Исследовались свойства образцов пористого кремния, проявляющих интенсивную фотолюминесценцию, не деградирующих со временем, а также под действием интенсивного лазерного излучения. Образцы были изготовлены с добавлением в обычный фтористо-водородный электролит соляной кислоты. Пик фотолюминесценции от полученных слоев пористого кремния располагался при энергиях 1.85-1.9 эВ. Сигнал фотолюминесценции от образцов, изготовленных на тех же исходных подложках по стандартной методике, без HCl в составе электролита, имел на2порядка меньшую интенсивность. Исследовалась деградация образцов пористого кремния со временем и под действием лазерного излучения различной мощности. Для образцов пористого кремния, полученных с максимальным содержанием HCl в составе электролита, сигнал фотолюминесценции не деградировал под действием лазерного излучения. В работе также исследовались инфракрасные спектры образцов с целью контроля химического состояния их поверхности. Получено, что резкое, в100раз, увеличение интенсивности сигнала фотолюминесценции от образцов, изготовленных по предложенной методике, может быть связано как с особенностями структурного строения слоев пористого кремния, так и с наличием тонкого совершенного слоя SiO2 на поверхности нанокристаллитов.
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных сиспользованием электролита HCl : HF : C2H5OH // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 198

Исследовалось влияние дозы, энергии и температуры имплантации ионов эрбия и соимплантации ионов кислорода на концентрационные профили Er при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации аморфизованного слоя кремния и параметры сегрегационной модели--- ширину переходного слоя L и координатную зависимость коэффициента сегрегации k(x). Увеличение дозы, уменьшение энергии и температуры имплантации Er сопровождается уменьшением ширины L и увеличением скорости роста коэффициента сегрегации k на начальном этапе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации, что объясняется повышением дефектности аморфизованного имплантированного слоя. Дополнительная имплантация кислорода приводит к аналогичным изменениям значений L и k(x), что связывается с образованием комплексов Er--O.
Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А. Влияние условий имплантации на перераспределение эрбия притвердофазной эпитаксиальной кристаллизации кремния // ФТП, 1999, том 33, выпуск 1, Стр. 114

Исследованы пленки a-Si : H с фоточувствительностью до 106, повышенной по сравнению с фоточувствительностью "стандартного" a-Si : H на 2 порядка. Пленки имели энергию активации темновой проводимости (sigmad) Delta E=0.85/ 1.1 эВ. Фотопроводимость sigmaph измерялась при скорости генерации фотоносителей 1019 см-3· c-1, энергии квантов varepsilon=2 эВ. Установлен ряд особенностей поведения sigmaph и и sigmad в зависимости от Delta E, а таже особенности спектральной характеристики и кинетики спада sigmaph при длительной засветке. Сделано заключение о перспективности использования исследованного материала в фотовольтаических приборах.
Голикова О.А., Казанин М.М. Пленки аморфного гидрированного кремния с повышенной фоточувствительностью // ФТП, 1999, том 33, выпуск 1, Стр. 110

Легированные эрбием пленки a-Si : H получены магнетронным распылением мишени Si--Er при температуре осаждения 200oC. Затем проведен кумулятивный термический отжиг. После отжига при 300oC в течение 15 мин в атмосфере азота обнаружено резкое возрастание (в ~50раз) интенсивности фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм. При температуре отжига <=500oC сигнал фотолюминесценции спадал практически до нуля. Влияние процессов термического отжига обсуждается в рамках модели частичной перестройки структурной сетки аморфных пленок a-Si(Er) : H.
Андреев А.А., Воронков В.Б., Голубев В.Г., Медведев А.В., Певцов А.Б. Влияние термического отжига на интенсивность полосы фотолюминесценции 1.54 мкм в легированном эрбием гидрогенизированном аморфном кремнии // ФТП, 1999, том 33, выпуск 1, Стр. 106

