Измерены вольт-амперные и вольт-емкостные характеристики, поперечный и продольный фотоэффект в изотипных гетероструктурах n-ZnO--n-Si, полученных методом осаждения из металлоорганических соединений. Определены некоторые параметры границы раздела, механизма токопереноса и фотоэлектрические характеристики гетероструктур, представляющие интерес для оценки практического использования.
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. Об электрических и фотоэлектрических характеристиках изотипной гетероструктуры n-ZnO--n-Si // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 435

С помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, метода Кельвина и рамановского рассеяния изучались свойства поверхности n-InP (100), пассивированной сульфидом аммония, растворенным в воде или в трет-бутиловом спирте. Показано, что обе обработки приводят к уменьшению глубины приповерхностной обедненной области, к смещению поверхностного уровня Ферми в направлении зоны проводимости и к увеличению работы выхода электронов с поверхности и энергии ионизации полупроводника, причем обработка в спиртовом растворе дает более сильный эффект, чем обработка в водном растворе. При сульфидировании в спиртовом растворе поверхностный уровень Ферми смещается на 0.2 эВ, а энергия ионизации увеличивается на 0.53 эВ.
Бессолов В.Н., Лебедев М.В., Zahn D.R.T. Исследования приповерхностной области n-InP (100), пассивированного в сульфидных растворах // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 429

Изготовлены фоточувствительные структуры In(Au)/Si и исследованы их фотоэлектрические свойства при наклонном падении линейно поляризованного излучения со стороны барьерного контакта. Обнаружены осцилляции в спектральных зависимостях квантовой эффективности фотопреобразования и коэффициента наведенного фотоплеохроизма. Осцилляции объяснены интерференцией линейно поляризованного излучения в тонких пленках кремния.
Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Осцилляции наведенного фотоплеохроизма в тонкопленочных структурах In(Au)/Si // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 425

Оценивалась возможность возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в симметричных структурах металл--полупроводник--металл с малой толщиной пленки. Предложена модель, позволяющая в первом приближении объяснить природу возникновения данной бистабильности в результате генерационно-рекомбинационных процессов, протекающих в объеме образца при биполярной инжекции. Показана перспективность разработки и применения структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением в устройствах для регистрации и обработки информации.
Колобаев В.В. Возникновение генерационно-рекомбинационной неустойчивости втонкопленочных структурах // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 423

Методом численного моделирования анализируются проявления ионных ловушек, эффектов нейтрализации ионов и генерации неосновных носителей заряда у границы раздела диэлектрик--полупроводник в температурных зависимостях тока J(T) и высокочастотной емкости Cs(T) МДП структуры в процессе ее термостимулированной деполяризации. В общем случае даже при наличии в диэлектрике лишь одного сорта подвижных ионов кривые J(T) могут иметь три пика, обусловленных опустошением ионных ловушек, распадом нейтральных ассоциатов ион + электрон и генерацией неосновных носителей заряда. Температурная последовательность этих пиков, как и их количество (вплоть до одного), определяются соотношениями энергий активации соответствующих процессов и начальным изгибом зон в полупроводнике U0. Случаи слияния отдельных пиков, сопровождающиеся их уширением и симметризацией, могут ошибочно трактоваться как результат проявления распределенных по энергии ионных ловушек. Анализ семейств зависимостей J(T,U0,n0) и Cs(T,U0,n0) (n0--- начальная плотность частиц, ионов и нейтральных ассоциатов, локализованных в диэлектрике у границы с полупроводником) позволяет отделить чисто ионные явления от электронных, а также вклады в ток от ионных ловушек и эффектов нейтрализации и в принципе объяснить наблюдающуюся эволюцию пиков термостимулированной деполяризации при вариациях U0 и n0, не получившую до сих пор адекватного физического истолкования.
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф. Эффекты нейтрализации ионов уграницы раздела полупроводник--диэлектрик приобъемно-зарядовой термодеполяризации МДП структур // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 306

