Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность


41.

О токопереносе впористом p-Si иструктурах Pd--< пористый Si>     

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. О токопереносе впористом p-Si иструктурах Pd--< пористый Si> // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1073
42.

Определение скорости поверхностной рекомбинации вэпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe из измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда     

Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Варавин В.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Варавин В.С. Определение скорости поверхностной рекомбинации вэпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe из измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1076
43.

Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2-структуры при отжиге в вакууме     

Гадияк Г.В., Stathis J. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Гадияк Г.В., Stathis J. Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2-структуры при отжиге в вакууме // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1079
44.

Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs     

Агекян В.Ф., Иванов--Омский В.И., Князевский В.Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Агекян В.Ф., Иванов--Омский В.И., Князевский В.Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1203
45.

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов GaN/GaP     

Ботнарюк В.М., Бельков В.В., Жиляев Ю.В., Раевский С.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Ботнарюк В.М., Бельков В.В., Жиляев Ю.В., Раевский С.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов GaN/GaP // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1206
46.

Фотолюминесценция области пространственного заряда контактов металл--селенид цинка     

Махний В.П., Слетов М.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Махний В.П., Слетов М.М. Фотолюминесценция области пространственного заряда контактов металл--селенид цинка // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1210
47.

Природа глубоких уровней, ответственных за эффект фотоэлектрической памяти в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs     

Овсюк В.Н., Демьяненко М.А., Шашкин В.В., Торопов А.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Овсюк В.Н., Демьяненко М.А., Шашкин В.В., Торопов А.И. Природа глубоких уровней, ответственных за эффект фотоэлектрической памяти в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1213
48.

Исследование динамических характеристик границы раздела полупроводник--диэлектрик     

Федоренко Я.Г., Малинин А., Свердлова А.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Федоренко Я.Г., Малинин А., Свердлова А.М. Исследование динамических характеристик границы раздела полупроводник--диэлектрик // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1337
49.

Влияние гидрогенизации на свойства контактов металл-GaAs сбарьером Шоттки     

Божков В.Г., Кагадей В.А., Торхов Н.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Божков В.Г., Кагадей В.А., Торхов Н.А. Влияние гидрогенизации на свойства контактов металл-GaAs сбарьером Шоттки // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1343
50.

Электрофизические свойства переключающих слоистых структур наоснове пленочных фторидов редкоземельных элементов     

Рожков В.А., Шалимова М.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Рожков В.А., Шалимова М.Б. Электрофизические свойства переключающих слоистых структур наоснове пленочных фторидов редкоземельных элементов // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1349