Выращены эпитаксиальные слои n- и p-типа проводимости. Показано, что морфология слоев p-типа проводимости значительно хуже морфологии слоев n-типа. Однако в обоих случаях спектры фотолюминесценции и подвижность носителей тока не сильно отличаются от аналогичных характеристик для монокристаллических образцов. Также получены планарные p-n-переходы и изготовлены диоды. В зависимости от структуры слоев вольт-амперные характеристики приборов имеют вид обычного или обращенного диода.
Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Велиховский Л.Э. Использование амфотерности примесных атомов кремния для получения планарных p-n-переходов на подложках GaAs с ориентацией (111)A методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 427

Исследована возможность целенаправленного смещения высокочастотной границы платоспектральной плотности шума кремниевых p-n-структур в область высоких частот при облучении гамма-квантами. Наблюдалось максимальное увеличение полосы рабочей области частот до2-2.5раз. При дальнейшем облучении исследуемых структур ширина плато не увеличивалась и его граница размывалась. Обнаружена корреляция между изменением времени жизни неосновных носителей заряда и шириной низкочастотного плато спектральной плотности шума. Предложена качественная модель для описания изменения спектральной плотности шума с потоком облучения для кремниевых p-n-структур, определяемых размерами p-n-перехода.
Барановский О.К., Кучинский П.В., Лутковский В.М., Петрунин А.П., Савенок Е.Д. Увеличение частотного диапазона спектральной плотности шума кремниевых p-n-структур приоблучении гамма-квантами // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 352

Исследован магнитотранспорт в узкозонных гетеропереходах InxGa1-xAsySb1-y/GaSb, полученных методом жидкофазной эпитаксии с различным составомIn в твердом растворе (x=0.85-0.95, Eg=<0.4 эВ). Показано, что в зависимости от содержанияIn в этих гетероструктурах может быть реализован ступенчатый гетеропереход IIтипа (приx=0.85) или разъединенный гетеропереход (приx=0.95) с высокоподвижным электронным каналом на гетерогранице (mu~=20 000 см2/В·с). При x=0.92 в зависимости от температуры наблюдаются оба типа гетеропереходов. Полученные результаты находятся в хорошем согласии с зонной энергетической диаграммой изучаемых гетероструктур IIтипа InGaAsSb/GaSb.
Воронина Т.И., Журтанов Б.Е., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Розов А.Е., Яковлев Ю.П. Гетеропереходы IIтипа в системе InGaAsSb/GaSb: магнитотранспортные свойства // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 345

Изготовлены светодиоды на основе кристаллов GaAs, ионно-легированных иттербием и кислородом. Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики светодиодов, а также спектры глубоких уровней методом емкостной спектроскопии. Получены спектры электролюминесценции, содержащие линейчатое излучение, связанное с оптическими переходами в пределах 4f-оболочки ионаYb3+.
Палмер Д., Дравин В.А., Коннов В.М., Боброва Е.А., Лойко Н.Н., Черноок С.Г., Гиппиус А.А. Характеризация электролюминесцентных структур наоснове арсенида галлия, ионно-легированного иттербием икислородом // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 339

В диодных гетероструктурах p-InAsSbP/n-InAs, смещенных в обратном направлении, исследовалась отрицательная люминесценция lambdamax=3.8 мкм в интервале температур 70/ 180oC. Мощность отрицательной люминесценции возрастала с повышением температуры и, начиная со 110oC, оказывалась больше мощности электролюминесценции в прямом направлении. Получены значения мощности отрицательной люминесценции 5 мВт/см2, эффективности 60% и коэффициента преобразования 25 мВт/А · см2 при 160oC.
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Отрицательная люминесценция вдиодах наоснове p-InAsSbP/n-InAs // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 335

Методом измерения и анализа вольт-фарадных характеристик установлено, что в гетероструктурах n-6H-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x, полученных сублимационной эпитаксией слоев (SiC)1-x(AlN)x наподложках 6H-SiC, образуются резкие гетеропереходы толщиной ~10-4 см. Извольт-фарадных характеристик определены основные свойства гетероструктур в зависимости от состава эпитаксиального слоя и температуры.
Курбанов М.К., Билалов Б.А., Нурмагомедов Ш.А., Сафаралиев Г.К. Исследование гетероструктур SiC/(SiC)1-x(AlN)x методом вольт-фарадных характеристик // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 216

Исследованы возбуждаемые терагерцовым лазерным излучением нелинейные колебания поля и тока в полупроводниковых сверхрешетках с учетом многочастотности самосогласованного внутреннего поля. Осцилляторный характер нелинейных восприимчивостей, диссипативные и параметрические неустойчивости в сверхрешетках приводят к неоднозначным и гистерезисным зависимостям спектров этих колебаний от амплитуды и частоты внешнего поля. Основные пути формирования особенностей спектров--- спонтанная генерация статического поля и параметрическое усиление гармоник и субгармоник внешнего поля. Показано, что часто используемое приближение одночастотного внутреннего поля является неудовлетворительным, особенно для сверхрешеток с выскокой концентрацией электронов.
Романов Ю.А., Романова Ю.Ю. О спектрах колебаний поля и тока, возникающих в сверхрешетках под воздействием терагерцового лазерного излучения // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 211

На вольт-амперных характеристиках однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs обнаружены особенности, соответствующие резонансному туннелированию электронов из Gamma-долины GaAs в X-долину AlAs. Зарегистрировано туннелирование как через состояния, относящиеся к двумерным подзонам Xxy и Xz в слое AlAs, так и через связанные с ним примесные состояния. Показано, что энергетическое положение таких примесных состояний определяется в основном двумя факторами: а)пространственным ограничением слоя AlAs, влияющим как на энергии уровней размерного квантования подзон Xxy и Xz, так и на величины энергий связи с ними примесных состояний; б)двуосным сжатием слоя AlAs вследствие несовпадения постоянных решеток AlAs и GaAs, приводящим к расщеплению долин Xxy и Xz. Это позволило впрямую определить энергию связи примесных состояний, которая составляет для Xz-долины ~ 50 мэВ, а для Xxy-долины ~ 70 мэВ.
Ханин Ю.Н., Новоселов К.С., Вдовин Е.Е. Туннелирование через примесные состояния, связанные сX-долиной втонком AlAs-барьере // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 206

Исследовано изменение химического состава поверхности CdxHg1-xTe при обработке атомарными пучками кислорода и водорода, полученными методом электронного удара в высокочастотной плазме N2O иH2. Показано, что последовательное воздействие пучков атомарного кислорода и водорода приводит к удалению с поверхности образцов углеродосодержащих соединений, слоя собственного оксида и теллура в элементном состоянии.
Васильев В.В., Захарьяш Т.И., Кеслер В.Г., Парм И.О., Соловьев А.П. Исследование изменения химического состава поверхности образцов CdxHg1-xTe приобработке вактивированных высокочастотным разрядом газах N2O иH2 // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 203

Выполнено моделирование гистерезиса зависимости поляризации P от электрического поля E для структуры металл--сегнетоэлектрик--полупроводник применительно к перовскитным материалам. Моделирование основано на анализе экспериментальной петли гистерезиса P(E) для структуры металл--сегнетоэлектрик--металл, которая аппроксимируется гиперболическим тангенсом. Выполнено численное интегрирование уравнения Пуассона с учетом зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от электрического поля. Показано, что деполяризующее действие полупроводника уменьшает остаточную поляризацию в несколько раз, причем эффект деполяризации сильнее в случае полупроводника с меньшей концентрацией примеси.
Берман Л.С. Моделирование гистерезиса структуры металл--сегнетоэлектрик--полупроводник // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 200