Поиск публикаций Научные конференции и семинары Новости науки Научная сеть

 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: границы раздела и поверхность


Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 



41.

О токопереносе впористом p-Si иструктурах Pd--< пористый Si>     

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследованы механизмы токопрохождения в температурном интервале 78/300 K в пористом p-Si и структурах Pd--p-por-Si. Показано, что при 78 K...
42.

Определение скорости поверхностной рекомбинации вэпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe из измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда     

Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Варавин В.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Измерены зависимости планарного магнитосопротивления от магнитного поля для эпитаксиальных слоев n-CdxHg1-xTe (x=0.211, 0.22) при температурах...
43.

Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2-структуры при отжиге в вакууме     

Гадияк Г.В., Stathis J. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Предлагается теоретическая модель для описания эволюции Pb-центров на границе раздела Si/SiO2 при отжиге в вакууме. Модель принимает во...
44.

Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs     

Агекян В.Ф., Иванов--Омский В.И., Князевский В.Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Плазменной обработкой монокристаллических пластин арсенида и фосфида галлия получены тонкие широкозонные слои. Исследованы...
45.

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов GaN/GaP     

Ботнарюк В.М., Бельков В.В., Жиляев Ю.В., Раевский С.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе выращены тонкие интерференционные слои n-GaN на подложках n- иp- GaP с...
46.

Фотолюминесценция области пространственного заряда контактов металл--селенид цинка     

Махний В.П., Слетов М.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Приведены результаты исследований фотолюминесценции, которая возбуждается N2-лазером в области пространственного заряда контактов...
47.

Природа глубоких уровней, ответственных за эффект фотоэлектрической памяти в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs     

Овсюк В.Н., Демьяненко М.А., Шашкин В.В., Торопов А.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
На основе анализа кинетики избыточного тока многослойных структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, наблюдаемой как в процессе оптического...
48.

Исследование динамических характеристик границы раздела полупроводник--диэлектрик     

Федоренко Я.Г., Малинин А., Свердлова А.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Представлены результаты экспериментального исследования процессов релаксации заряда в структуре...
49.

Влияние гидрогенизации на свойства контактов металл-GaAs сбарьером Шоттки     

Божков В.Г., Кагадей В.А., Торхов Н.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Проведены исследования влияния обработки атомарным водородом на свойства GaAs и на следующие характеристики контактов Au--GaAs с...
50.

Электрофизические свойства переключающих слоистых структур наоснове пленочных фторидов редкоземельных элементов     

Рожков В.А., Шалимова М.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Представлены результаты исследования эффекта электрического переключения проводимости с памятью в слоистых структурах на основе...