Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность

31.

Моделирование процессов эпитаксии, сублимации иотжига втрехмерном приповерхностном слое кремния     

Зверев А.В., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Разработана модель Монте-Карло эпитаксии, сублимации и отжига на поверхности (111) алмазоподобного кристалла. Модель допускает существование нависающих структур и позволяет рассматривать поведение трехмерного приповерхностного слоя сложной конфигурации объемом до 107 атомных мест. Спомощью разраб...
32.

Диффузия Cu почистой поверхности Si(111)     

Долбак А.Е., Жачук Р.А., Ольшанецкий Б.З. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Методами электронной оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов исследована диффузия Cu по атомарно-чистой поверхности Si(111). Установлено, что в результате диффузии на поверхности кремния образуются концентрационные распределения меди с резкой границей и формируется поверхностная фаза S...
33.

Процессы окисления полупроводников истроение границ раздела     

Репинский С.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Рассмотрены эффекты самоорганизации межфазных границ полупроводников (разделяющие поверхности и реакционные зоны) для важнейших в технологии микроэлектроники процессов окисления полупроводников. Анализ кинетических данных позволяет получить значения энтропии активации процессов и показать, что дл...
34.

Анализ естественных неоднородностей потенциала уповерхности примесного полупроводника     

Бондаренко В.Б., Кузьмин М.В., Кораблев В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Введено понятие естественного размерного эффекта в обедненных слоях полупроводника--- сравнимость характерного масштаба обедненного слоя со средним расстоянием между электроактивными дефектами. Определены естественные неоднородности электрического поля и потенциала на поверхности полупроводника в...
35.

Возбуждение поверхностных акустических волн вкристаллах p-CdTe привоздействии импульсным лазерным излучением     

Байдуллаева А., Власенко А.И., Кузнецов Э.И., Ломовцев А.В., Мозоль П.Е., Смирнов А.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства, а также дислокационная структура кристаллов p-CdTe до и после облучения импульсным лазерным излучением. Обнаружено уменьшение величины темнового тока и рост плотности дислокаций не только в облученной, но и в защищенной от лазерного излуч...
36.

Солегирование эрбием икислородом кремниевых слоев впроцессе молекулярно-лучевой эпитаксии     

Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Максимов Г.А., Красильник З.Ф., Андреев Б.А., Степихова М.В., Шенгуров Д.В., Palmetshofer L., Ellmer H. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Эпитаксиальные слои кремния, солегированные эрбием и кислородом, были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимирующего кремниевого источника. Для выращивания легированных эрбием кремниевых слоев мы использовали два вида источников примеси: 1)пластины кремния, легиров...
37.

Состояния награницах ицентры сглубокими уровнями вструктурах кремний-на-изоляторе     

Антонова И.В., Стано Й., Николаев Д.В., Наумова О.В., Попов В.П., Скуратов В.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Методом емкостной спектроскопии проведено исследование глубоких уровней в отсеченном слое кремния, а также уровней ловушек--- как на границе Si / SiO2, полученной прямым сращиванием, так и на границе Si(подложка) / <термический SiO2> в структурах кремний-на-изоляторе, созданных методом сращ...
38.

Процессы токопереноса вn+ -p-фотодиодах наоснове HgCdTe     

Гуменюк-Сычевская Ж.В., Сизов Ф.Ф., Овсюк В.Н., Васильев В.В., Есаев Д.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Показано, что темновые токи в важных в прикладном отношении (для микрофотоэлектроники инфракрасного спектрального диапазона 8-12 мкм) гомопереходах Hg1-xCdxTe (x~= 0.21) при температурах 77 K хорошо описываются уравнениями баланса с учетом двух основных механизмов токопереноса: туннелировани...
39.

Красчету изменения работы выхода приадсорбции металлических атомов наполупроводниках     

Давыдов С.Ю., Павлык А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Для расчета изменения работы выхода Delta phi, вызванного адсорбцией металлических атомов на поверхности полупроводников, предложена простая модель, учитывающая как диполь-дипольное отталкивание адатомов, так и металлизацию адсорбированного слоя при больших покрытиях. Результаты расчета Deltap...
40.

Эффект баллистического переноса электронов вструктурах металл--n-GaAs--n+-GaAs сбарьером Шоттки     

Торхов Н.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
В предположении о баллистическом характере движения проведено исследование взаимодействия электрона с потенциалом, сформированным контактом металл--полупроводник с барьером Шоттки. Рассмотрены три случая взаимодействия электрона с барьерным потенциалом: сильное, слабое и надбарьерный перенос. ...