Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность

141.

Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2-структуры при отжиге в вакууме     

Гадияк Г.В., Stathis J. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Предлагается теоретическая модель для описания эволюции Pb-центров на границе раздела Si/SiO2 при отжиге в вакууме. Модель принимает во внимание реакции, происходящие с центрами на границе раздела, диффузию атомарного и молекулярного водорода. Выполнен расчет констант реакций в диффузионном прибл...
142.

Определение скорости поверхностной рекомбинации вэпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe из измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда     

Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Варавин В.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Измерены зависимости планарного магнитосопротивления от магнитного поля для эпитаксиальных слоев n-CdxHg1-xTe (x=0.211, 0.22) при температурах 300 и 77 K. При 77 K измерения проведены в электрическом поле ниже и выше пороговых полей для лавинной ударной ионизации. По результатам измерений планарн...
143.

О токопереносе впористом p-Si иструктурах Pd--< пористый Si>     

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследованы механизмы токопрохождения в температурном интервале 78/300 K в пористом p-Si и структурах Pd--p-por-Si. Показано, что при 78 K определяющим является дрейфовый перенос при участии глубоких ловушек с концентрацией Nt~1.3·1013 см-3. При более высоких температурах преобладает ди...
144.

Многочастичные эффекты притуннелировании электронов вструктуре металл--изолятор--полупроводник p-типа     

Миньков Г.М., Германенко А.В., Рут О.Э. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследована туннельная проводимость структур, изготовленных на сильно легированном узкощелевом полупроводнике p-типа HgCdTe. Обнаружено резкое возрастание туннельной проводимости sigmad(V) при напряжениях, соответствующих началу туннелирования в зону проводимости. Показано, что наблюдаемые зависи...
145.

Донорно-акцепторная рекомбинация в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlAs, легированных кремнием     

Решина И.И., Планель Р. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
В спектрах фотолюминесценции короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs, легированных кремнием в барьерах или в ямах и барьерах, наряду с экситонной полосой обнаружена низкочастотная полоса, которую мы интерпретируем как донорно-акцепторную рекомбинацию на основании зависимости ее частоты от интенси...
146.

К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике приопределении переходного сопротивления омических контактов     

Андреев А.Н., Растегаева М.Г., Растегаев В.П., Решанов С.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Предложена разновидность конфигурации контактных площадок с радиальной геометрией, имеющая ряд преимуществ при определении переходного сопротивления омических контактов (rhoc) изготовленных к подложкам и слоям полупроводника с высокой проводимостью. Рассмотрены различные варианты ее применения ка...
147.

Особенности квантового эффекта Холла в широкой потенциальной яме p-Ge1-xSix/Ge/p-Ge1-xSix     

Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В., Кузнецов О.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
В серии многослойных селективно легированных структур p-типа (Ge1-xSix/Ge)x N с шириной слоя Ge от 100 до 250 Angstremисследован квантовый магнитотранспорт в полях до 35 Тл при температурах 1.5/ 4.2 K. Вид полученных зависимостей сопротивления как продольного rhoxx, так и холловского rhoxy от маг...
148.

Поверхностная подвижность ираспределение электронов вобогащенном слое гетероструктур Ga2Se3--GaAs     

Антюшин В.Ф., Арсентьев И.Н., Власов Д.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Измерены зависимости дрейфовой подвижности электронов в обогащенных каналах проводимости гетероструктур Ga2Se3--GaAs от поверхностной плотности зарядов. Обнаружено наличие зарядовой связи по обогащенному слою, достаточной для создания электротехнических (или микроэлектронных) приборов. ...
149.

Наведенный фотоплеохроизм p-GaAlAs--p--n-GaAs структур     

Бердинобатов А., Назаров Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Саркисова В.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Экспериментально исследована поляризационная фоточувствительность фотопреобразовательных структур анодный окисел--p-Ga0.3Al0.7As--p-n-GaAs, возникающая при наклонном падении линейно-поляризованного излучения на покрытую анодным окислом приемную плоскость. Установлено, что наведенный фотоплеохроиз...
150.

Механизм анодной электролюминесценции пористого кремния вэлектролитах     

Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Полисский Г., Сресели О.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Предложен и детально проанализирован механизм переноса носителей зарядов из электролита в пористый кремний, объясняющий его эффективную анодную электролюминесценцию. Показано, что при протекании тока через межфазную границу в электролите накапливаются электроактивные частицы--- атомарные водород ...