Проведен кинетический и термодинамический анализ реконструкционных переходов на поверхности (001) арсенида галлия. Показано, что переход от As-стабилизированной (2x 4)beta 2 до Ga-стабилизированной (2x 4)beta2 структуры в потоке As4 является неравновесным фазовым переходом и осуществляется в условиях достижения определенной стационарной концентрации адатомов мышьяка на поверхности. Переход является непрерывным и описывается трехпараметрической изотермой. Движущей силой адсорбат-индуцированного перехода является энергия стабилизации фазы (2x 4)beta2, возникающая при образовании димеров мышьяка из адатомов мышьяка. Проведена оценка этой энергии. Обсуждаются особенности фазовых переходов, происходящих в потоке As4 и в условиях десорбции пленки аморфного мышьяка.
Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Мощенко С.П., Торопов А.И. Термодинамические и кинетические аспекты реконструкционных переходов на поверхности (001) GaAs // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 978

На основе анализа основных факторов импульсного воздействия лазерного излучения на образование точечных и линейных дефектов в кристаллах показано, что в условиях реального эксперимента концентрация образующихся собственных дефектов недостаточна, чтобы обеспечить многоступенчатое туннелирование электронов через широкий слой объемного заряда. На этом основании, а также на основании сходства в поведении туннельного избыточного тока в исследованных структурах при повторных облучениях с особенностями пластической деформации при повторных воздействиях сделан вывод об определяющей роли дислокаций в появлении туннельного избыточного тока.
Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г. Дислокационная природа туннельного избыточного тока в структурах GaAs--Ni, модифицированных лазерным излучением // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 976

Рассмотрено влияние полупроводника на распределение подвижных ионов в тонких пленках диэлектрика вблизи границы диэлектрик--полупроводник. Проведен расчет степени локализации ионов у границы раздела под действием поля в пленке. Определен порог их делокализации при уменьшении напряжения на структуре. Обсуждается связь между порогами делокализации ионов и пиками ионных токов на динамических вольт-амперных характеристиках системы.
Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Распределение подвижных ионов втонких пленках диэлектрика вблизи границы диэлектрик--полупроводник // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 970

Изготовлены туннельные светодиоды на основе Si : (Er, O), в которых в режиме пробоя наблюдается минимальная из зарегистрированных постоянная времени нарастания интенсивности электролюминесценции ионов эрбия. Это обусловлено образованием Er-содержащих центров с эффективным сечением возбуждения ионов эрбия ~ 7· 10-16 см2 и временем жизни возбужденного состояния~ 17 мкс. Впервые при комнатной температуре измерено время жизни в первом возбужденном состоянии ионов эрбия после выключения обратного тока, связанное с оже-передачей энергии свободным электронам в электронейтральной области диода.
Емельянов А.М., Соболев Н.А., Тришенков М.А., Хакуашев П.Е. Туннельные светодиоды на основе Si : (Er, O) смалыми временами нарастания электролюминесценции ионовEr3+ в режиме пробоя // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 965

Методом in situ измерений эффекта Холла при комнатной температуре показано, что формирование атомарно-чистой поверхности кремния Si (111) 7x 7 при высокотемпературном отжиге (T=1250oC, t=120-180 с) кремния n-типа проводимости приводит к смене знака основных носителей тока на поверхности, а на поверхности кремния p-типа образуется обогащенный дырками слой. Различная динамика изменений холловского напряжения и напряжения сопротивления в пределах первого монослоя адсорбции железа на подложки как с p-n-переходом, так и со слоем, обогащенным дырками, не связана с проводимостью по адсорбированному слою. Проводимость в слое железа с толщиной более трех монослоев обусловлена в обоих случаях переносом электронов со слоевой концентрацией 2· 1013-2· 1014 см-2 и подвижностью 65--90 см2/(В·с).
Галкин Н.Г., Горошко Д.Л., Конченко А.В., Захарова Е.С., Кривощапов С.Ц. Эффект Холла в субмонослойных системах Fe на Si (111) n- и p-типа проводимости // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 827

