Получен гетеропереход на основе полупроводников с цепочечной кристаллической структурой p-TlSe--p-TlInSe2. Для получения использован метод жидкофазной эпитаксии из расплава TlSe на поверхности естественного скола (110) кристалла TlInSe2. Полученная структура обладаает чувствительностью к свету и жесткой радиации. Исследованы некоторые фотоэлектрические свойства гетеропереходов.
Алексеев И.В. Гетеропереход на полупроводниках сцепочечной структурой TlSe--TlInSe2 // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 588

Разработана технология формирования гетероструктур n-GaxIn1-xN/p-Si, основанная на совместном пиролизе моноаммиакатов хлоридов галлия и индия, позволяющая получать гетерослои с составом, варьируемым в широких пределах (отGaN доInN). Определены состав и основные электрические и оптические характеристики нитридных пленок. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур с пленками GaxIn1-xN различного состава. Показано, что анизотипный гетеропереход n-GaxIn1-xN/p-Si является перспективным фоточувствительным элементом для детектирования излучения в видимой части спектрального диапазона. Максимальные значения удельной обнаружительной способности составили D*=1.2· 1011 Гц1/2·Вт-1см при 290 K. Построена зонная диаграмма гетероперехода.
Александров С.Е., Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Красовицкий Д.М. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-GaxIn1-xN/p-Si // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 461

Методом лазерного осаждения были получены тонкие пленки твердых растворов CuIn(TexSe1-x)2, где 0
Боднарь И.В., Гременок В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе лазерно-осажденных слоев CuIn(TexSe1-x)2 // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 458

Гетеропереходы получены путем механического прижима анодированных пластин 6H-SiC к пластинам слоистых полупроводников AIIIBVI (InSe и GaSe) при 300 K. Благодаря высокому совершенству поверхностей сколов образуется прочный и достаточно совершенный электрический контакт. Спектр фотоэдс гетеропереходов имеет вид широкой полосы. Длинноволновый ее край обусловлен узкозонной компонентой, коротковолновый--- поглощением в SiC.
Лебедев А.А., Лебедев А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Создание ифоточувствительность гетероструктур наоснове анодизированного карбида кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 326

Обнаружена дополнительная электронная проводимость по границам блоков в мозаичных кристаллах CdxHg1-xTe n-типа. В одной группе образцов проводимость по границам блоков носит двумерный(2D) характер, в другой группе более совершенных образцов--- трехмерный(3D) характер. По анализу осцилляций Шубникова--де-Гааза определены основные параметры 2D и 3D каналов: концентрации электронов, циклотронные массы, времена релаксации и подвижности. В сильном магнитном поле и при гелиевых температурах проводимость в образце осуществляется в основном по каркасу, образованному проводящими каналами на границах блоков. Сопротивление такого каркаса из2D каналов в образце размером 6x 1.5x 0.5 мм3 составляет приблизительно110 Ом и слабо зависит от температуры.
Погребняк В.А., Раренко И.М., Халамейда Д.Д., Яковенко В.М. Двумерные и трехмерные каналы проводимости на границах блоков вмозаичных кристаллах (CdHg)Te // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 319

В приближении виртуального кристалла рассчитана мольная зависимость уровня локальной электронейтральности Elnl(X)ABC=XElnl AC+(1-X) ElnlBC-CABCX(1-X) в твердых растворах ABC для 18пар полупроводников группыIII--V. Предложено интерполяционное соотношение для оценки коэффициента нелинейности CABC(в эВ) в зависимости от параметра несоответствия постоянных решеток |Delta a|(в Angstrem) для граничных составов растворов: CABC=-0.03+0.04|Delta a|+1.4|Delta a|2. Показано, что расчетные значения Elnl обеспечивают хорошее соответствие с экспериментальными величинами высот барьеров Шоттки FbS и значениями предельного положения уровня Ферми Flim в облученных твердых растворах соединений группыIII--V.
Брудный В.Н., Гриняев С.Н. Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединенийIII--V: границы раздела, радиационные эффекты // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 315

Численно исследована релаксация поля и тока при выключении сильно поглощаемого света в высокоомной структуре металл--диэлектрик--полупроводник (МДПДМ), содержащей значительную концентрацию глубоких примесных уровней. Установлено, что зависимость распределения поля от времени определяется соотношением времен тепловой генерации примесью электронов taun и дырок taup. В случае taun>> taup изменение поля в толще полупроводника немонотонно со временем. Дрейф фотогенерированных носителей после прекращения освещения приводит к образованию области отрицательного объемного заряда повышенной плотности и значительному росту поля вблизи анода. Его максимальная величина достигает 5/6значений среднего поля Ee=V/d. Учет дополнительной инжекции дырок с анода приводит к возрастанию тока, ограничению максимума поля у анода и заметному ускорению релаксации поля к темновому распределению.
Резников Б.И. Особенности релаксации электрического поля в высокоомных сильно смещенных МДПДМ структурах с глубокими примесными уровнями // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 203

Изучалось изменение характеристик ток--напряжение и емкость--напряжение контактов полупроводник--твердый металл (диодов Шоттки GaAs--Ni и GaP--Au) в процессе их непрерывного нагревания. Установлено, что при некоторой температуре вентильные контакты переходят в омические. Такой переход происходит еще до возможного образования рекристаллизованного слоя, характерного для традиционного омического контакта. Температура перехода Tohm была существенно ниже температуры плавления металла. Исследование вольт-амперных характеристик этих структур, отожженных при различных температурах Tann и охлажденных до комнатной температуры, показало, что при Tann, меньших некоторой критической температуры T0, cвойства структуры практически не изменяются, при Tohm>Tann>T0 структуры остаются вентильными, но в них появляются избыточные токи, а при Tann>Tohm структуры необратимо становятся омическими. Предполагается, что после химического взаимодействия металла и приповерхностного слоя полупроводника вновь образованная поверхность приобретает свойства, обеспечивающие омические характеристики контакта металл--полупроводник.
Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А. Образование омического контакта в процессе непрерывного нагревания диодов Шоттки на основе GaAs и GaP // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 200

Исследована фотопроводимость структур на основе Si : B с блокированной проводимостью по примесной зоне с концентрацией бора в активном слое ~1018 см-3. Измерения проводились в диапазоне температур 4.2/10 K при различных интенсивностях возбуждающего излучения 1010/ 1015 фотон/см2·с. Фотовозбуждение осуществлялось с помощью излучения полупроводникового лазера на длине волны 5.5 мкм. Обнаружено, что при температурах ниже 6 K и малых напряжениях смещения (
Аронзон Б.А., Ковалев Д.Ю., Козлов А.М., Леотин Ж., Рыльков В.В. Вольт-амперные характеристики структур на основе Si : B сблокированной проводимостью по примесной зоне в режиме ограничения фотоотклика прыжковым транспортом // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 192

Проведено исследование переходного фототока в структурах аморфный (пористый) полупроводник--кристаллический полупроводник методом измерения времени пролета в условиях дрейфа малого заряда в образце. В структурах использовались аморфные материалы системы Se--As, пористый Si, а также кристаллические полупроводники Si и CdSe. Определены значения дрейфовой подвижности носителей заряда в слоях, входящих в структуры. Показано, что появление максимума на кривых переходного фототока, полученных в структурах, обусловлено эффектом ускорения носителей заряда на границе между аморфным (пористым) слоем и кристаллом. Установлено влияние этого эффекта на значение дрейфовой подвижности и величину дисперсионных параметров.
Казакова Л.П., Лебедев Э.А. Переходный фототок в структурах аморфный, пористый полупроводник--кристаллический полупроводник // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 187