную проводимость и наноструктуру алмазоподобных пленок углерода(DLC). Установлены ряд специфических особенностей поведения графитоподобных нанокластеров, которые не наблюдаются при бомбардировке пленок легкими ионами. Вобласти низких доз облучения (D1.2· 1015 см-2) эффективная оптическая щель, определенная из зависимости Тауца, становится отрицательной, что связано с большой плотностью электронных состояний дефектов внутри щели. Вэтой области изменяется температурная зависимость проводимости, хотя сам механизм остается прыжковым. Ширина зоны дефектных состояний, образующейся в результате облучения, по которой осуществляется перенос зарядов, составляет0.07 эВ, что близко к ранее полученному нами значению.
Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Степанов А.Л., Хайбуллин И.Б. Модификация наноструктуры алмазоподобных пленок углерода бомбардировкой ионами ксенона // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 748

Изучалась динамика отражения зондирующего пучка с длиной волны lambda=0.63 мкм от кремния, аморфизованного ионной имплантацией, (a-Si) при инициировании в нем процессов плавления и отвердевания воздействием эксимерного ArF-лазера. Установлено, что однократное плавление a-Si при энергиях ниже эпитаксиального порога не приводит к формированию поликристалла, но инициирует образование в аморфной матрице удаленных друг от друга нанокристаллов. Их присутствие обусловливает формирование поликристаллической структуры из расплава под действием второго лазерного импульса и возможность промежуточной кристаллизацииSi в лазерно-индуцированной последовательности фазовых переходов. Проведено сравнение полученных данных с результатами изучения в аналогичных экспериментальных условиях фазовых превращений, инициируемых в тонких слоях гидрогенизированного a-Si на стеклянных подложках.
Ивлев Г.Д., Гацкевич Е.И. Фазовые превращения, инициируемые втонких слоях аморфного кремния наносекундным воздействием излучения эксимерного лазера // ФТП, 2003, том 37, выпуск 5, Стр. 622

Проведено квантово-химическое моделирование влияния дефектов типа гипервалентных конфигураций и VAP-d на спектр инфракрасного поглощения и электронную структуру a-Se. Показано, что формирование VAP-d приводит кпоявлению дополнительного пика ввысокочастотной области (337 cм-1), а гипервалентная конфигурация дает два дополнительных пика вблизи основной частоты валентных колебаний. Найдено, что формирование гипервалентных конфигураций вызывает существенные сдвиги верхних занятых и нижних вакантных молекулярных орбиталей, что должно приводить кпоявлению взапрещенной зоне локализованных состояний, которые могут играть роль как ловушек, так и доноров электронов. Врентгеновском эмиссионном спектре лишь один из рассмотренных дефектов приводит кпоявлению дополнительного пика, отстоящего от верхнего края полосы поглощения на 1.5 эВ, что делает возможным его обнаружение экспериментальным путем.
Зюбин А.С., Григорьев Ф.В., Дембовский C.А. Квантово-химическое моделирование влияния дефектов наинфракрасный спектр иэлектронную структуру a-Se // ФТП, 2003, том 37, выпуск 5, Стр. 616

Полуизолирующие слои карбида кремния получены диффузией ванадия впористый 4H-SiC. Диффузия проведена из пленки, полученной сораспылением кремния иванадия, исодержавшей 20%ванадия. Диффузионный профиль ванадия впористом карбиде кремния имел сложную структуру скоэффициентом быстрой диффузии 7·10-15 см2/с. Энергия активации удельного сопротивления диффузионно-легированных ванадием слоев пористого SiC была равна1.45 эВ. Удельное сопротивление легированных ванадием полуизолирующих слоев составило 5·1011 Ом·см при500 K ина 2 порядка превышало удельное сопротивление нелегированного пористого SiC. Полученные результаты указывают на перспективность использования пористого SiC для создания полуизолирующих подложек для приборных структур на основе широкозонных полупроводников.
Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Кузнецов Н.И., Кузнецов А.Н., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А. Полуизолирующие слои карбида кремния, полученные диффузией ванадия впористый 4H-SiC // ФТП, 2003, том 37, выпуск 5, Стр. 612

Предложен новый способ получения пористого кремния, использующий вкачестве источника тока разность потенциалов, которая возникает между погруженными враствор электролита пластиной кремния иплатиновым контрэлектродом. Добавка перекиси водорода вэлектролит на основе плавиковой кислоты иэтанола позволяет управлять плотностью тока процесса иизготавливать фотолюминесцентные слои без применения внешнего источника тока.
Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. Электролитический способ приготовления пористого кремния сиспользованием внутреннего источника тока // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 494

