Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность

121.

Об электрических и фотоэлектрических характеристиках изотипной гетероструктуры n-ZnO--n-Si     

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Измерены вольт-амперные и вольт-емкостные характеристики, поперечный и продольный фотоэффект в изотипных гетероструктурах n-ZnO--n-Si, полученных методом осаждения из металлоорганических соединений. Определены некоторые параметры границы раздела, механизма токопереноса и фотоэлектрические характе...
122.

Исследования приповерхностной области n-InP (100), пассивированного в сульфидных растворах     

Бессолов В.Н., Лебедев М.В., Zahn D.R.T. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
С помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, метода Кельвина и рамановского рассеяния изучались свойства поверхности n-InP (100), пассивированной сульфидом аммония, растворенным в воде или в трет-бутиловом спирте. Показано, что обе обработки приводят к уменьшению глубины приповерхностно...
123.

Осцилляции наведенного фотоплеохроизма в тонкопленочных структурах In(Au)/Si     

Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Изготовлены фоточувствительные структуры In(Au)/Si и исследованы их фотоэлектрические свойства при наклонном падении линейно поляризованного излучения со стороны барьерного контакта. Обнаружены осцилляции в спектральных зависимостях квантовой эффективности фотопреобразования и коэффициента наведе...
124.

Возникновение генерационно-рекомбинационной неустойчивости втонкопленочных структурах     

Колобаев В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Оценивалась возможность возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в симметричных структурах металл--полупроводник--металл с малой толщиной пленки. Предложена модель, позволяющая в первом приближении объяснить природу возникновения данной бистабильности в результате генерационно...
125.

Эффекты нейтрализации ионов уграницы раздела полупроводник--диэлектрик приобъемно-зарядовой термодеполяризации МДП структур     

Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Методом численного моделирования анализируются проявления ионных ловушек, эффектов нейтрализации ионов и генерации неосновных носителей заряда у границы раздела диэлектрик--полупроводник в температурных зависимостях тока J(T) и высокочастотной емкости Cs(T) МДП структуры в процессе ее термостимул...
126.

Механизм глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs / AlGaAs-гетероструктур     

Герловин И.Я., Долгих Ю.К., Елисеев С.А., Ефимов Ю.П., Недокус И.А., Овсянкин В.В., Петров В.В., Бер Б.Я. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
На установке молекулярно-пучковой эпитаксии ЭП-1302 выращены предельно легированные железом гетероструктуры, содержащие объемные слои GaAs и AlxGa1-xAs, а также GaAs / AlGaAs-сверхрешетки. Анализ измеренных методом масс-спектрометрии вторичных ионов профилей вхождения железа показал, что при рост...
127.

Поляризационная фоточувствительность гетеропереходов GaN/Si     

Ботнарюк В.М., Бельков В.В., Жиляев Ю.В., Раевский С.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Разработана технология получения гетеропереходов n-GaN/Si, включающая химическое осаждение слоев GaN с толщинами до20 мкм на подложкиSi в открытой газотранспортной системе. Исследованы фотоэлектрические свойства изо- и анизотипных гетеропереходов в естественном и линейно поляризованном излучении....
128.

Эффективное время жизни носителей заряда вваризонных структурах наоснове CdHgTe     

Осадчий В.М., Сусляков А.О., Васильев В.В., Дворецкий С.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Проведены расчеты эффективного времени жизни носителей заряда в варизонных структурах из n-CdHgTe с учетом оже-рекомбинации и рекомбинации на дислокациях. Показано, что введение варизонных широкозонных слоев позволяет исключить влияние поверхностной рекомбинации и получить высокие эффективные вре...
129.

Брэгговские отражатели для цилиндрических волн     

Николаев В.В., Соколовский Г.С., Калитеевский М.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Разработан метод матриц переноса для цилиндрических волн. Получены выражения для коэффициентов отражения и пропускания цилиндрических световых волн одиночной цилиндрической границей раздела двух сред и цилиндрической слоистой средой. Предложена конструкция оптимизированных "брэгговских" отражател...
130.

Исследование спектров фоточувствительности гетероперехода n-GaAs--As2Se3     

Аржанухина И.П., Корнев К.П., Селезнев Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Представлены результаты исследования спектральных характеристик фотоотклика гетеропереходов n-GaAs--аморфная пленка As2Se3 при разной толщине пленки халькогенидного стеклообразного полупроводника. Получены формулы для расчета: доли света, поглощенной в халькогенидном стеклообразном полупроводнике...