Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность

61.

Квазистатические ионные токи в тонких диэлектрических пленках МДП (металл--диэлектрик--полупроводник) структур и распределение ионов в пленках     

Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Предложен метод расчета квазистатических вольт-амперных характеристик ионных токов в МДП структурах. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных пиков ионных токов на вольт-амперной характеристике. Рассматривается влияние полупроводника на вид вольт-амперной характеристики. Рассчитано р...
62.

Механизм обратного тока в диодах с барьером Шоттки Al/p-InP     

Пипинис П.А., Римейка А.К., Лапейка В.А., Пипинене А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Измерены зависимости тока от напряжения обратного смещения и температуры диодов Шоттки Al/p-InP, изготовленных на эпитаксиальных слоях фосфида индия, легированного цинком. Обратный ток обладает явно выраженной температурной зависимостью с энергией активации 0.75 эВ в высокотемпературной области и...
63.

Влияние серы иселена нарельеф поверхности диэлектрических пленок иэлектрические характеристики структур металл--диэлектрик--p-GaAs     

Панин А.В., Шугуров А.Р., Калыгина В.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Исследовано влияние атомов серы и селена на морфологию поверхности диэлектрических слоев, нанесенных на поверхность GaAs подложки. Показано, что введение халькогенов в приповерхностную область полупроводника приводит к выравниванию рельефа поверхности диэлектрических пленок. Одновременно наблюдае...
64.

Туннельно-избыточные токи в гетероструктурах p- Si-n-3C-SiC     

Каражанов С.Ж., Атабаев И.Г., Салиев Т.М., Канаки Э.В., Джаксимов Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Сделана попытка интерпретации вольт-амперной характеристики гетероструктуры p-Si-n-SiC в рамках туннельно-избыточного механизма. Проведена оценка ширины области объемного зарядаW и длины туннелированияlambda. Показано, что W>> lambda и, несмотря на это, транспорт тока через исследуемую гете...
65.

Особенности регистрации alpha -частиц тонкими полуизолирующими пленками 6H-SiC     

Строкан Н.Б., Лебедев А.А., Иванов А.М., Давыдов Д.В., Козловский В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Структуры типа p+-n-n+ на базе пленок 6H-SiC, выращенных методом chemical vapor deposition на n+-подложке, облучались протонами с энергией8 МэВ и дозой 8· 1015 см-2. Для стабилизации материала применялся отжиг при T=450oC в течение10 мин. В итоге удельное сопротивление пленки составляло ...
66.

Разъединенные гетероструктуры IIтипа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела     

Моисеев К.Д., Ситникова А.А., Фалеев Н.Н., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Кристаллически совершенные гетероструктуры IIтипа Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78/InAs на основе четверных твердых растворов, обогащенных антимонидом галлия, были получены на подложках InAs (001) методом жидкофазной эпитаксии. Эпитаксиальные слои GaInAsSb были выращены в условиях планарного двумерного р...
67.

Дислокационное происхождение имодель избыточно-туннельного тока в p-n-структурах наоснове GaP     

Евстропов В.В., Джумаева М., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Ситникова А.А., Федоров Л.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Исследован избыточно-туннельный ток в эпитаксиальных невырожденных p-n-переходах из GaP на подложках GaP и Si. Обнаружен существенный экспериментальный факт--- независимость наклона экспоненциальной вольт-амперной (I-V) характеристики (в координатах ln I-V) от ширины области пространственного зар...
68.

Нанорельеф поверхности GaN: влияние сульфидной обработки     

Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Заварин Е.Е., Компан М.Е., Коненкова Е.В., Усиков А.С., Федирко В.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Атомно-силовая микроскопия и фотолюминесценция использованы для изучения нанорельефа поверхности GaN(0001), обработанной в растворах сульфида натрия. Показано, что после сульфидной обработки мелкомасштабный рельеф поверхности слоя существенно сглаживается. ...
69.

Особенности фотоэлектрических свойств изотипных и анизотипных гетеропереходов Si/GaN<O>     

Александров C.Е., Гаврикова Т.А., Зыков В.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Приводятся результаты комплексного исследования электрических и фотоэлектрических свойств изотипных (p-Si/p-GaN) и анизотипных (n-Si/p-GaN) гетеропереходов, изготовленных химическим осаждением пленок твердых растворов GaN на кремниевые подложки путем пиролитического раз...
70.

Распределенные брэгговские зеркала на основе ZnMgSe/ZnCdSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии наподложкахZnSe     

Козловский В.И., Трубенко П.А., Коростелин Ю.В., Роддатис В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
На подложке ZnSe методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены распределенные брэгговские зеркала из10.5 и 20пар чередующихся четвертьволновых слоев ZnMgSe и ZnCdSe с максимумом отражения соответственно на длинах волн 530 и 560 нм, находящимся в области прозрачности подложки. Полученные структу...