Показана прямая связь изменений статических приборных характеристик барьеров Шоттки Au-GaAs с изменениями свойств поверхности при обработке структур n-n+-GaAs в атомарном водороде, заключающимися в изменении скорости травления поверхности n-GaAs в растворе диметилформамид : моноэтаноламин = 1 : 3, уменьшении скорости электрохимического осаждения и изменении структуры осаждаемого Au-слоя, а также в пассивации выходящих на поверхность линейных дефектов. Наблюдается практически полное отсутствие фигур травления на поверхности эпитаксиального слоя n-GaAs (100) при обработке в атомарном водороде незащищенной поверхности при температуре 100oC. Для защищенной пленкой SiO2 толщиной 50 Angstrem поверхности уменьшение скорости травления материала n-GaAs и значительное уменьшение количества фигур травления, уменьшение толщины осаждаемого слоя Au, изменение его структуры наблюдаются практически во всем температурном интервале обработок в атомарном водороде (100/ 400oC).
Торхов Н.А., Еремеев С.В. Изменение физико-химических свойств поверхности и приповерхностной области эпитаксиальных слоев n-GaAs под воздействием атомарного водорода // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 186

Детально изучены фазовые переходы между различными реконструкциями на поверхности (001)GaAs и InAs методом дифракции быстрых электронов на отражение. Предложена кинетическая схема взаимодействия As4 с поверхностью. Показано, как модифицировать основные уравнения, описывающие фазовый переход, если переходы происходят в потоке As4 вместо As2. Предложена модель перехода (4x2)->(2x4) как реконструкционного перехода в слое атомов металла, стабилизированного последующей адсорбцией мышьяка. Существенное отличие переходов в GaAs от InAs обусловлено более жесткими силовыми константами. Метастабильные разупорядоченные фазы играют важную роль в непрерывной эволюции от (2x4)beta до (4x2) фазы в GaAs.
Галицын Ю.Г., Мощенко С.П., Суранов А.С. Реконструкционный переход (4x 2)-> (2x 4) на поверхности (001)InAs и GaAs // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 180

В области температур T=10/ 300 K при помощи спектроскопии фотоотражения исследована температурная зависимость остаточных механических напряжений в эпитаксиальных пленках n-GaAs (толщина 1/ 5 мкм, концентрация электронов 1016/1017 см-3), выращенных на подложках Si (100). Количественный анализ показывает, что спектры фотоотражения, измеряемые в энергетической области перехода E0 GaAs, двухкомпонентны и состоят из электромодуляционной компоненты, обусловленной переходом "валентная подзона |3/2;± 1/2>--зона проводимости", и низкоэнергетической экситонной компоненты. Величина механических напряжений определяется из значения деформационно-индуцированного сдвига энергии фундаментального перехода из подзоны |3/2;±1/2> по отношению к ширине запрещенной зоны ненапряженного эпитаксиального материала, E0(T)-E0|3/2;±1/2>(T). Обнаруженное увеличение энергетического сдвига E0-E0|3/2;±1/2> от 22± 3 мэВ при 296 K до 29± 3 мэВ при 10 K указывает на рост биаксиального напряжения растяжения при понижении температуры.
Кузьменко Р.В., Ганжа А.В., Бочурова О.В., Домашевская Э.П., Шрайбер Й., Хильдебрандт С., Мо Ш., Пайнер Э., Шлахетцкий А. Температурная зависимость остаточных механических напряжений вэпитаксиальных пленках GaAs/Si(100) по данным спектроскопии фотоотражения // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 73

Методом измерения вольт-фарадных характеристик исследовались концентрационные профилиn(x) 28Si, имплантированного в полуизолирующий GaAs (E1=50 кэВ, F1=8.75·1012 см-2 и E2=75 кэВ, F2=1.88·1012 см-2) после "электронного" отжига (P=7.6 Вт/см2, t=10 с) с защитными покрытиями: SiO2 : Sm; SiO2, осажденный путем окисления моносилана; Si3N4; а также и без диэлектрика. Показано, что профили после электронного отжига залегают глубже по сравнению с расчетным и профилем после термического отжига (800oC, 30 мин). Глубина залегания профилей зависит от диэлектрика. Наибольшее "уширение" профиля наблюдается при электронном отжиге GaAs без диэлектрика, а наименьшее--- при электронном отжиге с пленкой SiO2 : Sm. На зaвисимостяхn(x) можно выделить два участка--- вблизи и вдали от границы раздела. Значения диффузионных параметров и степени электроактивацииSi на втором участке больше, чем на первом. Результаты интерпретируются в предположении термоупругих напряжений в GaAs вблизи границы диэлектрик--полупроводник.
Ардышев В.М., Ардышев М.В., Хлудков С.С. Влияние границы диэлектрик--арсенид галлия на поведение кремния при радиационном отжиге // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 70

