Исследовано влияние кислорода на фотолюминесценцию эрбия (ФЛ Er, 1.54 мкм) в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном эрбием. Пленки a-Si : H были изготовлены совместным распылением мишеней Si и Er с применением технологии разложения силана на постоянном токе в магнитном поле....
Исследовано влияние кислорода на фотолюминесценцию эрбия (ФЛ Er, 1.54 мкм) в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном эрбием. Пленки a-Si : H<Er> были изготовлены совместным распылением мишеней Si и Er с применением технологии разложения силана на постоянном токе в магнитном поле. Концентрация кислорода изменялась путем увеличения парциального давления кислорода в камере и изменялась от 1019 до 1021 см-3. Показано, что, как в случае кристаллического кремния, легированного эрбием (c-Si<Er>), кислород оказывает влияние на интенсивность 1.54 мкм ФЛ в пленках a-Si : H<Er>. Значение концентраций эрбия и кислорода, при которых наблюдается максимальная интенсивность ФЛ Er, на 2 порядка выше, чем в кристаллическом кремнии. Увеличение интенсивности ФЛ Er при комнатной температуре и более слабая температурная зависимость ФЛ Er по сравнению с c-Si<Er,O> свидетельствуют о перспективе использования пленок a-Si : H<Er> для оптоэлектронных применений.
Кудоярова В.Х., Кузнецов А.Н., Теруков Е.И., Гусев О.Б., Кудрявцев Ю.А., Бер Б.Я., Гусинский Г.М., Fuhs W., Weiser G., Kuehne H. Влияние кислорода наинтенсивность фотолюминесценции Er(1.54 мкм) впленках a-Si : H, легированных эрбием // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1384