Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность

41.

Бесконтактный электронно-зондовый метод измерения диффузионной длины ивремени жизни неосновных носителей вполупроводниках     

Рау Э.И., Шичу Чжу - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Разработан и предложен новый метод бесконтактного измерения диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых кристаллах. Метод основан на детектировании поверхностного электронно-индуцированного потенциала полупроводников и его фазового сдвига в зависимости от ко...
42.

Состояние поверхности поликристаллических слоевCdTe, облученных импульсным лазерным излучением     

Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е., Смирнов А.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Исследованы оже-спектры, электронно-микроскопические изображения, карты-распределения химических элементов по поверхности поликристаллических слоевCdTe до и после облучения импульсами лазерного излучения модулированной добротности длительностью 2·10-8 с и плотностью энергии ниже порога разру...
43.

Анализ мезанизмов переноса тока, определяющих характер обратных вольт-амперных характеристик барьеров металл--GaAs     

Булярский С.В., Жуков А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Проведены измерения обратных вольт-амперных характеристик контактов металл--GaAs с баерьером Шоттки. Наблюдались линейные участки зависимости обратного тока от квадрата напряженности электрического поля в области объемного заряда диодов. Такая зависимость связана с наличием взаимодействия электро...
44.

Термодинамический анализ роста тройных соединений GaAsN методом молекулярно-пучковой эпитаксии     

Одноблюдов В.А., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Малеев Н.А., Семенова Е.С., Устинов В.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Представлена термодинамическая модель описания процессов роста тройных твердых растворов GaAsN. Модель позволяет предсказать содержание азота в слоях GaAsN в зависимости от внешних параметров (потоков молекулярного азота и мышьяка, скорости роста, температуры подложки). С помощью предложенной мод...
45.

Механизм протекания тока в омическом контакте Pd--сильно легированный p-AlxGa1-xN     

Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Калинина Е.В., Константинов О.В., Николаев А.Е., Фомин А.В., Черенков А.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Изучается механизм протекания тока в омическом контакте металл--<сильно легированный p-AlxGa1-xN>. Твердый раствор p-Al0.06Ga0.94N с концентрацией нескомпенсированных акцепторов Na-Nd=3·1018-1019 см-3 выращивался методом хлорид-гидридной эпитаксии. Омический Pd-контакт создавался метод...
46.

Методика определения стехиометрического состава твердого раствора кадмий--ртуть--теллур извольт-фарадных характеристик     

Иванкив И.М., Яфясов А.М., Божевольнов В.Б., Перепелкин А.Д. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Предложена методика определения стехиометрического состава собственного полупроводника Hg1-xCdsTe с использованием эффекта поля в электролите. Оригинальный сравнительный анализ вольт-фарадных характеристик, полученных экспериментально и рассчитанных в рамках квантового описания области пространст...
47.

Латеральный транспорт горячих дырок вдвумерной структуре GaAs/Al0.3Ga0.7As     

Иванов Ю.Л., Елизаров И.В., Устинов В.М., Жуков А.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
В образцах структур дырочного типа GaAs/Al0.3Ga0.7As на переднем фронте импульса тока в сильном электрическом поле обнаружен острый пик. Анализ его формы и величины в зависимости от величины электрического поля, а также перераспределение поля вдоль образца позволяют сделать вывод о существовании ...
48.

Переходный слой в контактах Шоттки TiB2--GaAs и Au--TiB2--GaAs     

Венгер Е.Ф., Конакова Р.В., Охрименко О.Б., Сапко С.Ю., Шеховцов Л.В., Иванов В.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Измерены спектральные характеристики поперечной объемной фотоэдс в исходных (неотожженных) и отожженных при температуре400, 600 и800oC образцах контактов Шоттки TiB2--GaAs иAu--TiB2--GaAs с концентрацией легирующей примеси в подложке n-GaAs равной 1016 см-3. Установлено, что в структурах TiB2--Ga...
49.

Состояния на границе раздела и вольт-фарадные характеристики гетероструктур n-SnO2(Ni)/p-Si вусловиях газовой адсорбции     

Васильев Р.Б., Гаськов А.М., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Акимов Б.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Синтезированы гетероструктуры n-SnO2(Ni)/p-Si со средним размером кристаллитов в слое диоксида олова 6--8 нм. Вольт-фарадные характеристики структур измерены в осушенном воздухе и в условиях адсорбции молекул NO2 и C2H5OH. Изменение частоты опорного сигнала в пределах 0.5--20 кГц позволило выдели...
50.

Структурные, люминесцентные итранспортные свойства гибридных гетероструктур AlAsSb / InAs / Cd(Mg)Se, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии     

Соловьев В.А., Седова И.В., Торопов А.А., Терентьев Я.В., Сорокин С.В., Мельцер Б.Я., Иванов С.В., Копьев П.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Впервые сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии новых гибридных гетероструктур AlAsSb / InAs / Cd(Mg)Se и исследовании их структурных, люминесцентных и транспортных свойств. Вэтих структурах наблюдалась интенсивная люминесценция как в инфракрасной, так и в видимой областях с...