Исследовано влияние температуры второго, активирующего образование оптически и электрически активных центров, отжига Si : (Er,O)-диодов с ориентацией (111) на электролюминесценцию ионов эрбия на длине волны lambda~1.54 мкм. Легирование осуществлялось имплантацией ионов эрбия с энергиями 2.0, 1.6 МэВ дозами 3·1014 см-2, а также ионов кислорода с энергиями 0.28, 0.22 МэВ дозами 3·1015 см-2. При комнатной температуре интенсивность электролюминесценции в режиме пробоя возрастает с ростом температуры отжига от 700 до 950oC. При температурах отжига 975-1100oC электролюминесценция эрбия в режиме пробоя не наблюдается из-за возникновения микроплазм. Интенсивность инжекционной электролюмиенсценции при 80 K убывает с ростом температуры отжига от 700 до 1100oC.
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А. Влияние температуры отжига наэлектролюминесценцию ионов эрбия вSi : (Er,O)-диодах: диоды сориентацией подложки (111) // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1224

Изучена зависимость распределения поля от интенсивности освещения в сильно смещенной высокоомной структуре металл--полупроводник, освещаемой собственным монохроматическим светом. Выявлены различия в распределении поля при освещении со стороны анода и катода, обусловленные в толще разностью подвижностей фотоносителей, а вблизи освещаемой поверхности--- различным направлением диффузионного и дрейфового потоков для более подвижных электронов. Показано, что при освещении со стороны катода распределение поля в толще не монотонно. Оно убывает в тонком слое с удалением от освещаемого катода, проходит через минимум и растет в направлении к аноду. Сувеличением интенсивности освещения квазинейтральная область в окрестности минимума поля расширяется в направлении к аноду и минимальное поле убывает, в то время как поле у освещаемого катода при малых интенсивностях уменьшается, а при больших интенсивностях растет. При достаточно больших интенсивностях освещения координатная зависимость поля в толще чистых кристаллов как функция расстояния от освещаемого электрода не зависит от направления освещения.
Резников Б.И. Влияние направления освещения нараспределение поля ввысокоомных структурах металл--полупроводник // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1219

Выполнен расчет термоэлектрической добротности полупроводникового p-n-перехода в рамках диодной теории с учетом биполярной теплопроводности. Произведена оценка добротности диода на основе Bi2Te3 и показано, что критерий Иоффе может быть на уровне лучших современных термоэлектриков, хотя и не может превышать1.
Равич Ю.И., Пшенай-Северин Д.А. Термоэлектрическая добротность p-n-перехода // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1214

Теоретически исследован фотоемкостный эффект при низких температурах в монополярном ДП конденсаторе с полупроводниковым электродом, легированным двумя акцепторными примесями с разной энергией ионизацииEia (глубокий акцептор) иEib (мелкий). Показано, что фотоемкостная чувствительность конденсатора возникает в виде пика в относительно узком интервале напряжения смещения. Максимум фотоемкостной чувствительности при постоянном напряжении зависит от температурыT как exp(Eia/kT). Неограниченное увеличение фотоемкостной чувствительности является результатом возникновения сингулярности в зависимости концентрации акцепторных ионов от напряжения смещения при понижении температуры. Представлены емкостные и фотоемкостные характеристики для конденсатора с электродом из кремния, легированного индием и бором.
Пенин Н.А. Фотоемкостный эффект вмонополярномМДП конденсаторе сполупроводниковым электродом, легированным двумя акцепторными примесями, принизких температурах // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1208

На основе детального анализа кинетики роста дефектов{113} межузельного типа в n- и p-Si при облучении in situ в высоковольтном электронном микроскопе JEOL-1250 в работе рассмотрена конкурирующая роль рекомбинации точечных дефектов и их взаимодействия с поверхностью на процесс кластеризации точечных дефектов. Показано, что доминирующее взаимодействие вакансий с поверхностью кристалла является следствием появления энергетического барьера для рекомбинации точечных дефектов в слабо легированных кристаллахSi. Вэтих условиях сток вакансий на поверхность обеспечивает компенсацию роста энергии кристалла, вызванной разделением пар Френкеля. Большое различие скоростей роста дефектов {113} в n-Si и p-Si, экспериментально наблюдаемое в условиях доминирования рекомбинации, как предполагается, обусловлено различием энергетических барьеров для рекомбинации. При этом найденные величины барьеров коррелируют с энергией решеточной релаксации вакансии в различном зарядовом состоянии.
Федина Л.И. О рекомбинации ивзаимодействии точечных дефектов споверхностью при кластеризации точечных дефектов вSi // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1120