Исследованы динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки типа Au-Si< Ni>-Sb при воздействии импульсного всестороннего гидростатического давления в диапазоне P=(0-5)· 108 Па, при температуре T=300 K. Исследования вольт-амперных характеристик диодов показали, что благодаря проявлению дополнительного температурного эффекта, стимулированного импульсным давлением, динамические параметры тензоэффекта в них на 20-30% возрастают по сравнению с их статическими параметрами.
Маматкаримов О.О., Зайнабидинов С.З., Абдураимов А., Хамидов Р.Х., Туйчиев У.А. Динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки приимпульсном всестороннем гидростатическом давлении // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 67

Сверхрешетки GaAsn / AlAsm, выращенные молекулярно-лучевой эпитаксией на поверхностях GaAs (311)A и (311)B, были исследованы методом спектроскопии комбинационного рассеяния света. Вид тензора комбинационного рассеяния света позволял, используя различные геометрии рассеяния, раздельно наблюдать моды TOy и TOx, где оси y и x--- направления смещения атомов, направленные вдоль и поперек фасеток на поверхности (311)A. Обнаружено расщепление мод TO1x и TO1y в сверхрешетках, выращенных на фасетированной поверхности (311)A GaAs. Наблюдалось усиление расщепления для свеpxрешеток со средней толщиной слоев GaAs 6монослоев и менее. Так как для сверxpешеток, выращенных в тех же условиях на поверхности (311)B, расщепления не наблюдалось, эффект расщепления можно связать с формированием квантовых проволок GaAs на фасетированной поверхности (311)A.
Володин В.А., Ефремов М.Д., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Болотов В.В., Сачков В.А. Исследование методом комбинационного рассеяния света расщепления поперечных оптических фононов всверхрешетках GaAs / AlAs, выращенных на поверхностях (311) // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 62

Предложена экспресс-методика контроля тонкослойных полупроводниковых структур методом эллипсометрии. Приведены результаты исследования распределения толщины и состава в слоях AlxGa1-xAs, выращенных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии. Данные эллипсометрии сравниваются с данными, полученными с помощью спектров комбинационного рассеяния
Сухорукова М.В., Скороходова И.А., Хвостиков В.П. Исследование ультратонких слоев AlxGa1-xAs методом эллипсометрии // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 57

Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология окисленной поверхности скола решетки чередующихся слоев GaAs и Ga0.7Al0.3As. Обнаружено, что поверхность пленки естественного окисла на сколе обладает квазистационарным нанорельефом, отражающим состав слоев гетероструктуры. Области окисла над слоями GaAlAs оказываются выше областей над слоями GaAs на 0.5 нм. Стравливание пленки окисла показывает, что на открывшейся поверхности скола также формируется нанорельеф, инвертированный по отношению к рельефу поверхности окисла. Возникновение нанорельефов на поверхности и на нижней границе пленки естественного окисла объяснено различной глубиной окисления слоев GaAs и Ga0.7Al0.3As и увеличением объема при окислении.
Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Токранов В.Е., Улин В.П., Титков А.Н. Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Ga0.7Al0.3As и GaAs // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 594

Исследована проводимость гибридных микроструктур со сверхпроводниковыми контактами из нитрида ниобия к полупроводнику с двумерным электронным газом в гетеропереходе AlGaAs/GaAs. Особенности поведения проводимости указывают на наличие процессов многократного андреевского отражения на рассеивающих центрах в нормальной области вблизи границы сверхпроводник--полупроводник.
Веревкин А.А., Птицина Н.Г., Смирнов К.В., Воронов Б.М., Гольцман Г.Н., Гершензон Е.М., Ингвессон К.С. Множественное андреевское отражение в гибридных структурах наоснове сверхпроводящего нитрида ниобия и гетероперехода AlGaAs/GaAs // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 590

Исследованы вольт-амперные характеристики специально разработанных оригинальных трехэлектродных структур n+-p-n+ на основе карбида кремния. Впервые определены насыщенные дрейфовые скорости электронов в направлении, параллельном оси кристалла, для ряда политипов карбида кремния (4H, 6H, 8H и 21R), величины которых составили 3.3· 106, 2· 106, 106 и 4· 103 см/с соответственно. Полученные результаты интерпретируются в рамках представлений о минизонной электронной структуре, обусловленной естественной сверхрешеткой в SiC, и качественно удовлетворяют этим представлениям. Экспериментально подтверждена корреляция между дрейфовой скоростью и шириной первой минизоны в исследованных политипах.
Санкин В.И., Лепнева А.А. Насыщенная скорость вертикального дрейфа электронов в политипах карбида кремния // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 586