Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность

81.

Термодинамические и кинетические аспекты реконструкционных переходов на поверхности (001) GaAs     

Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Мощенко С.П., Торопов А.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Проведен кинетический и термодинамический анализ реконструкционных переходов на поверхности (001) арсенида галлия. Показано, что переход от As-стабилизированной (2x 4)beta 2 до Ga-стабилизированной (2x 4)beta2 структуры в потоке As4 является неравновесным фазовым переходом и осуществляется в усло...
82.

Дислокационная природа туннельного избыточного тока в структурах GaAs--Ni, модифицированных лазерным излучением     

Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
На основе анализа основных факторов импульсного воздействия лазерного излучения на образование точечных и линейных дефектов в кристаллах показано, что в условиях реального эксперимента концентрация образующихся собственных дефектов недостаточна, чтобы обеспечить многоступенчатое туннелирование эл...
83.

Распределение подвижных ионов втонких пленках диэлектрика вблизи границы диэлектрик--полупроводник     

Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Рассмотрено влияние полупроводника на распределение подвижных ионов в тонких пленках диэлектрика вблизи границы диэлектрик--полупроводник. Проведен расчет степени локализации ионов у границы раздела под действием поля в пленке. Определен порог их делокализации при уменьшении напряжения на структу...
84.

Туннельные светодиоды на основе Si : (Er, O) смалыми временами нарастания электролюминесценции ионовEr3+ в режиме пробоя     

Емельянов А.М., Соболев Н.А., Тришенков М.А., Хакуашев П.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Изготовлены туннельные светодиоды на основе Si : (Er, O), в которых в режиме пробоя наблюдается минимальная из зарегистрированных постоянная времени нарастания интенсивности электролюминесценции ионов эрбия. Это обусловлено образованием Er-содержащих центров с эффективным сечением возбуждения ион...
85.

Эффект Холла в субмонослойных системах Fe на Si (111) n- и p-типа проводимости     

Галкин Н.Г., Горошко Д.Л., Конченко А.В., Захарова Е.С., Кривощапов С.Ц. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Методом in situ измерений эффекта Холла при комнатной температуре показано, что формирование атомарно-чистой поверхности кремния Si (111) 7x 7 при высокотемпературном отжиге (T=1250oC, t=120-180 с) кремния n-типа проводимости приводит к смене знака основных носителей тока на поверхности, а на по...
86.

Фоточувствительность структур In--SiO2--Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом     

Овсюк В.Н., Васильев В.В., Машуков Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Исследуется фотоэффект в МДП структуре на основе Cd0.28Hg0.72Te с низкотемпературным пиролитическим SiO2 и In толщиной 5000 Angstrem, площадью 0.5x0.5 мм. Для МДП структуры с непрозрачным полевым электродом наблюдаемый фотоэффект заключается в изменении емкости и высокочастотной проводимости МДП ...
87.

Поляризационная фоточувствительность гетеропереходов a-Si : H/c-Si     

Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Выполнены исследования фоточувствительности гетеропереходов, полученных осаждением тонких аморфных пленок на подложках кристаллического кремния. Обнаружена поляризационная фоточувствительность гетеропереходов, возникающая при наклонном падении линейно поляризованного излучения на их приемную п...
88.

Анализ зарядов и поверхностных состояний на границах раздела структур полупроводник--диэлектрик--полупроводник     

Берман Л.С., Белякова Е.И., Костина Л.С., Kim E.D., Kim S.C. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Разработан метод определения энергетического спектра зарядов и плотностей поверхностных состояний на границах раздела структур полупроводник--диэлектрик--полупроводник, основанный на анализе вольт-фарадных характеристик. Экспериментальная проверка метода выполнена на структурах кремний--двуокись ...
89.

Фоточувствительность структур на основе монокристаллов ZnSe     

Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Иванов-Омский В.И., Украинец Н.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Термообработкой в вакууме и воздушной среде получены фоточувствительные структуры на основе монокристаллов ZnSe. Исследованы спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур в естественном и линейно поляризованном излучении. Обнаружена и исслед...
90.

Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных структур Al/SiO2/n-Si     

Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Проанализированы физические процессы, ответственные за формирование обратных вольт-амперных характеристик структур Al/SiO2/n-Si с толщиной SiO2 в пределах 1.2-3.2 нм и уровнем легирования кремния 1014-1018 см-3. Предложена новая модель для описания процесса эволюции энергии горячих электронов в т...