Предложен метод расчета квазистатических вольт-амперных характеристик ионных токов в МДП структурах. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных пиков ионных токов на вольт-амперной характеристике. Рассматривается влияние полупроводника на вид вольт-амперной характеристики. Рассчитано распределение ионов в пленке; предложены формулы для определения фоновой концентрации ионов в пленке и их концентрации на границе раздела диэлектрик--полупроводник.
Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Квазистатические ионные токи в тонких диэлектрических пленках МДП (металл--диэлектрик--полупроводник) структур и распределение ионов в пленках // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 192

Измерены зависимости тока от напряжения обратного смещения и температуры диодов Шоттки Al/p-InP, изготовленных на эпитаксиальных слоях фосфида индия, легированного цинком. Обратный ток обладает явно выраженной температурной зависимостью с энергией активации 0.75 эВ в высокотемпературной области и 0.51 эВ при температурах
Пипинис П.А., Римейка А.К., Лапейка В.А., Пипинене А.В. Механизм обратного тока в диодах с барьером Шоттки Al/p-InP // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 188

Исследовано влияние атомов серы и селена на морфологию поверхности диэлектрических слоев, нанесенных на поверхность GaAs подложки. Показано, что введение халькогенов в приповерхностную область полупроводника приводит к выравниванию рельефа поверхности диэлектрических пленок. Одновременно наблюдается снижение плотности поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик--p-GaAs. Результат действия атомов серы и селена зависит от материала диэлектрика.
Панин А.В., Шугуров А.Р., Калыгина В.М. Влияние серы иселена нарельеф поверхности диэлектрических пленок иэлектрические характеристики структур металл--диэлектрик--p-GaAs // ФТП, 2001, том 35, выпуск 1, Стр. 78

Сделана попытка интерпретации вольт-амперной характеристики гетероструктуры p-Si-n-SiC в рамках туннельно-избыточного механизма. Проведена оценка ширины области объемного зарядаW и длины туннелированияlambda. Показано, что W>> lambda и, несмотря на это, транспорт тока через исследуемую гетероструктуру подчиняется туннельному механизму. Найдены характеристическая энергия туннелирования varepsilon=57 мэВ, температурный коэффициент тока насыщения и коэффициент разреженности барьера.
Каражанов С.Ж., Атабаев И.Г., Салиев Т.М., Канаки Э.В., Джаксимов Е. Туннельно-избыточные токи в гетероструктурах p- Si-n-3C-SiC // ФТП, 2001, том 35, выпуск 1, Стр. 75

Структуры типа p+-n-n+ на базе пленок 6H-SiC, выращенных методом chemical vapor deposition на n+-подложке, облучались протонами с энергией8 МэВ и дозой 8· 1015 см-2. Для стабилизации материала применялся отжиг при T=450oC в течение10 мин. В итоге удельное сопротивление пленки составляло rho=5· 109 Ом · см. Воздействие протонов исследовалось методом alpha-спектрометрии. Регистрация alpha-частиц с энергией5.77 МэВ проводилась как при обратном, так и прямом напряжениях. Сопоставлялись результаты двух режимов регистрации: (1)при сквозном простреле структуры плотным треком и(2) для условий полного торможения частицы. Показано, что в случае(1) сигнал в режиме прямого смещения формируется по механизму "сквозного проводящего канала". Это позволяет определить величину произведения времени жизни электронов на их подвижность. Исследован стандартный для спектрометрии режим, когда пробег частицыR не превышает протяженности пленки. Отмечено, что уменьшениеR приводит к различному поведению сигнала для указанных выше смещений. Так, для прямого смещения сигнал уменьшается более резко и при больших значенияхR.
Строкан Н.Б., Лебедев А.А., Иванов А.М., Давыдов Д.В., Козловский В.В. Особенности регистрации alpha -частиц тонкими полуизолирующими пленками 6H-SiC // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1443

