Представлены результаты исследования границы раздела германий--нитрид германия (Ge--Ge3N4) методом вольт-фарадных характеристик при облучении структуры фотонами разной энергии. Примененная методика позволила определить уровни ловушек в нитриде германия, глубина залегания этих уровней составляет 0.75, 0.89 и 3.0 эВ. При исследовании токопрохождения через структуру Ge--Ge3N4 найдено два уровня в Ge3N4 с глубиной залегания 0.75 и 0.87 эВ.
Джанелидзе Р.Б., Джанелидзе М.Б., Кациашвили М.Р. Исследование структуры Al--Ge3N4--Ge методом фото-вольт-фарадных характеристик // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1234

Исследовано влияние низкотемпературного перераспределения электронного заряда на границе Si/SiO2 между межфазными состояниями и зоной проводимости кристалла n-Si на температурное поведение проводимости, фотоэдс и фототока в барьерных структурах с краевыми электронными поверхностными каналами в области температур 77-300 K. Динамика токового отклика канала на изменение напряжения в темноте и при освещении может быть объяснена дисперсионным прыжковым транспортом дырок в SiO2, индуцирующим перенос и аккумуляцию электронов на поверхностиSi у барьерного контакта. Насыщение фотоэдс при низких температурах и немонотонные температурные зависимости фототока связываются с немонотонным увеличением плотности локализованных дырок на границе Si/SiO2 и свободных электронов на поверхностиSi при охлаждении, отражающем изменение валентности кислородных комплексов.
Бочкарева Н.И., Хорев С.А. Влияние низкотемпературного межфазного переноса заряда награнице Si/SiO2 нафотоответ кремниевых барьерных структур // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1228

В рамках электронно-деформационной модели рассмотрен механизм возникновения электронно-деформационного диполя на механически напряженной гетерогранице. На примере гетероструктуры ZnSe / ZnS показано, что при наложении внешнего электрического поля ~120 кВ/см по нормали к плоскости ее гетерограницы решетка ZnSe (ZnS) претерпевает дополнительную деформацию сжатия ~4% (~3%), а при противоположном направлении поля--- деформацию растяжения ~5% (~5%).
Пелещак Р.М., Лукиянец Б.А., Зегря Г.Г. Влияние электрического поля нанапряженное состояние гетероструктуры // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1223

Обсуждается возможность использования результатов измерения квазистатических вольт-амперных характеристик и высокочастотного импеданса симметричных по легированию бикристаллических структур, полученных методом прямого сращивания кремния, для одновременного определения электрофизических параметров границы сращивания (дифференциальной плотности поверхностных состояний nu(E)) и приграничных слоев (распределения концентрации легирующей примеси в окрестности границы). Обращается внимание на то обстоятельство, что отношение статического тока к высокочастотной проводимости представляет собой параметр, весьма чувствительный к наличию "проколов" (участков с повышенной проводимостью) в потенциальном барьере границы сращивания. Экспериментально показано, что проводимость реальных бикристаллических структур, полученных прямым сращиванием кремния, в значительной степени определяется наличием таких "проколов", что должно учитываться при определении зависимости nu(E) наряду с возможным подлегированием приграничных слоев в процессе сращивания.
Стучинский В.А., Камаев Г.Н. Статическая и высокочастотная поперечная проводимость изотипных кремниевых структур, полученных методом прямого сращивания // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1214

Осаждением пленок a-Si : H на поверхность (001) монокристаллических пластин InSe, а также осаждением пленок чистого индия с их последующей селенизацией синтезированы пленки InSe на поверхности a-Si : H и выращены гетероструктуры в системе a-Si : H / InSe. Обнаружен и исследован фотовольтаический эффект для обоих типов гетероструктур. Сделан вывод о перспективах применения полученных гетероструктур в качестве широкополосных фотопреобразователей излучения.
Бекимбетов Р.Н., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотовольтаический эффект вгетероструктурах a-Si : H / n-InSe // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1105

