Исследуются собственные колебания электромагнитного поля на границе вакуум-ферромагнитный полупроводник. Найдены их закон дисперсии и область существования. Показана возможность их возбуждения магнитным диполем, расположенным над поверхностью среды. Определены поля и плотность потока энергии поверхностных волн в вакууме.
Фалько В.Л., Ханкина С.И., Яковенко В.М. Поверхностные магнитоплазменные волны в ферромагнитном полупроводнике иих возбуждение магнитным диполем // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 707

Методом приведения в прямой оптический контакт поверхности осажденных на подложки из кварцевого стекла тонких пленок аморфного гидрированного кремния с поверхностью естественного скола InSe впервые получены выпрямляющие фоточувствительные структуры. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности полученных гетероконтактов и установлены перспективы использования нового гетероперехода a-Si : H / n-InSe в фотопреобразователях солнечного излучения.
Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фоточувствительность гетероконтактов a-Si : H / n-InSe // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 704

С использованием методов атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии исследован рельеф поверхности пленок SiO2 и их влияние на диффузию атомарного водорода в глубь полупроводника в процессе гидрогенизации. Показано, что при нанесении слоя диэлектрика на его поверхности образуются меза-структуры, проявляющиеся в виде гофрировки поверхности. Последнее обусловливает увеличение количества водорода, проникающего в глубь полупроводника в процессе гирдрогенизации. Нанесение пленки диэлектрика на поверхность полупроводника приводит к реконструкции поверхности n-GaAs, заключающейся в образовании квазипериодического рельефа. Обработка в атомарном водороде поверхности n-GaAs, покрытой защитной пленкой SiO2, приводит к изменению рельефа поверхности эпитаксиального слоя.
Панин А.В., Торхов Н.А. Влияние защитных пленок SiO2 на диффузию атомарного водорода при гидрогенизации эпитаксиального n-GaAs // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 698

Сообщаются новые экспериментальные результаты по переносу заряда в p-n-переходах на основе Hg1-xMnxTe (x~0.11). Наблюдаемые характеристики объясняются в рамках теории Саа--Нойса--Шокли с учетом особенностей рекомбинации носителей в узкозонном полупроводнике.
Косяченко Л.А., Остапов С.Э., Вейгуа Сун Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в p-n-переходах на основе HgMnTe // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 695

Дана оценка порогового значения скорости роста напряжения на обратно смещенной диодной структуре, необходимого для возбуждения в ней фронта ударной ионизации, распространяющегося с большей скоростью, чем насыщенные дрейфовые скорости носителей.
Минарский А.М., Родин П.Б. О критической скорости роста напряжения при запуске сверхбыстрого фронта ударной ионизации в диодной структуре // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 692

Осаждением пленок CuInSe2 на подложки CdS в квазизамкнутом реакторе с "горячими стенками" получены p-n-гетероструктуры CuInSe2 / CdS. Исследованы термоэдс, вольт-амперные характеристики и спектры фоточувствительности гетероструктур.
Магомедов М.-Р.А., Исмаилов Ш.М., Магомедова Дж.Х., Хохлачев П.П. Термоэлектрические и фотоэлектрические свойства p-n-гетероструктур CuInSe2/CdS, полученных методом квазиравновесного осаждения // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 689

-1 Методом импульсного лазерного испарения получены поликристаллические пленки (CuInSe2)x(2ZnSe)1-x (x=0-0.6) p-типа проводимости толщиной 0.6-1.0 мкм. Показано, что в данной системе в области составов x=0.7 происходит структурный переход халькопирит--сфалерит. На основе полученных пленок созданы фоточувствительные структуры нескольких типов: In/p-(CuInSe2)x(2ZnSe)1-x и InSe(GaSe)/(CuInSe2)x(2ZnSe)1-x. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования, анализируется фоточувствительность структур в зависимости от типа энергетического барьера и состава. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в качестве широкополосных фотопреобразователей.
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Гременок В.Ф., Боднарь И.В., Русак Л.В. Фоточувствительность тонкопленочных структур наоснове твердых растворов (CuInSe2)x(2ZnSe)1-x // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 576

Исследовано влияние искажения греющей волны на рекомбинационные токи и эдс, генерируемые на p-n-переходе в сильном СВЧ поле. Показано, что высокочастотные возмущения поверхностного потенциала и высоты p-n-перехода греющей волной в режиме тока короткого замыкания приводят к уменьшению эффективной высоты барьера, а в режиме холостого хода к аномально большим значениям эдс.
Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Бойдедаев С.Р. Эдс горячих носителей, обусловленная модуляцией поверхностного потенциала в сильном СВЧ поле // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 572

Теоретически описан экспериментально обнаруженный эффект возникновения режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения в туннельном диоде под действием внешнего СВЧ сигнала. Выяснены причины существования диапазонов напряжений смещений на диоде и уровней мощности СВЧ сигнала, в которых наблюдается обнаруженный эффект.
Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В., Вениг С.Б., Орлов В.Е. Возникновение режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения в туннельном диоде под действием внешнего СВЧ сигнала // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 567

Теоретически исследован фотоемкостной эффект в монополярном МДП конденсаторе при оптической ионизации примесных атомов в полупроводниковом электроде при низких температурах. Выведены аналитические выражения для характеристик емкость--напряжение и фотоемкость--напряжение для МДП конденсатора с электродом из полупроводника p-типа. Показано, что зависимость фотоемкостной чувствительности от напряжения смещения имеет вид относительно узкого пика, величина и положение которого на оси напряжений зависит от концентрации донорной примеси. Представлены емкостные и фотоемкостные характеристики для МДП конденсатора с электродом из кремния, легированного индием.
Пенин Н.А. Фотоемкостной эффект в монополярном металл--диэлектрик--полупроводник конденсаторе при низких температурах // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 562