Представлены спектральные характеристики показателя преломления и коэффициента экстинкции в диапазоне 0.6/ 2.0 эВ пленок аморфного кремния, полученных электронно-лучевым испарением при вариации температуры подложки, скорости напыления и температуры отжига на воздухе. Полученные результаты обсуждаются на основе изменений энергетической зоны Пенна в зависимости от условий получения и обработки.
Машин А.И., Ершов А.В., Хохлов Д.А. Влияние условий получения и отжига на оптические свойства аморфного кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1390

Исследовано влияние кислорода на фотолюминесценцию эрбия (ФЛ Er, 1.54 мкм) в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном эрбием. Пленки a-Si : H<Er> были изготовлены совместным распылением мишеней Si и Er с применением технологии разложения силана на постоянном токе в магнитном поле. Концентрация кислорода изменялась путем увеличения парциального давления кислорода в камере и изменялась от 1019 до 1021 см-3. Показано, что, как в случае кристаллического кремния, легированного эрбием (c-Si<Er>), кислород оказывает влияние на интенсивность 1.54 мкм ФЛ в пленках a-Si : H<Er>. Значение концентраций эрбия и кислорода, при которых наблюдается максимальная интенсивность ФЛ Er, на 2 порядка выше, чем в кристаллическом кремнии. Увеличение интенсивности ФЛ Er при комнатной температуре и более слабая температурная зависимость ФЛ Er по сравнению с c-Si<Er,O> свидетельствуют о перспективе использования пленок a-Si : H<Er> для оптоэлектронных применений.
Кудоярова В.Х., Кузнецов А.Н., Теруков Е.И., Гусев О.Б., Кудрявцев Ю.А., Бер Б.Я., Гусинский Г.М., Fuhs W., Weiser G., Kuehne H. Влияние кислорода наинтенсивность фотолюминесценции Er(1.54 мкм) впленках a-Si : H, легированных эрбием // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1384

Приведены результаты исследования кинетики темновой проводимости пленок a-Si:H, полученных при температурах Ts=300/390oC, после кратковременной засветки и в процессе длительной засветки. Получены данные о релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний, связанных с положением равновесного уровня Ферми.
Курова И.А., Ормонт Н.Н., Голикова О.А., Казанин М.М. Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний впленках a-Si:H, выращенных при высоких температурах // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1269

Предложена модель кинетики спада фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии в предположении о подбарьерном туннельном характере рекомбинации неравновесных носителей. Показано, что исследование формы спада фотопроводимости при импульсном возбуждении может быть эффективно использовано для обнаружения структурных неоднородностей в аморфных или неупорядоченных полупроводниках.
Коугия К.В., Теруков Е.И., Фус В. Влияние гетерогенности материала на кинетику фотопроводимости ваморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1266

Проведено исследование влияния циклов прогрев--засветка на электрофизические свойства аморфного кремния, полученного ВЧ разложением силана. На основе сравнения экспериментальных и теоретических результатов сделан вывод о том, что фотоиндуцированная деградация a-Si : H (эффект Стаблера--Вронского) может быть связана с долговременными релаксациями структурных образований, вызванных предварительным отжигом материала.
Коугия К.В., Певцов А.Б. Долговременные структурные релаксации и фотоиндуцированная деградация в a-Si : H // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1263

Представлены результаты изучения электрических свойств пленок a-SiGe с содержанием Ge ~ 2.2 ат%, полученных испарением из раздельных источников Si и Ge и ионно-легированных примесями замещения (B+ и P+), а также результаты по направленной компенсации примеси при ионном легировании. Обнаружено, что при введении примесей в a-SiGe в диапазоне доз 1.3·1014/1.3·1017 см-2 и отжиге при 350oC проводимость пленок увеличивается от 10-9 до 10-4 и 10-5 См/см при легировании B+ и P+ соответственно. При этом положение уровня Ферми изменяется от (Ev+0.27) до (Ec-0.19) эВ. При дополнительном легировании примесью противоположного типа проявляется эффект компенсации "примесной" проводимости. Обнаружено, что эффективность легирования a-SiGe бором выше, чем фосфором.
Ершов А.В., Машин А.И., Хохлов А.Ф. Легирование и компенсация примеси при имплантации ионов в пленки a-SiGe // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1260