Исследуется фотоэффект в МДП структуре на основе Cd0.28Hg0.72Te с низкотемпературным пиролитическим SiO2 и In толщиной 5000 Angstrem, площадью 0.5x0.5 мм. Для МДП структуры с непрозрачным полевым электродом наблюдаемый фотоэффект заключается в изменении емкости и высокочастотной проводимости МДП структуры, он определяется фотоносителями, образующимися вне МДП структуры и достигающими ее за счет диффузии или по поверхностному каналу. Это происходит, когда МДП структура находится в состоянии инверсии; при этом образуется вихревой электрический ток, который пересекает индуцированный p-n-переход и замыкается сам на себя на периферии МДП структуры. В работе считается, что этот ток и дополнительное напряжение на p-n-переходе связаны между собой формулой Шокли. Определены следующие параметры: beta--- коэффициент в формуле Шокли, характеризующий неидеальность p-n-перехода; R0A--- произведение сопротивления при нулевом смещении на площадь p-n-перехода; Delta S--- площадь сбора фотоносителей. Получено: beta=1.52; R0A=2.7·105 Ом·см2; Delta S соответствует полоске по периметру МДП структуры шириной 15 мкм. Исследуемая МДП структура рассмотрена как фотоприемник.
Овсюк В.Н., Васильев В.В., Машуков Ю.П. Фоточувствительность структур In--SiO2--Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 822

Выполнены исследования фоточувствительности гетеропереходов, полученных осаждением тонких аморфных пленок на подложках кристаллического кремния. Обнаружена поляризационная фоточувствительность гетеропереходов, возникающая при наклонном падении линейно поляризованного излучения на их приемную плоскость. Установлено, что наведенный фотоплеохроизм гетеропереходов возрастает с увеличением угла падения theta по квадратичному закону и при theta=80o достигает 60%. Сделан вывод о том, что полученные гетеропереходы могут найти применение в качестве широкополосных фотосенсоров линейно поляризованного излучения.
Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Поляризационная фоточувствительность гетеропереходов a-Si : H/c-Si // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 818

Разработан метод определения энергетического спектра зарядов и плотностей поверхностных состояний на границах раздела структур полупроводник--диэлектрик--полупроводник, основанный на анализе вольт-фарадных характеристик. Экспериментальная проверка метода выполнена на структурах кремний--двуокись кремния--кремний, изготовленных путем прямого сращивания как зеркально полированных гладких пластин, так и пластин с регулярным мезаскопическим рельефом на внутренней поверхности из сращиваемых пластин. На поверхностях с регулярным рельефом потность поверхностных состояний меньше, чем на поверхностях без рельефа.
Берман Л.С., Белякова Е.И., Костина Л.С., Kim E.D., Kim S.C. Анализ зарядов и поверхностных состояний на границах раздела структур полупроводник--диэлектрик--полупроводник // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 814

Термообработкой в вакууме и воздушной среде получены фоточувствительные структуры на основе монокристаллов ZnSe. Исследованы спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур в естественном и линейно поляризованном излучении. Обнаружена и исследована поляризационная фоточувствительность структур на основе ZnSe в зависимости от условий их создания и геометрии фоторегистрации. Показано, что фотоплеoхроизм в этих структурах возникает при наклонном падении поляризованного излучения. Установлено, что термообработка ZnSe в воздушной среде вызывает понижение фотоплеoхроизма, что связывается с интерференционными явлениями в образующихся слоях. Сделан вывод о возможностях применения ZnSe в поляриметрических фотодетекторах коротковолнового диапазона и о новом подходе в диагностике процессов взаимодействия на поверхностиZnSe.
Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Иванов-Омский В.И., Украинец Н.А. Фоточувствительность структур на основе монокристаллов ZnSe // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 809

Проанализированы физические процессы, ответственные за формирование обратных вольт-амперных характеристик структур Al/SiO2/n-Si с толщиной SiO2 в пределах 1.2-3.2 нм и уровнем легирования кремния 1014-1018 см-3. Предложена новая модель для описания процесса эволюции энергии горячих электронов в таких структурах. Разграничена роль оже-ионизации и ударной ионизации. Теоретически и экспериментально изучены величины напряжений переключения туннельной МОП структуры. Показано, что напряжение переключения уменьшается с ростом толщины окисла.
Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных структур Al/SiO2/n-Si // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 803