В модели полностью обедненного слоя получены аналитические зависимости равновесных распределений мелкой примеси, электрического поля и потенциала в приповерхностной области полупроводника. Результаты расчета были применены для оценки изменения параметров структуры конечного размера. Получено, что в данном приближении возможно уменьшение концентрации электрически активных дефектов в несколько раз для полупроводниковых слоев толщиной ~1 мкм.
Гавриловец В.В., Бондаренко В.Б., Кудинов Ю.А., Кораблев В.В. Равновесное распределение мелкой примеси ипотенциала вприповерхностной области полупроводника вмодели полностью обедненного слоя // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 455

Рассмотрено стационарное и нестационарное фотонапряжение, возникающее в многослойной структуре с p-n-переходами при неоднородной засветке, для произвольного соотношения длины диффузионного смещения L и размеров p- и n-областей d. Показано, что при d<< L из-за взаимного влияния соседних p-n-переходов фотонапряжение существенно меньше (в d2/12L2 раз), чем при обратном смещении. Релаксация фотонапряжения определяется перезарядкой барьерных емкостей p-n-переходов и на несколько порядков превышает время жизни неравновесных носителей зарадя в p- и n-областях. Полученные результаты применимы к объяснению особенностей эффекта аномального фотонапряжения в поликристаллических пленках.
Агарев В.Н., Степанова Н.А. К теории эффекта аномального фотонапряжения в многослойных структурах с p-n-переходами // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 452

Методом масс-спектрометрии вторичных ионов исследовано пространственное распределение атомов селена, имплантированных в кремний, после отжига в диапазоне температур 600-1200oC. Для доз облучения, превышающих дозу аморфизации кремния, обнаружено образование пика концентрации атомов селена за областью среднего проецированного пробега. Пространственное положение максимума пика хорошо коррелирует с пространственным положением плоскости, в которой расчетная величина плотности потерь энергии ионов селена на упругие соударения (TRIM) соответствует критическому значению для аморфизации кремния. Накопление примеси в пике происходит при температурах 700oC и выше после рекристаллизации аморфизованного слоя. Перераспределение атомов селена в глубь образцов за счет диффузии определяется температурной зависимостью растворимости селена в кремнии.
Таскин А.А., Зайцев Б.А., Ободников В.И., Тишковский Е.Г. Особенности пространственного перераспределения атомов селена, имплантированных вкремний // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 318

Рассмотрено изменение проводимости однородной тонкой пленки оксида олова под влиянием адсорбции кислорода. С помощью модели, построенной в приближении плоских зон, дано описание зависимости концентрации свободных электронов в пленке от парциального давления кислорода в окружающей атмосфере. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными.
Кисин В.В., Сысоев В.В., Ворошилов С.А., Симаков В.В. Влияние адсорбции кислорода напроводимость тонких пленок оксида олова // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 314

Получено выражение для функции распределения носителей заряда по глубоким уровням с учетом эффекта Френкеля--Пула в области объемного заряда, использование которого позволило рассчитать влияние термополевой ионизации на плотность объемного заряда, распределение потенциала в области объемного заряда, квазистатические вольт-фарадные характеристики контакта металл--<аморфный кремний>.
Крылов П.Н. Влияние термополевой ионизации наформирование барьера Шоттки металл--&lt;аморфный кремний&gt; // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 306

Показано, что фосфор сегрегирует как вблизи идеальной границы SiO2/Si(100), так и вблизи границы с дефектами. В зависимости от конкретного механизма сегрегации (замещенние одиночных атомов кремния вблизи границы, притяжение к вакансиям и межузельным атомам кремния, накапливающимся вблизи границы ит. д.) энергия сегрегации может варьироваться от0.5 до1.0 эВ. При высоких концентрациях (сравнимых с концентрацией атомов кремния) энергия сегрегации уменьшается до 0.15--0.7 эВ. Энергия сегрегации на идеальной границе меньше, чем на границе с дефектами.
Заводинский В.Г. Компьютерное излучение механизмов сегрегации фосфора награнице SiO2/Si(100) // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 302

Пленки твердых растворов GaN<O> с различным содержанием кислорода получены химическим осаждением из газовой фазы путем пиролитического разложения моноаммиаката хлорида галлия в присутствии паров воды на подложках из кристаллического кварца и кремния. Исследованы структура и оптические свойства пленок. Установлено, что при увеличении содержания кислорода в слое ширина запрещенной зоны при 300 K увеличивается от 3.4 до 3.9 эВ. Исследованы фотоэлектрические свойства гетеропереходов Si/GaN<O>. В диапазоне температур 80/290 K все гетеропереходы являются фоточувствительными, величина фотоответа и спектральная характеристика зависят от содержания кислорода в пленке GaN<O>. Обсуждены особенности строения металлургической границы гетероперехода.
Александров С.Е., Гаврикова Т.А., Зыков В.А. Исследование пленок GaN&lt;O&gt; и структур на их основе // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 297

Методами двухступенчатой технологической операции с холодным травлением, полировкой и электрохимическим осаждением палладия создана диодная структура p-InP--n-In2O3--P2O5--Pd. Изучен токоперенос в интервале температур 110-300 K, и вольт-амперные характеристики объяснены с учетом туннелирования через барьер, через глубокие центры захвата и межзонного туннелирования. Установлен рост фотоэдс в атмосфере водяных паров и показано, что этот эффект определяется изменением кинетики рекомбинации на связанных состояниях на гетерогранице n-In2O3--P2O5 вследствие поглощения молекул H2O в окисле P2O5. Фотоэдс растет линейно с концентрацией водяных паров, и релаксация импульса фотоэдс ~1-2 с. Исследована релаксация фотоэдс обратного и прямого тока после действия H2. Их полученных данных выявлена возможность создания детектора тройного назначения: ближнего инфракрасного излучения, влажности и водорода.
Слободчиков С.В., Салихов Х.М. Влияние влажности и водорода на токоперенос диодных структур на основе p-InP с палладиевым контактом // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 290

Численно проанализированы релаксационные сигналы--- температурные зависимости тока J(T) и высокочастотной емкости C(T),--- возникающие при термостимулированной деполяризации МДП структуры. Учтены как опустошение ионных ловушек, локализованных у границы раздела диэлектрик--полупроводник, так и генерация неосновных носителей заряда через объемный центр в полупроводнике глубиной ED.
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Чучева Г.В. Генерация неосновных носителей заряда уповерхности полупроводника приионной термодеполяризации структур металл--диэлектрик--полупроводник // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 283

Исследованы магнитотранспортные свойства электронного канала на гетерогранице в разъединенных гетеропереходах II типа p-GaInAsSb / p-InAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии, с различным составом твердого раствора (x=0.09-0.22) в интервале температур 77-300 K. Показано, что электронный канал с высокой подвижностью (mu=30 000-50 000 см2/(В· с)), образующийся на гетерогранице, сохраняется во всем интервале составов. Обсуждается зонная энергетическая диаграмма исследуемых гетероструктур и оценены параметры электронного канала. Установлено, что электронный канал с высокой подвижностью сохраняется вплоть до комнатной температуры. Такие гетероструктуры могут быть перспективны для создания холловских сенсоров нового типа с электронным каналом на гетерогранице.
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Розов А.Е., Яковлев Ю.П. Магнитотранспорт вполуметаллическом канале вгетероструктурах p-Ga1-xInxAsySb1-y/p-InAs сразличным составом твердого раствора // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 194