Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность

171.

Пассивация GaAs в спиртовых растворах сульфида аммония     

Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Лебедев М.В., Zahn D.R.T. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Методами рентгеновской фотоэлектронной и рамановской спектроскопии изучались химический состав и положение поверхностного уровня Ферми в n- и p-GaAs (100) при пассивации в спиртовых растворах сульфида аммония. Показано, что сульфидирование GaAs приводит к снижению как количества оксидов на поверх...
172.

Исследование экситонной электролюминесценции p-n-структур наоснове 6H-SiC, полученных сублимационной эпитаксией     

Лебедев А.А., Полетаев Н.К., до Кармо М.Ц. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Проведено исследование спектров электролюминесценции p-n-структур на основе 6H-SiC, полученных сублимационной эпитаксией. Обнаружено, что интенсивность экситонной полосы быстро увеличивается с ростом плотности прямого тока и что данная полоса становится преобладающей в спектре излучения диода при...
173.

Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипного гетероперехода Pb0.93Sn0.07Se/PbSe     

Гаврикова Т.А., Зыков В.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства резких анизотипных гетеропереходов p-Pb0.93Sn0.07Se/n-PbSe с концентрациями дырок в кристалле твердого раствора 1·1016/2·1018 см-3 и электронов в пленке PbSe 1·1017/5· 1018 см-3, изготовленных методом вакуумной эпитаксии п...
174.

Релаксационные свойства контакта металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник     

Аванесян В.Т., Бордовский В.А., Кастро Р.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Приведены результаты изучения температурной зависимости емкости контакта Al-As2Se2 в области инфранизких частот и оценены значения параметров, характеризующих процессы накопления зарядов. ...
175.

Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников     

Давыдов С.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
В рамках обобщенной зонной модели полупроводника Андерсона--Халдейна рассмотрено влияние квазилокализованных электронных состояний, лежащих в запрещенной зоне, на состояния, наведенные атомами металла, адсорбированными на поверхности полупроводника. Обсуждается формирование барьера Шоттки при мал...
176.

Высокотемпературное облучение арсенида галлия     

Пешев В.В., Смородинов С.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Методом нестационарной емкостной спектроскопии изучалась кинетика введения центров P2 и P3 в эпитаксиальных слоях GaAs n-типа при облучении электронами с энергией 4 МэВ в температурном интервале 380/ 550oC. Показано, что скорости введения центров не зависят от температуры в этом интервале. Устано...
177.

Исследование перехода от двумерного ктрехмерному росту всистеме InAs/GaAs спомощью дифракции быстрых электронов наотражение     

Цырлин Г.Э., Корнеева Н.П., Демидов В.Н., Поляков Н.К., Петров В.Н., Леденцов Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
С помощью специально разработанной системы регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение исследована динамика перехода от двухмерного к трехмерному механизму роста в гетероэпитаксиальной системе InAs/GaAs. Впервые анализ динамики изменения картин дифракции был использован...
178.

Влияние электрического поля в слое объемного заряда наэффективность коротковолнового фотоэлектропреобразования вдиодах шоттки на основе арсенида галлия     

Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Оболенский О.И., Поссе Е.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Экспериментально исследована зависимость квантовой эффективности коротковолнового фотоэффекта от приложенного обратного напряжения в диодах Шоттки на основе GaAs, когда длина поглощения света много меньше ширины области пространственного заряда. Обнаружена сильная зависимость квантовой эффективно...
179.

Влияния глубоких уровней нарелаксацию тока в 6H-SiC-диодах     

Кузнецов Н.И., Edmond J.A - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Описаны результаты исследования глубоких уровней в p-базе 6H-SiC-диодов. Глубокий уровень неизвестной природы с энергией ионизации Ec-1.45 эВ является центром эффективной рекомбинации неосновных носителей, который контролирует рекомбинационные процессы. Уровень с энергией ионизации Ec-0.16 эВ при...
180.

Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах     

Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Иванов-Омский В.И., Михайлова М.П., Михайлов М.Ю., Моисеев К.Д., Смирнов В.А., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследована электролюминесценция в разъединенной одиночной гетероструктуре IIтипа p-GaInAsSb/p-InAs при T=4.2/ 77 K. Показано, что при понижении температуры ниже T=77 K две полосы люминесценции с энергиями максимумов 311 мэВ (полосаA) и384 мэВ (полосаB) сдвигаются в сторону больших энергий, приче...