Исследовано влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности слоев GaAs путем нанесения тонкого слоя In0.5Ga0.5P на спектры фотомагнитного эффекта, барьерной фотопроводимости и конденсаторной фотоэдс в GaAs. Обнаружено увеличение скорости поверхностной рекомбинации и аномальной дрейфовой компоненты фотомагнитного эффекта с ростом коэффициента поглощения в области сильного поглощения и выяснено влияние этих эффектов на спектры фоточувствительности. Показана возможность определения рекомбинационных параметров слоев фотоэлектрическими методами.
Карпович И.А., Степихова М.В. Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности наспектры фоточувствительности ирекомбинационные параметры слоев GaAs // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 182

В данной работе исследованы адсорбционные фазы In на поверхности (111)A InAs. Обнаружены три фазы: соразмерные (2x 2)a, (1x1) и несоразмерная (0.77x0.77). Предложена структурная модель несоразмерной фазы (0.77x0.77) как плотноупакованный слой (111) кристалла In (fcc), находящийся в эпитаксиальном соотношении с подложкой InAs <110>In||<110>InAs. Проанализированы причины реализации структуры fcc. Показано, что несоразмерная фаза пространственно модулирована пориодическим потенциалом подложки. Сравнительный анализ наших данных по адсорбции In на (111) InAs и литературных данных по адсорбции In на (111) Si, Ge выявил важную роль релаксации упругих напряжений в образовании двумерных, индуцированных адсорбцией сверхструктур.
Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Мараховка И.И., Петренко И.П. Соразмерные и несоразмерные фазыIn наповерхности (111)AInAs // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 89

Изучено температурное поведение высокочастотной проводимости поверхностных электронных каналов в диодах Шоттки на основе высокоомного p-Si, содержащего приповерхностные окислительные дефекты упаковки. Показано, что обратимые температурные изменения поверхностного изгиба зон и работы выхода Si в области температур 80/300 K имеют ступенчатый характер. Сделан вывод о том, что при охлаждении от 180 до 80 K поверхностная концентрация свободных электронов растет при характерных для упорядочения диполей воды температурах. Эти эффекты связываются со структурированием адсорбированной на границе Si--SiO2 воды и с упорядоченной ориентацией диполей воды на поверхности при вымораживании их вращательной подвижности.
Бочкарева Н.И., Клочков А.В. Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии структурных дефектов // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 82

Исследован фотовольтаический эффект в гетероконтактах различного типа: In/TlInS2, InSe/TlInS2 и GaSe/TlInS2. Относительная квантовая эффективность фотопреобразования этих структур изучена в зависимости от энергии падающих фотонов и плоскости поляризации линейно поляризованного света. Из измерений фоточувствительности следует, что полученные фоточувствительные структуры могут быть использованы как широкополосные и селективные фотосенсоры оптических излучений.
Иида С., Мамедов Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фотоэлектрические свойства структур на основе монокристаллов TlInS2 // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 78

Поляризационный метод фотоактивного поглощения гетеропереходов CdS/InP использован для исследования процессов фотопреобразования в зависимости от ориентации подложек из фосфида индия. Результаты этих исследований демонстрируют чувствительность фотоэлектрических процессов к нескольким факторам, включая кристаллографическую ориентацию подложек из p-InP и оптическое качество слоев CdS. Коэффициент наведенного фотоплеохроизма этих гетеропереходов растет пропорционально квадрату угла падения (PI~Theta2). Гетеропереходы CdS/InP могут найти применение как поляризационно-фоточувствительные приборы.
Ботнарюк В.М., Горчак Л.В., Диакону И.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-CdS / p-InP // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 72

В рамках обобщенной модели Андерсона--Халдейна для плотности состояний полупроводника рассчитано положение локальных и квазилокальных состояний металлических атомов (щелочные металлы, металлы IIIгруппы и группы меди), адсорбированный на поверхности 6H-SiC и их заполнение. Результаты расчетов сопоставляются с экспериментальными данными по барьерам Шоттки.
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Тихонов С.К. Красчету высоты барьера Шоттки наначальной стадии формирования контакта &lt;карбид кремния&gt;--&lt;субмонослойная пленка металла&gt; // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 68

Исследованы спектры люминесценции p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при обратном смещении, достаточном для ударной ионизации. Инжекционная люминесценция светодиодов с такими структурами была изучена ранее. В активном слое InGaN гетероструктур существует сильное электрическое поле, и при малом обратном смещении преобладает туннельная составляющая тока. Лавинный пробой начинается при напряжениях Vth>8/10 В, т. е. ~3Eg (Eg--- ширина запрещенной зоны), в отличие от слабо легированных структур. Спектры излучения имеют коротковолновый край, соответствующий ширине запрещенной зоны GaN (3.40 эВ), и максимумы в области 2.60/2.80 эВ, соответствующие максимумам спектров инжекционной люминесценции в активном слое. Длинноволновый край спектров в области 1.7/1.8 эВ может быть связан с глубокими уровнями рекомбинации. Обсуждаются механизмы рекомбинации горячей электронно-дырочной плазмы в сильных электрических полях p-n-гетероструктур.
Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. Люминесценция p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 63

Предлагается метод аккуратного определения профиля основных носителей заряда вблизи изотипного гетероперехода, учитывающий различную величину диэлектрической проницаемости по разные стороны гетерограницы. Метод основан на коррекции концентрацинного профиля носителей, первоначально рассчитанного по экспериментальной вольт-фарадной характеристике.
Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В. О емкостном профилировании вблизи изотипного гетероперехода // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 61

Монкристаллы p-PbTe(Ga) с концентрацией галлия, недостаточной для полной компенсации действия неконтролируемых примесей и собственных дефектов решетки и реализации эффекта пиннинга уровня Ферми (УФ), были использованы для создания диодных структур In контакт--[p-PbTe(Ga)]--Pt контакт. Обнаружено, что свойства полученных структур имеют ряд отличительных особенностей по сравнению с барьерами Шоттки In--[p-PbTe]. Вольт-амперные характеристики (ВАХ) исследованных структур не описываются известным соотношением теории Шоттки не только в области обратных, но и при прямых смещениях. При подсветке тепловым источником излучения в области температур T
Акимов Б.А., Богданов Е.В., Богоявленский В.А., Рябова Л.И., Штанов В.И. Свойства диодных структур на основе p-PbTe(Ga) // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1431

Исследованы спектры фотопроводимости и поглощения света в монокристаллах p-CdTe при различных обработках. Показано, что в механически полированных и пластически деформированных кристаллах фотопроводимость и край поглощения определяются нарушенным слоем. Выяснена роль дислокаций в формировании края поглощения и спектра фотопроводимости.
Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е. Влияние различных видов обработки поверхности нафотоэлектрические иоптические свойстваCdTe // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1428