Проведено исследование параметров гетероэпитаксиальных структур { 3C/6H }-SiC. Гетероэпитаксиальный рост проводился методом сублимационной эпитаксии в открытой системе. Наличие политипа 3C было подтверждено рентгеновскими исследованиями. Проведены исследования вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик и спектров электролюминесценции полученных p-n-структур. Было обнаружено, что в гетерополитипных структурах между p-3C-SiC и n-6H-SiC образовывался тонкий слабо легированный дефектный слой p-6H-SiC, который и определял электрофизические характеристики сформированных диодных структур.
Ледебев А.А., Савкина Н.С., Трегубова А.С., Щеглов М.П. Исследование гетероэпитаксиальных структур {p-3C/n-6H}-SiC // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1083

Получены аналитические выражения для волновых функций электронов, малосигнальной высокочастотной проводимости, ширин энергетических уровней (минизон) в несимметричной двухбарьерной структуре с тонкими барьерами, в условиях когерентного туннелирования электронов как строго по центрам энергетических уровней, так и при отклонении их энергии от строго резонансной. Показано, что соответствующим выбором расположения минизон структуры относительно дна зоны проводимости полупроводниковых материалов слева и справа от нее, можно добиться коэффициента прохождения электронов равного 1, а также существенного увеличения интегральной (с учетом распределения падающих на структуру электронов по энергии) высокочастотной проводимости структуры.
Голант Е.И., Пашковский А.Б. Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1077

Исследованы электрические свойства гетеропереходов туллурид--селенид цинка, полученных методом реакций твердофазного замещения. Установлено, что прямой ток определяется туннельно-рекомбинационными процессами при низких смещениях и диффузией носителей над барьером--- при высоких. Начальные участки обратных ветвей вольт-амперных характеристик описываются в рамках модели туннельного прохождения носителей с участием глубоких уровней. При больших обратных смещениях наблюдается резкое увеличение тока вследствие процессов ударной ионизации.
Баранюк В.Е., Махний В.П. Механизмы прохождения тока в гетеропереходах теллурид--селенидцинка // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1074