Рассмотрены особенности электронных процессов в МДП структурах на основе InAs, работающих в режиме прибора с зарядовой инжекцией и используемых в качестве фотоприемных элементов в спектральном диапазоне 2.5-3.05 мкм. В качестве диэлектрика использовалась двухслойная система из слоя анодного окисла и низкотемпературной двуокиси кремния. Показано, что введение в состав электролита фторсодержащих компонент уменьшает величину встроенного заряда и плотность поверхностных состояний до минимально измеримых величин =<sssim 2·1010 см-2·эВ-1. На основе данных по фазовому составу анодных окислов, полученных методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, обсуждается физико-химическая природа поверхностных состояний на границе раздела InAs--диэлектрик и возможные причины их отсутствия. Наблюдалась аномальная полевая генерация в режиме неравновесного обеднения полупроводника. Рассмотрены процессы туннельной генерации, дающие существенный вклад при больших амплитудах импульса обеднения. Исследовано поведение шума МДП структур в режиме неравновесного обеднения.
Курышев Г.Л., Ковчавцев А.П., Валишева Н.А. Электронные свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник наоснове InAs // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1111

Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований, направленных на создание высокоэффективных источников спин-поляризованных электронов на базе гетероэпитаксиальных, упруго-деформированных пленок четверного твердого раствора InGaAsP, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках GaAs. Синтезированы пленки InGaAsP толщиной 0.1--0.2 мкм, имеющие ширину запрещенной зоны в диапазоне1.4--1.9 эВ и упругую деформацию до1%, что обеспечило расщепление потолка валентной зоны на40--60 мэВ и степень спиновой поляризацииP фотоэмиттированных электронов до80% с высоким квантовым выходом фотоэмиссииY после активирования до состояния отрицательного электронного сродства путем адсорбции цезия и кислорода. Достигнуты рекордные значения эффективного параметра качестваP2Y.
Альперович В.Л., Болховитянов Ю.Б., Чикичев С.И., Паулиш А.Г., Терехов А.С., Ярошевич А.С. Эпитаксиальный рост, электронные свойства ифотокатодные применения напряженных псевдоморфных слоев InGaAsP/GaAs // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1102

Проведено рассмотрение процессов роста гетероэпитаксиальных структур на основе твердого раствора кадмий--ртуть--теллур на "альтернативных" подложках изGaAs иSi методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучены физико-химические процессы роста и механизмы образования дефектов при эпитаксии CdZnTe на атомарно-чистой сингулярной и вицинальных поверхностях подложек из арсенида галлия и пленок CdHgTe на подложках CdZnTe/GaAs. Получены монокристаллические пленки ZnTe на подложках из кремния. Разработаны методы снижения дефектности пленок CdZnTe/GaAs иCdHgTe. Создано оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии, обеспечивающее выращивание гетероэпитаксиальных структурКРТ с высокой однородностью состава по площади на подложках большого диаметра при непрерывном контроле состава в процессе выращивания. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены гетероэпитаксиальные слоиКРТ наGaAs с высокими электрофизическими параметрами.
Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сабинина И.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий--ртуть--теллур на&lt;&lt;альтернативных&gt;&gt; подложках // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1092

Сообщается о применении метода сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии для анализа газовых реакций на атомно-чистых поверхностях кремния. Исследованы начальные стадии взаимодействия кислорода с поверхностью кремния(111) в интервале температур 500--900oC. Вусловиях термического травления поверхности кислородом визуализировано смещение моноатомных ступеней внаправлении верхних террас и определены условия формирования поверхностных вакансий. Измерена зависимость скорости движения ступеней от ширины прилегающих террас. Зарегистрированы осцилляции интенсивности зеркально отраженного от поверхности кремния пучка электронов в случае реализации двумерно-островкового механизма термического травления кремния в потоке молекулярного кислорода. Получена оценка энергии активации (1.35± 0.15 эВ) поверхностной диффузии вакансий, инициированных взаимодействием кислорода с кремнием.
Косолобов С.С., Асеев А.Л., Латышев А.В. In situ исследование взаимодействия кислорода споверхностью кремния(111) методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1084

Рассмотрены физические основы способа создания структур кремний-на-изоляторе (КНИ) методом, названным "DeleCut" (ion irradiated Deleted oxide Cut). Способ является модификацией известного метода Smart CutoledR и предназначен для устранения недостатков базового метода[1]. Предложенный способ поволяет существенно снизить температуру отжига и концентрацию радиационных дефектов в структурах КНИ, уменьшить толщину отсеченного слоя кремния и переходного слоя между слоем КНИ и скрытым окислом. Одновременно достигается увеличение однородности толщины слоев КНИ и диэлектрика до нескольких нанометров. Методом DeleCut созданы структуры КНИ с бездислокационными слоями КНИ толщиной 0.003-1.7 мкм с захороненным термическим окислом SiO2 (0.05-0.5 мкм) на пластинах диаметром до 150 мм. Структуры КНИ обладают высокими электрофизическими характеристиками, подтвержденными изготовлением на них субмикронных (0.2-0.5) транзисторов КМОП и тестовых интегральных схем.
Попов В.П., Антонова А.И., Французов А.А., Сафронов Л.Н., Феофанов Г.Н., Наумова О.В., Киланов Д.В. Свойства структур иприборов накремний-на-изоляторе // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1075