В пленках аморфного углерода, модифицированного железом, методом рамановского рассеяния исследованы спектры колебательных частот углерода в диапазоне1000--1800 см-1. Концентрация железа в пленке задавалась технологически с помощью изменения отношения площадей графитовой и железной частей мишени от образца к образцу и контролировалась с помощью обратного резерфордовского рассеяния. Были выращены слои аморфного углерода, содержащие 3, 26, 38 и54 ат%железа. Спектры рамановского рассеяния представляли собой широкую полосу с особенностями, характерными для аморфного углерода и лежащими вблизи1332 см-1 (D-полоса) и 1552 см-1 (G-полоса). При концентрациях 38 и 54 ат%железа спектр распадается на ряд полос, что свидетельствует о фрагментации матрицы аморфного углерода с ростом концентрации железа. Показано, что интегральная амплитуда рассеяния нелинейно уменьшается с увеличением содержания железа в образце. Эффект исследован с помощью модели, учитывающей линейную зависимость скорости изменения концентрации атомов, дающих вклад в рассеяние, при изменении атомной доли углерода от общего числа атомов углерода в пленке.
Ястребов С.Г., Иванов-Омский В.И., Думитраче Ф., Морошану К. Рамановская спектроскопия аморфного углерода, модифицированного железом // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 490

Экспериментально и теоретически исследовано распространение ультразвуковых сигналов, возбуждаемых наносекундными лазерными импульсами впористом кремнии. Образцы представляли собой слои толщиной 5--40 мкм и пористостью 50--75%, сформированные на монокристаллической кремниевой подложке посредством ее электрохимического травления. Показано, что используемый лазерный ультразвуковой метод позволяет одновременно определять и толщину, и пористость слоя, при этом максимальные погрешности диагностики составляют порядка 1 мкм для толщины и5% для пористости.
Жаркий С.М., Карабутов А.А., Пеливанов И.М., Подымова Н.Б., Тимошенко В.Ю. Исследование слоев пористого кремния лазерным ультразвуковым методом // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 485

Представлены результаты исследований структуры и оптических свойств пленок фуллерена C60, полученных методом термического испарения в вакууме на подложках из термостойких полимеров (полиакрилонитрил, циклизованный полиакрилонитрил в композиции с полиимидом). Структуру пленокC60 определяли методом рентгеновской дифрактометрии. На всех дифрактограммах пленок фуллерена их структура проявляется отражениями от плоскостей(111), (220) и(311). Осаждением фуллерена при температуре подложки до 200oC получены пленкиC60 кубической структуры. Исследования поверхности пленок методом атомно-силовой микроскопии показали наличие морфологии, подобной пластинчатому строению. Спектры пропускания в инфракрасной области свидетельствуют о наличии и неизменности положения характеристических полосC60 (527, 576, 1183 и 1428 см-1) для всех образцов пленок фуллерена. Исследование фотолюминесценции пленок фуллерена выявило полосы с энергетическим положением, как превышающим, так и более низким по отношению к их типичным значениям для молекулярногоC60. Данное обстоятельство обусловлено процессами взаимодействия электронных pi-систем C60 и полимерной подложки на гетерогранице, а также реакцией фотополимеризации фуллерена под воздействием высокоэнергетического лазерного излучения и появлением в пленках ловушечных центров.
Бирюлин Ю.Ф., Згонник В.Н., Меленевская Е.Ю., Миков С.Н., Моливер С.С., Орлов С.Е., Новоселова А.В., Петриков В.Д., Розанов В.В., Сыкманов Д.А., Яговкина М.А. Структура иоптические свойства пленок C60 наполимерных подложках // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 365

С помощью метода, основанного на измерении анизотропии неупругого рассеяния электронов, исследовалось накопление структурного разупорядочения вмонокристаллахSi, облучаемых ионами Ne+ сэнергией10 кэВ. Показано, что накопление разупорядочения происходит как нарастание аморфного слоя от границы между естественным окислом икристаллическимSi. Установлено, что скорость роста аморфного слоя не зависит от плотности тока ионов ичто существует пороговая доза накопления. Результаты объясняются спомощью модели, основанной на диффузии генерируемых подвижных точечных дефектов кповерхности споследующей их сегрегацией ина предположении оналичии висходных монокристаллах насыщаемых стоков. Проведенные по этой модели численные расчеты показали хорошее согласие сэкспериментальными результатами, полученными как вданной работе, так идругими авторами.
Титов А.И., Азаров А.Ю., Беляков В.С. Кинетика роста поверхностных аморфных слоев при облучении кремния легкими ионами низких энергий // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 358