На установке молекулярно-пучковой эпитаксии ЭП-1302 выращены предельно легированные железом гетероструктуры, содержащие объемные слои GaAs и AlxGa1-xAs, а также GaAs / AlGaAs-сверхрешетки. Анализ измеренных методом масс-спектрометрии вторичных ионов профилей вхождения железа показал, что при росте на ориентированных в плоскости [100] подложках предельные концентрации железа для слоев GaAs, а также для GaAs / AlGaAs-сверхрешеток оказываются на 2 порядка меньшими, чем для тройного раствора AlGaAs. Обнаружено, что радикальное увеличение предельной концентрации Fe (вплоть до 5· 1018 см-3) в GaAs / AlGaAs-сверхрешетках может быть достигнуто при росте на подложках, вырезанных с 3o отклонением от плоскости [100]. Существенно, что при таких высоких уровнях легирования в спектрах низкотемпературного (10 K) поглощения и фотолюминесценции сверхрешеток сохраняются узкие экситонные линии. Проанализированы возможные механизмы селективного внедрения железа в GaAs / AlGaAs-гетероструктуры.
Герловин И.Я., Долгих Ю.К., Елисеев С.А., Ефимов Ю.П., Недокус И.А., Овсянкин В.В., Петров В.В., Бер Б.Я. Механизм глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs / AlGaAs-гетероструктур // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 302

Разработана технология получения гетеропереходов n-GaN/Si, включающая химическое осаждение слоев GaN с толщинами до20 мкм на подложкиSi в открытой газотранспортной системе. Исследованы фотоэлектрические свойства изо- и анизотипных гетеропереходов в естественном и линейно поляризованном излучении. Обнаружена поляризационная фоточувствительность, возникающая при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность слоев GaN. Коэффициент наведенного фотоплеохроизма увеличивается с углом паденияtheta по квадратичному закону и при theta=~ 75o достигает20%. Сделан вывод о возможности использования гетеропереходов GaN/Si в качестве широкополосных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.
Ботнарюк В.М., Бельков В.В., Жиляев Ю.В., Раевский С.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М. Поляризационная фоточувствительность гетеропереходов GaN/Si // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 297

Проведены расчеты эффективного времени жизни носителей заряда в варизонных структурах из n-CdHgTe с учетом оже-рекомбинации и рекомбинации на дислокациях. Показано, что введение варизонных широкозонных слоев позволяет исключить влияние поверхностной рекомбинации и получить высокие эффективные времена жизни даже при высоких плотностях дислокаций (выше 107 см-2). Получено согласие измеренных и рассчитанных времен жизни носителей заряда в варизонных структурах, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
Осадчий В.М., Сусляков А.О., Васильев В.В., Дворецкий С.А. Эффективное время жизни носителей заряда вваризонных структурах наоснове CdHgTe // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 293

Разработан метод матриц переноса для цилиндрических волн. Получены выражения для коэффициентов отражения и пропускания цилиндрических световых волн одиночной цилиндрической границей раздела двух сред и цилиндрической слоистой средой. Предложена конструкция оптимизированных "брэгговских" отражателей для цилиндрических волн и исследованы ее свойства.
Николаев В.В., Соколовский Г.С., Калитеевский М.А. Брэгговские отражатели для цилиндрических волн // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 174

Представлены результаты исследования спектральных характеристик фотоотклика гетеропереходов n-GaAs--аморфная пленка As2Se3 при разной толщине пленки халькогенидного стеклообразного полупроводника. Получены формулы для расчета: доли света, поглощенной в халькогенидном стеклообразном полупроводнике; доли света, поглощенной в GaAs при учете многократных отражений от границ раздела в исследованной структуре; а также их отношения. Проводятся анализ поглощения света в структуре и модель формирования фотоотклика гетероструктуры. Показано хорошее соответствие экспериментальных и расчетных данных.
Аржанухина И.П., Корнев К.П., Селезнев Ю.В. Исследование спектров фоточувствительности гетероперехода n-GaAs--As2Se3 // ФТП, 1999, том 33, выпуск 1, Стр. 64