Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность

161.

Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности наспектры фоточувствительности ирекомбинационные параметры слоев GaAs     

Карпович И.А., Степихова М.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследовано влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности слоев GaAs путем нанесения тонкого слоя In0.5Ga0.5P на спектры фотомагнитного эффекта, барьерной фотопроводимости и конденсаторной фотоэдс в GaAs. Обнаружено увеличение скорости поверхностной рекомбинации и аномальной дрейфовой компо...
162.

Соразмерные и несоразмерные фазыIn наповерхности (111)AInAs     

Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Мараховка И.И., Петренко И.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
В данной работе исследованы адсорбционные фазы In на поверхности (111)A InAs. Обнаружены три фазы: соразмерные (2x 2)a, (1x1) и несоразмерная (0.77x0.77). Предложена структурная модель несоразмерной фазы (0.77x0.77) как плотноупакованный слой (111) кристалла In (fcc), находящийся в эпитаксиальном...
163.

Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии структурных дефектов     

Бочкарева Н.И., Клочков А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Изучено температурное поведение высокочастотной проводимости поверхностных электронных каналов в диодах Шоттки на основе высокоомного p-Si, содержащего приповерхностные окислительные дефекты упаковки. Показано, что обратимые температурные изменения поверхностного изгиба зон и работы выхода Si в о...
164.

Фотоэлектрические свойства структур на основе монокристаллов TlInS2     

Иида С., Мамедов Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследован фотовольтаический эффект в гетероконтактах различного типа: In/TlInS2, InSe/TlInS2 и GaSe/TlInS2. Относительная квантовая эффективность фотопреобразования этих структур изучена в зависимости от энергии падающих фотонов и плоскости поляризации линейно поляризованного света. Из измерений...
165.

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-CdS / p-InP     

Ботнарюк В.М., Горчак Л.В., Диакону И.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Поляризационный метод фотоактивного поглощения гетеропереходов CdS/InP использован для исследования процессов фотопреобразования в зависимости от ориентации подложек из фосфида индия. Результаты этих исследований демонстрируют чувствительность фотоэлектрических процессов к нескольким факторам, вк...
166.

Красчету высоты барьера Шоттки наначальной стадии формирования контакта <карбид кремния>--<субмонослойная пленка металла>     

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Тихонов С.К. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
В рамках обобщенной модели Андерсона--Халдейна для плотности состояний полупроводника рассчитано положение локальных и квазилокальных состояний металлических атомов (щелочные металлы, металлы IIIгруппы и группы меди), адсорбированный на поверхности 6H-SiC и их заполнение. Результаты расчетов сопо...
167.

Люминесценция p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации     

Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследованы спектры люминесценции p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при обратном смещении, достаточном для ударной ионизации. Инжекционная люминесценция светодиодов с такими структурами была изучена ранее. В активном слое InGaN гетероструктур существует сильное электрическое поле, и при малом об...
168.

О емкостном профилировании вблизи изотипного гетероперехода     

Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Предлагается метод аккуратного определения профиля основных носителей заряда вблизи изотипного гетероперехода, учитывающий различную величину диэлектрической проницаемости по разные стороны гетерограницы. Метод основан на коррекции концентрацинного профиля носителей, первоначально рассчитанного п...
169.

Свойства диодных структур на основе p-PbTe(Ga)     

Акимов Б.А., Богданов Е.В., Богоявленский В.А., Рябова Л.И., Штанов В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Монкристаллы p-PbTe(Ga) с концентрацией галлия, недостаточной для полной компенсации действия неконтролируемых примесей и собственных дефектов решетки и реализации эффекта пиннинга уровня Ферми (УФ), были использованы для создания диодных структур In контакт--[p-PbTe(Ga)]--Pt контакт. Обнаружено,...
170.

Влияние различных видов обработки поверхности нафотоэлектрические иоптические свойстваCdTe     

Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследованы спектры фотопроводимости и поглощения света в монокристаллах p-CdTe при различных обработках. Показано, что в механически полированных и пластически деформированных кристаллах фотопроводимость и край поглощения определяются нарушенным слоем. Выяснена роль дислокаций в формировании кра...