Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность

151.

Гетеропереход на полупроводниках сцепочечной структурой TlSe--TlInSe2     

Алексеев И.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Получен гетеропереход на основе полупроводников с цепочечной кристаллической структурой p-TlSe--p-TlInSe2. Для получения использован метод жидкофазной эпитаксии из расплава TlSe на поверхности естественного скола (110) кристалла TlInSe2. Полученная структура обладаает чувствительностью к свету и ...
152.

Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-GaxIn1-xN/p-Si     

Александров С.Е., Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Красовицкий Д.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Разработана технология формирования гетероструктур n-GaxIn1-xN/p-Si, основанная на совместном пиролизе моноаммиакатов хлоридов галлия и индия, позволяющая получать гетерослои с составом, варьируемым в широких пределах (отGaN доInN). Определены состав и основные электрические и оптические характер...
153.

Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе лазерно-осажденных слоев CuIn(TexSe1-x)2     

Боднарь И.В., Гременок В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Методом лазерного осаждения были получены тонкие пленки твердых растворов CuIn(TexSe1-x)2, где 0...
154.

Создание ифоточувствительность гетероструктур наоснове анодизированного карбида кремния     

Лебедев А.А., Лебедев А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Гетеропереходы получены путем механического прижима анодированных пластин 6H-SiC к пластинам слоистых полупроводников AIIIBVI (InSe и GaSe) при 300 K. Благодаря высокому совершенству поверхностей сколов образуется прочный и достаточно совершенный электрический контакт. Спектр фотоэдс гетероперехо...
155.

Двумерные и трехмерные каналы проводимости на границах блоков вмозаичных кристаллах (CdHg)Te     

Погребняк В.А., Раренко И.М., Халамейда Д.Д., Яковенко В.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Обнаружена дополнительная электронная проводимость по границам блоков в мозаичных кристаллах CdxHg1-xTe n-типа. В одной группе образцов проводимость по границам блоков носит двумерный(2D) характер, в другой группе более совершенных образцов--- трехмерный(3D) характер. По анализу осцилляций Шубник...
156.

Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединенийiii--v: границы раздела, радиационные эффекты     

Брудный В.Н., Гриняев С.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
В приближении виртуального кристалла рассчитана мольная зависимость уровня локальной электронейтральности Elnl(X)ABC=XElnl AC+(1-X) ElnlBC-CABCX(1-X) в твердых растворах ABC для 18пар полупроводников группыIII--V. Предложено интерполяционное соотношение для оценки коэффициента нелинейности CABC(в...
157.

Особенности релаксации электрического поля в высокоомных сильно смещенных мдпдм структурах с глубокими примесными уровнями     

Резников Б.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Численно исследована релаксация поля и тока при выключении сильно поглощаемого света в высокоомной структуре металл--диэлектрик--полупроводник (МДПДМ), содержащей значительную концентрацию глубоких примесных уровней. Установлено, что зависимость распределения поля от времени определяется соотноше...
158.

Образование омического контакта в процессе непрерывного нагревания диодов Шоттки на основе GaAs и GaP     

Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Изучалось изменение характеристик ток--напряжение и емкость--напряжение контактов полупроводник--твердый металл (диодов Шоттки GaAs--Ni и GaP--Au) в процессе их непрерывного нагревания. Установлено, что при некоторой температуре вентильные контакты переходят в омические. Такой переход происходит ...
159.

Вольт-амперные характеристики структур на основе Si : B сблокированной проводимостью по примесной зоне в режиме ограничения фотоотклика прыжковым транспортом     

Аронзон Б.А., Ковалев Д.Ю., Козлов А.М., Леотин Ж., Рыльков В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследована фотопроводимость структур на основе Si : B с блокированной проводимостью по примесной зоне с концентрацией бора в активном слое ~1018 см-3. Измерения проводились в диапазоне температур 4.2/10 K при различных интенсивностях возбуждающего излучения 1010/ 1015 фотон/см2·с. Фото...
160.

Переходный фототок в структурах аморфный, пористый полупроводник--кристаллический полупроводник     

Казакова Л.П., Лебедев Э.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Проведено исследование переходного фототока в структурах аморфный (пористый) полупроводник--кристаллический полупроводник методом измерения времени пролета в условиях дрейфа малого заряда в образце. В структурах использовались аморфные материалы системы Se--As, пористый Si, а также кристаллически...