Электронно-лучевая диагностика зондирования приповерхностной области сверхмелких p+-n-переходов электронами малых и средних энергий используется для изучения влияния кристаллографической ориентации кремниевых пластин в механизмах неравновесной диффузии бора. Проводится сравнительный анализ энергетических зависимостей коэффициента радиационной проводимости, а также его распределений по площади p+-n-переходов, полученных в кремниевых пластинах с ориентациями (111) и (100). Данная методика позволяет определить распределение по глубине кристалла вероятности разделения электронно-дырочных пар полем p-n-перехода, которое, как показывают результаты эксперимента, является различным для p+-n-переходов, полученных при доминировании kick-out и диссоциативного вакансионного механизмов примесей диффузии в Si(111) иSi(100). Обнаружено, что механизм диффузии типа kick-out резко усиливается в кристаллографическом направлении[111], тогда как направление[100] благоприятно для диффузии бора в кремнии в условиях доминирования вакансионных механизмов. Показано, что собирание неравновесных носителей в поле p+-n-перехода может резко усилиться, если диффузионный профиль состоит из определенных комбинаций продольных и поперечных квантовыхям.
Андронов А.А., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Робозеров С.В. Сверхмелкие p+-n-переходы вSi(111): электронно-лучевая диагностика приповерхностной области // ФТП, 1999, том 33, выпуск 1, Стр. 58

Полное число подвижных ионов в пленке окисла в МОП структуре на основе Si определялось традиционными методами вольт-фарадных и динамических вольт-амперных характеристик. Определена доля ионов, находящихся в нейтральном состоянии у границы раздела Si--SiO2. При спектроскопии границы раздела обнаружен пик в эффективной плотности пограничных состояний. Показано, что число состояний в пике плотности соответствует количеству нейтрализованных частиц. Обсуждается механизм нейтрализации подвижного заряда ионов.
Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Проявление процесса денейтрализации подвижного заряда в SiO2 приспектроскопии границы раздела кремний--окисел // ФТП, 1998, том 32, выпуск 12, Стр. 1445

Кинетика дрейфа подвижного заряда в пленках SiO2, его захват на ионные ловушки, локализованные на границе раздела Si--SiO2, и эмиссия ионов из этих ловушек исследовались с помощью измерений вольтъемкостных, динамических вольт-амперных и токов термостимулированной деполяризации диэлектрика. Компоненты (пики) токов, связанных с эмиссией захваченных на границе раздела частиц при термополевых воздействиях, выделены в явном виде. Показано, что заряд поверхностных ионов в основном нейтрализован электронами Si, а полевая зависимость токов эмиссии ионов характеризуется аномальным эффектом Шоттки, связанным с раскрытием потенциала ионных ловушек внешним полем. Обсуждается связь этих ловушек с неоднородностями потенциала--- потенциальными ямами для подвижных частиц на рассматриваемой границе раздела. Отмечено, что подвижные ионы в диэлектрике могут быть использованы для диагностики неоднородностей потенциала границы раздела.
Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Макроскопические ионные ловушки на границе раздела кремний--окисел // ФТП, 1998, том 32, выпуск 12, Стр. 1439

Представлены результаты исследования эффекта электрического переключения проводимости с памятью в слоистых структурах на основе пленочных фторидовРЗЭ. Методами вольт-амперных и вольтъемкостных измерений определены особенности высокоомного и низкоомного состояний структуры металл--диэлектрик--полупроводник. Показано, что характеристики низкоомного состояния рассматриваемой структуры описываются моделью структуры металл--туннельный диэлектрик--полупроводник.
Рожков В.А., Шалимова М.Б. Электрофизические свойства переключающих слоистых структур наоснове пленочных фторидов редкоземельных элементов // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1349