Кристаллически совершенные гетероструктуры IIтипа Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78/InAs на основе четверных твердых растворов, обогащенных антимонидом галлия, были получены на подложках InAs (001) методом жидкофазной эпитаксии. Эпитаксиальные слои GaInAsSb были выращены в условиях планарного двумерного роста с резкими по составу и планарными интерфейсами. Толщина переходного слоя на границе раздела Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78/InAs, обогащенного тяжелыми ростовыми компонентами (In и Sb), в совершенных структурах составляла 10--12 Angstrem. Шероховатость верхней границы целиком определялась условиями эпитаксиального роста и не превышала 500 Angstrem для структур с толщинами слоев порядка 2 мкм.
Моисеев К.Д., Ситникова А.А., Фалеев Н.Н., Яковлев Ю.П. Разъединенные гетероструктуры IIтипа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1438

Исследован избыточно-туннельный ток в эпитаксиальных невырожденных p-n-переходах из GaP на подложках GaP и Si. Обнаружен существенный экспериментальный факт--- независимость наклона экспоненциальной вольт-амперной (I-V) характеристики (в координатах ln I-V) от ширины области пространственного заряда, т. е. от уровня легирования n- и p-областей, что не объясняется существующими моделями. Предложена модель дислокационного шунта: многопрыжковое туннелирование по дислокационной линии, представленной цепочкой параболических барьеров. Плотность дислокаций, вычисленная по этой модели, соответствует величине, определенной методом просвечивающей электронной микроскопии.
Евстропов В.В., Джумаева М., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Ситникова А.А., Федоров Л.М. Дислокационное происхождение имодель избыточно-туннельного тока в p-n-структурах наоснове GaP // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1357

Атомно-силовая микроскопия и фотолюминесценция использованы для изучения нанорельефа поверхности GaN(0001), обработанной в растворах сульфида натрия. Показано, что после сульфидной обработки мелкомасштабный рельеф поверхности слоя существенно сглаживается.
Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Заварин Е.Е., Компан М.Е., Коненкова Е.В., Усиков А.С., Федирко В.А. Нанорельеф поверхности GaN: влияние сульфидной обработки // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1353

Приводятся результаты комплексного исследования электрических и фотоэлектрических свойств изотипных (p-Si/p-GaN<O>) и анизотипных (n-Si/p-GaN<O>) гетеропереходов, изготовленных химическим осаждением пленок твердых растворов GaN<O> на кремниевые подложки путем пиролитического разложения моноаммиаката хлорида галлия в присутствии паров воды. В токовом режиме при прямых и обратных смещениях проведены измерения интегральной и спектральной фоточувствительности, кинетики фотоответа; исследованы вольт-амперные характеристики, фотоэдс насыщения. Установлено, что в обоих типах гетеропереходов распределение зарядов в приконтактных областях определяется преимущественно захватом носителей на граничные состояния (плотность которых по оценке составляет ~ 1014-1015 см-2) с образованием обедненных слоев по обе стороны от границы раздела. Проанализированы механизмы формирования фоточувствительности в анизотипных и изотипных гетеропереходах. Показано, что дифференциальный вид кинетики фотоотклика связан с перезарядкой состояний на границе раздела компонентов. Сильный рост фотоотклика изотипного гетероперехода при приложении смещения связывается с фототранзисторным эффектом. Предложенные модели энергетических зон гетеропереходов непротиворечиво объясняют наблюдаемые эффекты.
Александров C.Е., Гаврикова Т.А., Зыков В.А. Особенности фотоэлектрических свойств изотипных и анизотипных гетеропереходов Si/GaN&lt;O&gt; // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1347

На подложке ZnSe методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены распределенные брэгговские зеркала из10.5 и 20пар чередующихся четвертьволновых слоев ZnMgSe и ZnCdSe с максимумом отражения соответственно на длинах волн 530 и 560 нм, находящимся в области прозрачности подложки. Полученные структуры исследованы методами низкотемпературной катодолюминесценции, атомно-силовой и просвечивающей электронной микроскопии. Максимум коэффициента отражения составил78% для 20- и 66% для 10.5-парного зеркала. Полученный результат объясняется на основании модели, учитывающей шероховатость межслоевых границ.
Козловский В.И., Трубенко П.А., Коростелин Ю.В., Роддатис В.В. Распределенные брэгговские зеркала на основе ZnMgSe/ZnCdSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии наподложкахZnSe // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1237