Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 237, для научной тематики: Стеклообразные и пористые полупроводники


81.

Вольт-амперные характеристики электролюминесцентных структур Me/a-Si : H< Er>/c-Si, изготовленных магнетронным распылением     

Иванов П.А., Коньков О.И., Теруков Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Иванов П.А., Коньков О.И., Теруков Е.И. Вольт-амперные характеристики электролюминесцентных структур Me/a-Si : H< Er>/c-Si, изготовленных магнетронным распылением // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 617
82.

Перенос носителей заряда в двухколлекторном магнитотранзисторе     

Глауберман М.А., Козел В.В., Нахабин А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Глауберман М.А., Козел В.В., Нахабин А.В. Перенос носителей заряда в двухколлекторном магнитотранзисторе // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 622
83.

Kinetics of light-induced degradation in a-Si : H films investigated by computer modeling     

Meytin M.N., Zeman M., Budaguan B.G., Metselaar J.W. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Meytin M.N., Zeman M., Budaguan B.G., Metselaar J.W. Kinetics of light-induced degradation in a-Si : H films investigated by computer modeling // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 742
84.

Эффект Стеблера--Вронского и температурные зависимости фотопроводимости a-Si : H p-типа     

Кузнецов C.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Кузнецов C.В. Эффект Стеблера--Вронского и температурные зависимости фотопроводимости a-Si : H p-типа // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 748
85.

Модификация оптоэлектронных свойств пористого кремния, приготовленного в электролите на основе тяжелой воды     

Каменев Б.В, Константинова Е.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Каменев Б.В, Константинова Е.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. Модификация оптоэлектронных свойств пористого кремния, приготовленного в электролите на основе тяжелой воды // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 753
86.

Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия     

Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Рудь Ю.В., Смирнов А.Н., Смирнова Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Рудь Ю.В., Смирнов А.Н., Смирнова Н.Н. Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 757
87.

Влияние нанокристаллических включений на фоточувствительность пленок аморфного гидрированного кремния     

Голикова О.А., Казанин М.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Голикова О.А., Казанин М.М. Влияние нанокристаллических включений на фоточувствительность пленок аморфного гидрированного кремния // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 762
88.

Моделирование фотохимических превращений ифотопотемнения пленок фоторезистов поддействием импульсного вакуумного ультрафиолетового излучения     

Калитеевская Н.А., Сейсян Р.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Калитеевская Н.А., Сейсян Р.П. Моделирование фотохимических превращений ифотопотемнения пленок фоторезистов поддействием импульсного вакуумного ультрафиолетового излучения // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 857
89.

Влияние эрбия на электрические и фотоэлектрические свойства аморфного кремния, полученного высокочастотным разложением силана     

Теруков Е.И., Казанин М.М., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Коугия К.В., Никулин Ю.А., Казанский А.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Теруков Е.И., Казанин М.М., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Коугия К.В., Никулин Ю.А., Казанский А.Г. Влияние эрбия на электрические и фотоэлектрические свойства аморфного кремния, полученного высокочастотным разложением силана // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 861
90.

О механизме образования пористого кремния     

Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. О механизме образования пористого кремния // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1130