Проведен анализ нестационарного напряжения, возникающего в супермногослойной структуре, представляющей собой последовательно включенные p-n-переходы, после подачи на нее смещения. Показано, что в таких структурах при освещении в магнитном поле возможно возникновение нестационарного фотомагнитного эффекта очень большой величины.
Агарев В.Н., Стафеев В.И. Нестационарный фотомагнитный эффект вмногослойных структурах сp-n-переходами // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1103

Предложен новый технологический процесс формирования энергетического барьера на кристаллах теллурида кадмия и получены выпрямляющие фоточувствительные анизотипные и изотипные структуры на его основе. Исследованы и обсуждаются фотоэлектрические свойства полученных структур в зависимости от геометрии их освещения естественным и линейно поляризованным излучением. Сделан вывод о возможности применения новой технологии для создания на основе теллурида кадмия фотопреобразовательных структур различного назначения.
Ильчук Г.А., Иванов-Омский В.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Украинец Н.А. Создание и фотоэлектрические свойства структур окисел--CdTe // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1099

Получены структуры кремний-на-изоляторе путем отделения от пластины кремния тонкого слоя за счет имплантации водорода, переноса этого слоя на другую подложку и сращивания с ней. Исследовано влияние водорода и уровня легирования исходных пластин на концентрацию свободных носителей и тип проводимости в отсеченном слое кремния. Показано, что высокая концентрация бора в исходном материале в сочетании с высокой концентрацией остаточного водорода в слое кремния, отделенном от пластины, приводит к n-типу проводимости, который сохраняется до температур отжига структур 1100oC. Уменьшение концентрации остаточного водорода за счет дополнительного отжига создает условия, когда проводимость готовых структур соответствует типу проводимости исходного материала.
Антонова И.В., Стась В.Ф., Попов В.П., Ободников В.И., Гутаковский А.К. Проводимость структур кремний-на-изоляторе, полученных сращиванием пластин кремния сподложкой сиспользованием имплантации водорода // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1095

Синтезированы гетероструктуры n-SnO2(Me) / p-Si (Me: Cu, Pd, Ni) с толщиной слоя SnO2 0.8-1 мкм. Средний размер кристаллита диоксида олова составлял 6-8 нм. Вольт-амперные характеристики структур измерены в осушенном воздухе и в условиях адсорбции молекул NO2 и C2H5OH. Вольт-амперные характеристики в атмосфере воздуха удовлетворительно описываются в рамках диодной теории с высокими значениями коэффициента неидеальности: beta~8-18. Адсорбция газовых молекул приводит к существенной модификации вольт-амперных характеристик как в области прямых, так и в области обратных смещений. Вид вольт-амперных характеристик объясняется с учетом активационных переходов через барьер, высота которого может как уменьшаться, так и увеличиваться в зависимости от типа адсорбированной молекулы, и изменения характера туннельных процессов на гетероконтакте.
Васильев Р.Б., Гаськов А.М., Румянцева М.Н., Рыжиков А.С., Рябова Л.И., Акимов Б.А. Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-SnO2 на p-Si в условиях газовой адсорбции // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 993

Построена теория ионного переноса в изолирующих слоях на поверхности полупроводников. Учтены процессы нейтрализации ионов, распада нейтральных ассоциатов ион + электрон, ионного дрейфа и диффузии нейтральных ассоциатов. Теория позволяет разрешить противоречие в интерпретации экспериментальных данных о ионной деполяризации слоев SiO2, которые проявляют себя взаимоисключающе: и как система ионных ловушек с широким распределением времен жизни, и как среда со свободными ионами. Роль ловушек играют нейтральные ассоциаты; широкое распределение времен жизни обусловлено разбросом длин туннелирования электронов при распаде ассоциатов. Повышение степени ионизации при квазистационарном уменьшении электрического поля обеспечивает плавный переход от совокупности малоподвижных нейтральных ассоциатов к ансамблю свободных ионов.
Гольдман Е.И. Электронно-ионный обмен намежфазных границах диэлектрик--полупроводник иеговлияние натранспорт ионов визолирующем слое // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 984