Методами инфракрасной спектроскопии и электронной микроскопии исследована структура поверхности монокристаллов кремния после плазменной обработки. Показано, что при облучении импульсной азотной плазмой в приповерхностной области формируется нитрид кремния.
Баимбетов Ф.Б., Ибраев Б.М., Жукешов А.М. Обработка поверхности кремния импульсной азотной плазмой // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 197

Методом емкостной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование изменений при отжиге спектра состояний на границеSi/SiO2, полученной прямым сращиванием, и на границе Si(подложка)/<термический SiO2> в структурах кремний-на-изоляторе. Структуры создавались методом сращивания пластин кремния с расслоением одной из пластин по плоскости, ослабленной имплантацией водорода. Отжиг структур кремний-на-изоляторе проводился при430oC в течение15 мин в атмосфере водорода, что соответствует стандартному режиму пассивации состояний на границеSi/SiO2. Показано, что для границы Si/<термический SiO2> в структуре кремний-на-изоляторе имеет место пассивация граничных состояний водородом, в результате чего плотность ловушек существенно уменьшается и непрерывный спектр состояний во всей зоне заменяется полосой состояний в интервале энергийEc-(0.1/ 0.35) эВ. Для ловушек на сращенной границе Si/SiO2 происходит трансформация центров, а именно, наблюдается смещение полосы энергий состояний отEc-(0.17/ 0.36) эВ доEc-(0.08/ 0.22) эВ; сечение захвата на ловушки уменьшается примерно на порядок, а плотность наблюдаемых ловушек несколько увеличивается.
Антонова И.В., Стано Й., Николаев Д.В., Наумова О.В., Попов В.П., Скуратов В.А. Трансформация при отжиге вводороде состояний награницах раздела структур кремний-на-изоляторе // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 65

Методом атомно-силовой микроскопии проведен сравнительный анализ топографии естественно окисленных поверхностей подложек GaAs(100), а также подложек, обработанных в водных растворах сульфида натрия на различных стадиях их подготовки для роста гетероструктур на основеZnSe методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что отжиг окисленных подложек вызывает сильное нарушение планарности поверхности и приводит к появлению ямок с плотностью1010 см-2. Плотность ямок удается уменьшить на 2порядка с помощью обработки поверхности подложки в водном раствореNa2S. Методом просвечивающей электонной микроскопии показано, что сульфидирование подложекGaAs позволяет снизить количество дефектов (до~ 3· 105 см-2), зарождающихся на интерфейсе ZnSe/GaAs, и соответственно улучшить структурные качества выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии слоевAIIBVI игетероструктур.
Седова И.В., Львова Т.В., Улин В.П., Сорокин С.В., Анкудинов А.В., Берковиц В.Л., Иванов С.В., Копьев П.С. Сульфидные пассивирующие покрытия поверхности GaAs(100) вусловиях молекулярно-пучковой эпитаксии A IIB VI/GaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 59

Предлагается новая методика комбинированного исследования многокомпонентных спектров фотоотражения полупроводников, включающая всебя измерение спектров при изменении плотности и длины волны лазерного возбуждения вкомбинации сфазовым анализом спектра. Эффективность методики показана на примере анализа многокомпонентного спектра фотоотражения пассивированного гомоэпитаксиального образца Si3N4/n-GaAs/n+-GaAs.
Кузьменко Р.В., Ганжа А.В., Домашевская Э.П. Комбинированная методика исследования многокомпонентных спектров фотоотражения полупроводников // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 52

В рамках простой модели проанализированы результаты измерений высоты барьера Шоттки Phinb на контакте хрома с политипами карбида кремния 8H-, 6H-, 15R-, 27R- и4H-SiC-n-типа проводимости. Показано, что величина Phinb пропорциональна концентрации кремниевых вакансий в политипах. Обсуждаются результаты измерений Phinb на контактах палладия и платины с политипами карбида кремния.
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В., Таиров Ю.М. Контакт металл--карбид кремния: зависимость высоты барьера Шоттки от политипа SiC // ФТП, 2001, том 35, выпуск 12, Стр. 1437

Предложена модель, в которой взаимодействие адсорбата (напримере сульфид-иона) с поверхностью GaAs рассматривается с учетом влияния сольватной оболочки. Спомощью квантово-химических расчетов показано, что сольватация адсорбата молекулами различных растворителей приводит к изменению соотношения между его акцепторной и донорной реакционными способностями, что оказывает определяющее влияние на его взаимодействие с поверхностными состояниями и, как следствие, на модификацию электронной структуры поверхности полупроводника.
Лебедев М.В. Роль сольватации сульфид-иона при модификации электронной структуры поверхностиGaAs // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1347

Теоретически проанализированы особенности обратного тока варизонной p-n-cтруктуры, вкоторой ширина запрещенной зоны линейно возрастает сувеличением расстояния от металлургической границы. Показано, что за счет варизонности можно значительно уменьшить обратный ток p-n-перехода, связанный степловой генерацией носителей вбазовых областях структуры и на омических контактах. Предсказана возможность возникновения вслучае больших градиентов ширины запрещенной зоны на обратной ветви вольт-амперной характеристики участка сотрицательным дифференциальным сопротивлением.
Соколовский Б.С. Обратный ток варизонной p-n-структуры снемонотонной координатной зависимостью ширины запрещенной зоны // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1341

Методом тлеющего разряда в газовой смеси CH4+Ar на пластинах c-Si получены слои a-C : H. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов a-C : H / c-Si. В полученных гетеропереходах обнаружено выпрямление и широкополосный фотовольтаический эффект. Показано, что поляризационная фоточувствительность в этих структурах возникает в условиях наклонного падения линейно поляризованного излучения со стороны слоев a-C : H, а обнаруженные осцилляции в спектре коэффициента наведенного фотоплеохроизма обусловлены интерференцией излучения в этих слоях.
Барышников В.Г., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фоточувствительность гетеропереходов a-C : H / c-Si // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1338

Методом электронной спектроскопии для химического анализа проведены исследования зависимости состава анодного окисла от ориентации поверхности кристаллов CdxHg1-xTe (x=0.19). Было обнаружено, что составы окислов на поверхностях кристалла с ориентацией (111) и (100) идентичны и плавно изменяются от подложки к внешней поверхности, в то время как окисел на поверхности с ориентацией (110) содержит прослойку неокисленного теллура. Этот результат коррелирует с некоторыми известными свойствами окислов CdxHg1-xTe.
Средин В.Г., Мезин Ю.С., Укроженко В.М. Ориентационная зависимость свойств поверхностных анодных окислов на CdxHg1-xTe // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1335

Исходя из уравнения Пуассона рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала в p-n-переходе в узкозонном полупроводнике типа HgMnTe. Показано, что при сужении запрещенной зоны влияние свободных носителей приводит к тому, что зависимость напряженности электрического поля от координаты отклоняется от линейной, а потенциала--- от квадратичной. Вследствие этого, а также из-за значительного увеличения диффузионного потенциала в n+-p-переходе с вырожденной n+-областью, становятся своеобразными механизмы переноса заряда: зависимость рекомбинационного тока от напряжения отклоняется от обычно используемых аналитических выражений, а при больших напряжениях смещения доминирует диффузионный ток дырок из слабо легированной p-области в n+-область.
Косяченко Л.А., Марков А.В., Остапов С.Э., Раренко И.М. Генерационно-рекомбинационные идиффузионные токи вn+-p-переходах HgMnTe // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1326