Проведены исследования влияния обработки атомарным водородом на свойства GaAs и на следующие характеристики контактов Au--GaAs с барьером Шоттки: показатель идеальности вольт-амперной характеристики n, высота барьера varphib и обратное напряжение Vr при токе 10 мкА. При обработке водородом поверхность GaAs была свободной (образцы A-типа), либо защищалась тонким (~50 Angstrem) слоем SiO2 (образцы B-типа). Показано, что для образцов A-типа существует оптимальный режим обработки (температура 150-250oC, длительность порядка 5 мин), при котором значения n и Vr достигают соответственно минимума и максимума. Для образцов B-типа значения n и Vr улучшаются, начиная с минимальных длительностей и температур обработки, и сохраняются, либо улучшаются во всем исследованном интервале температур (100-400oC) и длительностей (1--50 мин). Процессы пассивации примеси при этом протекают в тех и других образцах примерно одинаково.
Божков В.Г., Кагадей В.А., Торхов Н.А. Влияние гидрогенизации на свойства контактов металл-GaAs сбарьером Шоттки // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1343

Представлены результаты экспериментального исследования процессов релаксации заряда в структуре металл--диэлектрик--полупроводник с окислами редкоземельных элементов Gd2O3 и Lu2O3 методом релаксационной емкостной спектроскопии глубоких уровней, нелинейных колебаний в структуре металл--диэлектрик--полупроводник, подключенной к внешней цепи с индуктивностью. На основе анализа результатов релаксационной емкостной спектроскопии глубоких уровней и изменения конфигурации области управляющих параметров "амплитуда--частота" приложенного напряжения с температурой показано, что генерация нелинейных колебаний в структуре металл--диэлектрик--полупроводник определяется свойствами границы раздела диэлектрик--полупроводник, в частности плотностью поверхностных состояний, величинами сечений захвата.
Федоренко Я.Г., Малинин А., Свердлова А.М. Исследование динамических характеристик границы раздела полупроводник--диэлектрик // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1337

На основе анализа кинетики избыточного тока многослойных структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, наблюдаемой как в процессе оптического облучения, так и после него, определены основные параметры неконтролируемых глубоких уровней, ответственных за эффект фотоэлектрической памяти в этих структурах. Зависимость сечения фотоионизации от энергии кванта оптического излучения, сечение захвата и величина энергетического барьера для захвата электрона со дна зоны проводимости указывают, что неконтролируемые глубокие уровни являются DX-центрами, образованными кремниевой примесью. Вероятно, данные DX-центры появляются в процессе выращивания структур в результате облегченной диффузии кремния из квантовых ям по дефектам роста.
Овсюк В.Н., Демьяненко М.А., Шашкин В.В., Торопов А.И. Природа глубоких уровней, ответственных за эффект фотоэлектрической памяти в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1213

Приведены результаты исследований фотолюминесценции, которая возбуждается N2-лазером в области пространственного заряда контактов Ni--ZnSe. Установлено, что модуляция интенсивности фотолюминесценции происходит не только под действием внешнего напряжения, но и в ее отсутствие, в зависимости от режима включения диода--- холостого хода или короткого замыкания. Предлагается физическая интерпретация исследуемых закономерностей.
Махний В.П., Слетов М.М. Фотолюминесценция области пространственного заряда контактов металл--селенид цинка // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1210

Методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе выращены тонкие интерференционные слои n-GaN на подложках n- иp- GaP с ориентациями (100) и(111). Изучены спектры фоточувствительности анизотипных и изотипных гетеропереходов при наклонном падении линейно поляризованного излучения со стороны широкозонной компоненты. Обнаружена наведенная поляризационная фоточувствительность и обсуждаются ее особенности, обусловленные интерференцией излучения в слое нитрида галлия.
Ботнарюк В.М., Бельков В.В., Жиляев Ю.В., Раевский С.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов GaN/GaP // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1206

Плазменной обработкой монокристаллических пластин арсенида и фосфида галлия получены тонкие широкозонные слои. Исследованы спектральные зависимости фотолюминесценции полученных слоев и фоточувствительности структур слой/подложка. Анализ полученных результатов позволяет считать, что разработанный технологический процесс приводит к замещению атомов мышьяка и фосфора на азот и образованию на поверхности указанных полупроводников широкозонных слоев твердых растворов.
Агекян В.Ф., Иванов--Омский В.И., Князевский В.Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1203