Разработан и предложен новый метод бесконтактного измерения диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых кристаллах. Метод основан на детектировании поверхностного электронно-индуцированного потенциала полупроводников и его фазового сдвига в зависимости от координаты зондирования относительно барьеров. Приведены экспериментальные результаты определения электрофизических параметров полупроводников на примере кремниевых p-n-переходов.
Рау Э.И., Шичу Чжу Бесконтактный электронно-зондовый метод измерения диффузионной длины ивремени жизни неосновных носителей вполупроводниках // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 749

Исследованы оже-спектры, электронно-микроскопические изображения, карты-распределения химических элементов по поверхности поликристаллических слоевCdTe до и после облучения импульсами лазерного излучения модулированной добротности длительностью 2·10-8 с и плотностью энергии ниже порога разрушения или плавления материала. Показано, что лазерное облучение поликристаллических слоев: очищает поверхность от областей с диэлектрической фазой; приводит к модификации поверхности, сопровождающейся изменением стехиометрии на глубине~3 мкм. После удаления этого слоя происходит улучшение однородности поверхности поликристиллических слоев. Оценена глубина проникновения атомов углерода в поликристаллический слой. Показано влияние изменения стехиометрии поверхности после лазерного облучения на фотоэлектрические свойства поликристаллических слоевCdTe.
Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е., Смирнов А.Б. Состояние поверхности поликристаллических слоевCdTe, облученных импульсным лазерным излучением // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 745

Проведены измерения обратных вольт-амперных характеристик контактов металл--GaAs с баерьером Шоттки. Наблюдались линейные участки зависимости обратного тока от квадрата напряженности электрического поля в области объемного заряда диодов. Такая зависимость связана с наличием взаимодействия электронов с колебаниями решетки. Проведен анализ обратного тока контактов Mo--GaAs : Si при различных температурах. Результаты анализа показали, что наблюдаемые вольт-амперные характеристики определяются стимулированным фононами туннелированием электронов из металла в полупроводник с участием глубокого центра, соответствующего ловушкеEL2. Подобный же механизм определяет обратные вольт-амперные характеристики диодов Шоттки Ni--GaAs : S.
Булярский С.В., Жуков А.В. Анализ мезанизмов переноса тока, определяющих характер обратных вольт-амперных характеристик барьеров металл--GaAs // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 560

Представлена термодинамическая модель описания процессов роста тройных твердых растворов GaAsN. Модель позволяет предсказать содержание азота в слоях GaAsN в зависимости от внешних параметров (потоков молекулярного азота и мышьяка, скорости роста, температуры подложки). С помощью предложенной модели находят объяснение такие экспериментальные факты, как насыщение зависимости состава от внешнего потока азота, существование области постоянного состава в зависимости состава от температуры, а также уширение пика люминесценции по сравнению с идеальным случаем.
Одноблюдов В.А., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Малеев Н.А., Семенова Е.С., Устинов В.М. Термодинамический анализ роста тройных соединений GaAsN методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 554

Изучается механизм протекания тока в омическом контакте металл--<сильно легированный p-AlxGa1-xN>. Твердый раствор p-Al0.06Ga0.94N с концентрацией нескомпенсированных акцепторов Na-Nd=3·1018-1019 см-3 выращивался методом хлорид-гидридной эпитаксии. Омический Pd-контакт создавался методом термовакуумного напыления с последующими температурными обработками. Показано, что барьерный контакт Pd--p-Al0.06Ga0.94N с высотой потенциального барьера ~2.3 В после термообработки переходил в омический. Высота потенциального барьера при этом уменьшалась до ~0.05 В. Установлено, что основным механизмом протекания тока в омическом контакте Pd--p-Al0.06Ga0.94N при Na-Nd=3·1018 см-3 является термоэлектронная эмиссия. С увеличением концентрации нескомпенсированных акцепторов в твердом растворе до Na-Nd~1019 см-3 наблюдался переход от термоэлектронной эмиссии (при высоких температурах) к туннелированию (при низких температурах).
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Калинина Е.В., Константинов О.В., Николаев А.Е., Фомин А.В., Черенков А.Е. Механизм протекания тока в омическом контакте Pd--сильно легированный p-AlxGa1-xN // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 550

