Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность

21.

Влияние температуры отжига наэлектролюминесценцию ионов эрбия вSi : (Er,O)-диодах: диоды сориентацией подложки (111)     

Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Исследовано влияние температуры второго, активирующего образование оптически и электрически активных центров, отжига Si : (Er,O)-диодов с ориентацией (111) на электролюминесценцию ионов эрбия на длине волны lambda~1.54 мкм. Легирование осуществлялось имплантацией ионов эрбия с энергиями 2.0,...
22.

Влияние направления освещения нараспределение поля ввысокоомных структурах металл--полупроводник     

Резников Б.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Изучена зависимость распределения поля от интенсивности освещения в сильно смещенной высокоомной структуре металл--полупроводник, освещаемой собственным монохроматическим светом. Выявлены различия в распределении поля при освещении со стороны анода и катода, обусловленные в толще разностью подвиж...
23.

Термоэлектрическая добротность p-n-перехода     

Равич Ю.И., Пшенай-Северин Д.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Выполнен расчет термоэлектрической добротности полупроводникового p-n-перехода в рамках диодной теории с учетом биполярной теплопроводности. Произведена оценка добротности диода на основе Bi2Te3 и показано, что критерий Иоффе может быть на уровне лучших современных термоэлектриков, хотя и не може...
24.

Фотоемкостный эффект вмонополярноммдп конденсаторе сполупроводниковым электродом, легированным двумя акцепторными примесями, принизких температурах     

Пенин Н.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Теоретически исследован фотоемкостный эффект при низких температурах в монополярном ДП конденсаторе с полупроводниковым электродом, легированным двумя акцепторными примесями с разной энергией ионизацииEia (глубокий акцептор) иEib (мелкий). Показано, что фотоемкостная чувствительность конденсатора...
25.

О рекомбинации ивзаимодействии точечных дефектов споверхностью при кластеризации точечных дефектов вSi     

Федина Л.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
На основе детального анализа кинетики роста дефектов{113} межузельного типа в n- и p-Si при облучении in situ в высоковольтном электронном микроскопе JEOL-1250 в работе рассмотрена конкурирующая роль рекомбинации точечных дефектов и их взаимодействия с поверхностью на процесс кластериза...
26.

Электронные свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник наоснове InAs     

Курышев Г.Л., Ковчавцев А.П., Валишева Н.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Рассмотрены особенности электронных процессов в МДП структурах на основе InAs, работающих в режиме прибора с зарядовой инжекцией и используемых в качестве фотоприемных элементов в спектральном диапазоне 2.5-3.05 мкм. В качестве диэлектрика использовалась двухслойная система из слоя анодного окисл...
27.

Эпитаксиальный рост, электронные свойства ифотокатодные применения напряженных псевдоморфных слоев InGaAsP/GaAs     

Альперович В.Л., Болховитянов Ю.Б., Чикичев С.И., Паулиш А.Г., Терехов А.С., Ярошевич А.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований, направленных на создание высокоэффективных источников спин-поляризованных электронов на базе гетероэпитаксиальных, упруго-деформированных пленок четверного твердого раствора InGaAsP, выращенных методом жидкофазной эпитаксии н...
28.

Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий--ртуть--теллур на<<альтернативных>> подложках     

Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сабинина И.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Проведено рассмотрение процессов роста гетероэпитаксиальных структур на основе твердого раствора кадмий--ртуть--теллур на "альтернативных" подложках изGaAs иSi методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучены физико-химические процессы роста и механизмы образования дефектов при эпитаксии CdZnTe на...
29.

In situ исследование взаимодействия кислорода споверхностью кремния(111) методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии     

Косолобов С.С., Асеев А.Л., Латышев А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Сообщается о применении метода сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии для анализа газовых реакций на атомно-чистых поверхностях кремния. Исследованы начальные стадии взаимодействия кислорода с поверхностью кремния(111) в интервале температур 500--900oC. Вусловиях термического ...
30.

Свойства структур иприборов накремний-на-изоляторе     

Попов В.П., Антонова А.И., Французов А.А., Сафронов Л.Н., Феофанов Г.Н., Наумова О.В., Киланов Д.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Рассмотрены физические основы способа создания структур кремний-на-изоляторе (КНИ) методом, названным "DeleCut" (ion irradiated Deleted oxide Cut). Способ является модификацией известного метода Smart CutoledR и предназначен для устранения недостатков базового метода[1]. Предложенный способ повол...