Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность

111.

Изменение физико-химических свойств поверхности и приповерхностной области эпитаксиальных слоев n-GaAs под воздействием атомарного водорода     

Торхов Н.А., Еремеев С.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Показана прямая связь изменений статических приборных характеристик барьеров Шоттки Au-GaAs с изменениями свойств поверхности при обработке структур n-n+-GaAs в атомарном водороде, заключающимися в изменении скорости травления поверхности n-GaAs в растворе диметилформамид : моноэтаноламин = 1 : 3...
112.

Реконструкционный переход (4x 2)-> (2x 4) на поверхности (001)InAs и GaAs     

Галицын Ю.Г., Мощенко С.П., Суранов А.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Детально изучены фазовые переходы между различными реконструкциями на поверхности (001)GaAs и InAs методом дифракции быстрых электронов на отражение. Предложена кинетическая схема взаимодействия As4 с поверхностью. Показано, как модифицировать основные уравнения, описывающие фазовый переход, если...
113.

Температурная зависимость остаточных механических напряжений вэпитаксиальных пленках GaAs/Si(100) по данным спектроскопии фотоотражения     

Кузьменко Р.В., Ганжа А.В., Бочурова О.В., Домашевская Э.П., Шрайбер Й., Хильдебрандт С., Мо Ш., Пайнер Э., Шлахетцкий А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
В области температур T=10/ 300 K при помощи спектроскопии фотоотражения исследована температурная зависимость остаточных механических напряжений в эпитаксиальных пленках n-GaAs (толщина 1/ 5 мкм, концентрация электронов 1016/1017 см-3), выращенных на подложках Si (100). Количественный анализ пока...
114.

Влияние границы диэлектрик--арсенид галлия на поведение кремния при радиационном отжиге     

Ардышев В.М., Ардышев М.В., Хлудков С.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Методом измерения вольт-фарадных характеристик исследовались концентрационные профилиn(x) 28Si, имплантированного в полуизолирующий GaAs (E1=50 кэВ, F1=8.75·1012 см-2 и E2=75 кэВ, F2=1.88·1012 см-2) после "электронного" отжига (P=7.6 Вт/см2, t=10 с) с защитными покрытиями: SiO2 : Sm; Si...
115.

Динамические тензохарактеристики диодов с барьером шоттки приимпульсном всестороннем гидростатическом давлении     

Маматкаримов О.О., Зайнабидинов С.З., Абдураимов А., Хамидов Р.Х., Туйчиев У.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Исследованы динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки типа Au-Si< Ni>-Sb при воздействии импульсного всестороннего гидростатического давления в диапазоне P=(0-5)· 108 Па, при температуре T=300 K. Исследования вольт-амперных характеристик диодов показали, что благодаря п...
116.

Исследование методом комбинационного рассеяния света расщепления поперечных оптических фононов всверхрешетках GaAs / AlAs, выращенных на поверхностях (311)     

Володин В.А., Ефремов М.Д., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Болотов В.В., Сачков В.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Сверхрешетки GaAsn / AlAsm, выращенные молекулярно-лучевой эпитаксией на поверхностях GaAs (311)A и (311)B, были исследованы методом спектроскопии комбинационного рассеяния света. Вид тензора комбинационного рассеяния света позволял, используя различные геометрии рассеяния, раздельно наблюдать мо...
117.

Исследование ультратонких слоев AlxGa1-xAs методом эллипсометрии     

Сухорукова М.В., Скороходова И.А., Хвостиков В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Предложена экспресс-методика контроля тонкослойных полупроводниковых структур методом эллипсометрии. Приведены результаты исследования распределения толщины и состава в слоях AlxGa1-xAs, выращенных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии. Данные эллипсометрии сравниваются с данными, полу...
118.

Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Ga0.7Al0.3As и GaAs     

Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Токранов В.Е., Улин В.П., Титков А.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология окисленной поверхности скола решетки чередующихся слоев GaAs и Ga0.7Al0.3As. Обнаружено, что поверхность пленки естественного окисла на сколе обладает квазистационарным нанорельефом, отражающим состав слоев гетероструктуры. Области окисла ...
119.

Множественное андреевское отражение в гибридных структурах наоснове сверхпроводящего нитрида ниобия и гетероперехода AlGaAs/GaAs     

Веревкин А.А., Птицина Н.Г., Смирнов К.В., Воронов Б.М., Гольцман Г.Н., Гершензон Е.М., Ингвессон К.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследована проводимость гибридных микроструктур со сверхпроводниковыми контактами из нитрида ниобия к полупроводнику с двумерным электронным газом в гетеропереходе AlGaAs/GaAs. Особенности поведения проводимости указывают на наличие процессов многократного андреевского отражения на рассеивающих ...
120.

Насыщенная скорость вертикального дрейфа электронов в политипах карбида кремния     

Санкин В.И., Лепнева А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследованы вольт-амперные характеристики специально разработанных оригинальных трехэлектродных структур n+-p-n+ на основе карбида кремния. Впервые определены насыщенные дрейфовые скорости электронов в направлении, параллельном оси кристалла, для ряда политипов карбида кремния (4H, 6H, 8H и 21R),...