Предложена методика определения стехиометрического состава собственного полупроводника Hg1-xCdsTe с использованием эффекта поля в электролите. Оригинальный сравнительный анализ вольт-фарадных характеристик, полученных экспериментально и рассчитанных в рамках квантового описания области пространственного заряда, позволяет найти значениеx в приповерхностном слое полупроводника на глубине, соизмеримой с дебаевским радиусом экранирования. Представлены результаты определения стехиометрического состава четырех образцов Hg1-xCdxTe (x=0.205, 0.245, 0.290,0330).
Иванкив И.М., Яфясов А.М., Божевольнов В.Б., Перепелкин А.Д. Методика определения стехиометрического состава твердого раствора кадмий--ртуть--теллур извольт-фарадных характеристик // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 546

В образцах структур дырочного типа GaAs/Al0.3Ga0.7As на переднем фронте импульса тока в сильном электрическом поле обнаружен острый пик. Анализ его формы и величины в зависимости от величины электрического поля, а также перераспределение поля вдоль образца позволяют сделать вывод о существовании в этих условиях доменной неустойчивости. При этом показано, что разогрев дырок в умеренных электрических полях может существенно превышать энергию оптического фонона.
Иванов Ю.Л., Елизаров И.В., Устинов В.М., Жуков А.Е. Латеральный транспорт горячих дырок вдвумерной структуре GaAs/Al0.3Ga0.7As // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 445

Измерены спектральные характеристики поперечной объемной фотоэдс в исходных (неотожженных) и отожженных при температуре400, 600 и800oC образцах контактов Шоттки TiB2--GaAs иAu--TiB2--GaAs с концентрацией легирующей примеси в подложке n-GaAs равной 1016 см-3. Установлено, что в структурах TiB2--GaAs образуется переходной слой вследствие диффузии атомов бора в подложкуGaAs. Температурный отжиг приводит к увеличению степени его легирования. Вструктуре Au--TiB2--GaAs формируется переходной слой, уровень легирования которого слабо изменяется при температурном отжиге. Спектральное положение максимумов объемной фотоэдс указывает на образование хвостов плотности состояний в полупроводниковом переходном слое вследствие повышения степени его легирования примесями до концентрации 1017-1018 см-3.
Венгер Е.Ф., Конакова Р.В., Охрименко О.Б., Сапко С.Ю., Шеховцов Л.В., Иванов В.Н. Переходный слой в контактах Шоттки TiB2--GaAs и Au--TiB2--GaAs // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 439

Синтезированы гетероструктуры n-SnO2(Ni)/p-Si со средним размером кристаллитов в слое диоксида олова 6--8 нм. Вольт-фарадные характеристики структур измерены в осушенном воздухе и в условиях адсорбции молекул NO2 и C2H5OH. Изменение частоты опорного сигнала в пределах 0.5--20 кГц позволило выделить вклад состояний на гетерогранице в емкость структуры. Показано, что адсорбция молекул NO2 приводит к уменьшению плотности состояний на гетерогранице, а адсорбция молекул спирта--- к ее увеличению.
Васильев Р.Б., Гаськов А.М., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Акимов Б.А. Состояния на границе раздела и вольт-фарадные характеристики гетероструктур n-SnO2(Ni)/p-Si вусловиях газовой адсорбции // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 436

Впервые сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии новых гибридных гетероструктур AlAsSb / InAs / Cd(Mg)Se и исследовании их структурных, люминесцентных и транспортных свойств. Вэтих структурах наблюдалась интенсивная люминесценция как в инфракрасной, так и в видимой областях спектра. Этот факт, наряду с данными структурных исследований, свидетельствует о достаточно хорошем качестве гетерограницы между слоями AIIIBV и AIIBVI. Дана теоретическая оценка взаимного расположения энергетических зон в предложенных гибридных структурах, показывающая, что граница InAs / CdSe является гетеропереходом IIтипа, в то время как граница InAs / Cd0.85Mg0.15Se представляет собой гетеропереход Iтипа с большим разрывом в валентной зоне Delta Ev~1.6 эВ. Полученные данные о продольном электронном транспорте вблизи гетерограницы InAs / Cd(Mg)Se находятся в хорошем соответствии с приведенной теоретической оценкой.
Соловьев В.А., Седова И.В., Торопов А.А., Терентьев Я.В., Сорокин С.В., Мельцер Б.Я., Иванов С.В., Копьев П.С. Структурные, люминесцентные итранспортные свойства гибридных гетероструктур AlAsSb / InAs / Cd(Mg)Se, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 431