Методами рентгеновской фотоэлектронной и рамановской спектроскопии изучались химический состав и положение поверхностного уровня Ферми в n- и p-GaAs (100) при пассивации в спиртовых растворах сульфида аммония. Показано, что сульфидирование GaAs приводит к снижению как количества оксидов на поверхности и к формированию на ней сульфидного покрытия, так и к уменьшению приповерхностного барьера; при этом в n-GaAs поверхностный уровень Ферми смещается в направлении зоны проводимости, а в p-GaAs--- в направлении валентной зоны. Установлено, что по мере уменьшения диэлектрической проницаемости сульфидного раствора возрастают как константа скорости реакции формирования сульфидов на поверхности, так и величина смещения поверхностного уровня Ферми; при этом смещение в n-GaAs составляет 0.53 эВ, а в p-GaAs 0.27 эВ при пассивации в растворе сульфида аммония в трет-бутаноле. Предложена модель, объясняющая эти экспериментальные результаты на основе учета реакционной способности сульфид-иона в растворе.
Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Лебедев М.В., Zahn D.R.T. Пассивация GaAs в спиртовых растворах сульфида аммония // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1350

Проведено исследование спектров электролюминесценции p-n-структур на основе 6H-SiC, полученных сублимационной эпитаксией. Обнаружено, что интенсивность экситонной полосы быстро увеличивается с ростом плотности прямого тока и что данная полоса становится преобладающей в спектре излучения диода при больших плотностях прямого тока и повышенных температурах. Исследование сдвига положения максимума излучения данной полосы с ростом температуры показывает, что она скорее всего обусловлена рекомбинацией свободного экситона.
Лебедев А.А., Полетаев Н.К., до Кармо М.Ц. Исследование экситонной электролюминесценции p-n-структур наоснове 6H-SiC, полученных сублимационной эпитаксией // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1347

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства резких анизотипных гетеропереходов p-Pb0.93Sn0.07Se/n-PbSe с концентрациями дырок в кристалле твердого раствора 1·1016/2·1018 см-3 и электронов в пленке PbSe 1·1017/5· 1018 см-3, изготовленных методом вакуумной эпитаксии пленки PbSe на монокристалл твердого раствора. Определены условия приготовления резких анизотипных гетеропереходов с минимальной плотностью состояний на металлургической границе (4· 1010см-2). Проанализированы зависимости сигнала фотоответа от концентрации носителей тока в базовых областях и особенности спектрального распределения фоточувствительности. Исследованы прямые и обратные вольт-амперные характеристики. В приближении модели идеального гетероперехода построена зонная диаграмма.
Гаврикова Т.А., Зыков В.А. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипного гетероперехода Pb0.93Sn0.07Se/PbSe // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1342

Приведены результаты изучения температурной зависимости емкости контакта Al-As2Se2 в области инфранизких частот и оценены значения параметров, характеризующих процессы накопления зарядов.
Аванесян В.Т., Бордовский В.А., Кастро Р.А. Релаксационные свойства контакта металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1340

В рамках обобщенной зонной модели полупроводника Андерсона--Халдейна рассмотрено влияние квазилокализованных электронных состояний, лежащих в запрещенной зоне, на состояния, наведенные атомами металла, адсорбированными на поверхности полупроводника. Обсуждается формирование барьера Шоттки при малых степенях металлического покрытия. Численные расчеты выполнены для системы металл--p-GaAs(110).
Давыдов С.Ю. Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1236

Методом нестационарной емкостной спектроскопии изучалась кинетика введения центров P2 и P3 в эпитаксиальных слоях GaAs n-типа при облучении электронами с энергией 4 МэВ в температурном интервале 380/ 550oC. Показано, что скорости введения центров не зависят от температуры в этом интервале. Установлено, что концентрация центров P2 пропорциональна D0.7, а центров P3--- D0.5, где D--- доза облучения.
Пешев В.В., Смородинов С.В. Высокотемпературное облучение арсенида галлия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1234

С помощью специально разработанной системы регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение исследована динамика перехода от двухмерного к трехмерному механизму роста в гетероэпитаксиальной системе InAs/GaAs. Впервые анализ динамики изменения картин дифракции был использован для изучения кинетики образования квантовых точек. Обнаружен временной сдвиг на динамических зависимостях интенсивности дифракции на картинах, снятых при различных дифракционных углах, объясняемый различными размерами трехмерных островков на начальной стадии распада псевдоморфного слоя. При определенных условиях выращивания квантовых точек InAs/GaAs наблюдалось появление рефлексов, наклоненных на 45o по отношению к основным. Это свидетельствует об упорядочении островков в кристаллографических направлениях [001] и [010].
Цырлин Г.Э., Корнеева Н.П., Демидов В.Н., Поляков Н.К., Петров В.Н., Леденцов Н.Н. Исследование перехода от двумерного ктрехмерному росту всистеме InAs/GaAs спомощью дифракции быстрых электронов наотражение // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1230

Экспериментально исследована зависимость квантовой эффективности коротковолнового фотоэффекта от приложенного обратного напряжения в диодах Шоттки на основе GaAs, когда длина поглощения света много меньше ширины области пространственного заряда. Обнаружена сильная зависимость квантовой эффективности фотоэлектропреобразования от величины контактного электрического поля и от энергии фотонов. Полевая зависимость квантовой эффективности объясняется в рамках модели флуктуационных ловушек. Эта модель позволяет также определить коэффициент потерь горячих фотоносителей, который, как оказалось, ступенчато растет с ростом энергии фотонов. Этот эффект объясняется образованием экситонов в X- и L-долинах полупроводника.
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Оболенский О.И., Поссе Е.А. Влияние электрического поля в слое объемного заряда наэффективность коротковолнового фотоэлектропреобразования вдиодах Шоттки на основе арсенида галлия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1225

Описаны результаты исследования глубоких уровней в p-базе 6H-SiC-диодов. Глубокий уровень неизвестной природы с энергией ионизации Ec-1.45 эВ является центром эффективной рекомбинации неосновных носителей, который контролирует рекомбинационные процессы. Уровень с энергией ионизации Ec-0.16 эВ приписывается к донорной примеси азота. Процессы захвата и термоактивации электронов, связанные с этим уровнем, значительно увеличивают длительность релаксации тока через p-n-переход.
Кузнецов Н.И., Edmond J.A Влияния глубоких уровней нарелаксацию тока в 6H-SiC-диодах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1220

Исследована электролюминесценция в разъединенной одиночной гетероструктуре IIтипа p-GaInAsSb/p-InAs при T=4.2/ 77 K. Показано, что при понижении температуры ниже T=77 K две полосы люминесценции с энергиями максимумов 311 мэВ (полосаA) и384 мэВ (полосаB) сдвигаются в сторону больших энергий, причем при T=4.2 K коротковолновая полоса расщепляется на две полосы B1 и B2. Результаты объясняются в рамках модели, учитывающей рекомбинацию электронов из зоны проводимости на акцепторный уровень в InAs, а также рекомбинацией электронов и дырок, локализованных в самосогласованных квантовых ямах по разные стороны от гетерограницы.
Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Иванов-Омский В.И., Михайлова М.П., Михайлов М.Ю., Моисеев К.Д., Смирнов В.А., Яковлев Ю.П. Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1216