Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 237, для научной тематики: Стеклообразные и пористые полупроводники

181.

Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных сиспользованием электролита HCl : HF : C2H5OH     

Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследовались свойства образцов пористого кремния, проявляющих интенсивную фотолюминесценцию, не деградирующих со временем, а также под действием интенсивного лазерного излучения. Образцы были изготовлены с добавлением в обычный фтористо-водородный электролит соляной кислоты. Пик фотолюминесценци...
182.

Влияние условий имплантации на перераспределение эрбия притвердофазной эпитаксиальной кристаллизации кремния     

Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследовалось влияние дозы, энергии и температуры имплантации ионов эрбия и соимплантации ионов кислорода на концентрационные профили Er при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации аморфизованного слоя кремния и параметры сегрегационной модели--- ширину переходного слоя L и координатную зависи...
183.

Пленки аморфного гидрированного кремния с повышенной фоточувствительностью     

Голикова О.А., Казанин М.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследованы пленки a-Si : H с фоточувствительностью до 106, повышенной по сравнению с фоточувствительностью "стандартного" a-Si : H на 2 порядка. Пленки имели энергию активации темновой проводимости (sigmad) Delta E=0.85/ 1.1 эВ. Фотопроводимость sigmaph измерялась при скорости генерации фотоноси...
184.

Влияние термического отжига на интенсивность полосы фотолюминесценции 1.54 мкм в легированном эрбием гидрогенизированном аморфном кремнии     

Андреев А.А., Воронков В.Б., Голубев В.Г., Медведев А.В., Певцов А.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Легированные эрбием пленки a-Si : H получены магнетронным распылением мишени Si--Er при температуре осаждения 200oC. Затем проведен кумулятивный термический отжиг. После отжига при 300oC в течение 15 мин в атмосфере азота обнаружено резкое возрастание (в ~50раз) интенсивности фотолюминесценц...
185.

Влияние условий получения и отжига на оптические свойства аморфного кремния     

Машин А.И., Ершов А.В., Хохлов Д.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Представлены спектральные характеристики показателя преломления и коэффициента экстинкции в диапазоне 0.6/ 2.0 эВ пленок аморфного кремния, полученных электронно-лучевым испарением при вариации температуры подложки, скорости напыления и температуры отжига на воздухе. Полученные результаты обсужда...
186.

Влияние кислорода наинтенсивность фотолюминесценции Er(1.54 мкм) впленках a-Si : H, легированных эрбием     

Кудоярова В.Х., Кузнецов А.Н., Теруков Е.И., Гусев О.Б., Кудрявцев Ю.А., Бер Б.Я., Гусинский Г.М., Fuhs W., Weiser G., Kuehne H. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследовано влияние кислорода на фотолюминесценцию эрбия (ФЛ Er, 1.54 мкм) в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном эрбием. Пленки a-Si : H были изготовлены совместным распылением мишеней Si и Er с применением технологии разложения силана на постоянном токе в магнитном поле....
187.

Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний впленках a-Si:H, выращенных при высоких температурах     

Курова И.А., Ормонт Н.Н., Голикова О.А., Казанин М.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Приведены результаты исследования кинетики темновой проводимости пленок a-Si:H, полученных при температурах Ts=300/390oC, после кратковременной засветки и в процессе длительной засветки. Получены данные о релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний, связанных с положением равновесного ...
188.

Влияние гетерогенности материала на кинетику фотопроводимости ваморфном гидрогенизированном кремнии     

Коугия К.В., Теруков Е.И., Фус В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Предложена модель кинетики спада фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии в предположении о подбарьерном туннельном характере рекомбинации неравновесных носителей. Показано, что исследование формы спада фотопроводимости при импульсном возбуждении может быть эффективно использовано ...
189.

Долговременные структурные релаксации и фотоиндуцированная деградация в a-Si : H     

Коугия К.В., Певцов А.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Проведено исследование влияния циклов прогрев--засветка на электрофизические свойства аморфного кремния, полученного ВЧ разложением силана. На основе сравнения экспериментальных и теоретических результатов сделан вывод о том, что фотоиндуцированная деградация a-Si : H (эффект Стаблера--Вронского)...
190.

Легирование и компенсация примеси при имплантации ионов в пленки a-SiGe     

Ершов А.В., Машин А.И., Хохлов А.Ф. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Представлены результаты изучения электрических свойств пленок a-SiGe с содержанием Ge ~ 2.2 ат%, полученных испарением из раздельных источников Si и Ge и ионно-легированных примесями замещения (B+ и P+), а также результаты по направленной компенсации примеси при ионном легировании. Обнар...