Методами рамановской и инфракрасной спектроскопии изучались нанокристаллические GaN-пленки, которые были выращены хлорид-гидридной эпитаксией на SiO2/Si (111)-подложке при T=520oC. Установлено, что нанокристаллыGaN формируются на поверхности оксидированного кремния со скоростью10-2 нм/с. Показано, что пики рамановских спектров E2(high)=566 см-1 и A1(LO)=730 см-1 соответствуют упругонапряженной структуре вюрцитаGaN. Обнаружено, что в инфракрасных спектрах проявляется пик, связанный с E1(TO)=558 см-1, который показывает, что упругие напряжения в нанокристаллахневелики.
Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Федирко В.А., Zahn D.R.T. Рамановская и инфракрасная спектроскопии нанокристалловGaN, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией наоксидированном кремнии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 964

Исследовалось влияние температуры роста на плотность, латеральный размер ивысоту квантовых точек InAs-GaAs по данным просвечивающей электронной микроскопии. Сувеличением температуры роста от450 до520oC наблюдается уменьшение плотности квантовых точек, атакже увеличение их латерального размера иуменьшение высоты, т. е. точки приобретают более плоскую форму. Коротковолновый сдвиг линии фотолюминесценции свидетельствует об уменьшении объема квантовых точек. Наблюдаемые закономерности находятся всогласии свыводами термодинамической теории роста. Исследовалось также влияние понижения температуры подложки непосредственно после формирования квантовых точек на их параметры. При понижении температуры происходит уменьшение латерального размера точек иувеличение их плотности, т. е. массивы квантовых точек стремятся приобрести равновесные параметры, соответствующие температуре, до которой осуществляется охлаждение. Высота квантовых точек при охлаждении увеличивается очень быстро, ипри конечном времени охлаждения может превышать равновесное значение, что открывает возможности для создания массивов квантовых точек стребуемым отношением высоты клатеральному размеру путем выбора времени охлаждения.
Черкашин Н.А., Максимов М.В., Макаров А.Г., Щукин В.А., Устинов В.М., Луковская Н.В., Мусихин Ю.Г., Цырлин Г.Э., Берт Н.А., Алферов Ж.И., Леденцов Н.Н., Бимберг Д. Управление параметрами массивов квантовых точек InAs--GaAs врежиме роста Странского--Крастанова // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 890

В рамках дипольного приближения теоретически изучено межзонное поглощение света в малом полупроводником микрокристалле. Получено выражение для коэффициента поглощения света в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки с поверхностью микрокристалла играет доминирующую роль. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью микрокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в микрокристалле в коротковолновую сторону. Установлено, что край поглощения малых микрокристаллов формируется двумя сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона.
Покутний С.И. Межзонное поглощение света вполупроводниковых наноструктурах // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 743

Изучено влияние имплантации 1013-1016 см-2 ионовP и последующего отжига при 600-1100oC на фотолюминесценцию нанокристалловSi, заранее сформированных в слоях SiO2. Сразу после имплантации дозы 1013 см-2 наблюдается гашение полосы 780 нм, излучаемой нанокристаллами. Восстановление эмиссии частично нарушенных нанокристаллов заметно уже с600oC, но после превышения дозы аморфизации необходимы отжиги 1000-1100oC. После отжигов обнаружены усиление люминесценции при имплантации малых дозP и ее ускоренное восстановление, когда концентрацияP превышает ~0.1 ат%. Первый эффект объясняется ударной кристаллизацией нановыделений, второй--- ускорением кристаллизации примесью. Последнее наряду с дозовой зависимостью послеотжиговой люминесценции рассматривается как свидетельство попадания атомовP в нанокристаллыSi. Вопреки ряду оценок введениеP не приводит к гашению люминесценции из-за оже-рекомбинации. Расхождения объясняются взаимодействием носителей с ядрами доноров.
Качурин Г.А., Яновская С.Г., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Влияние имплантации ионовP нафотолюминесценцию нанокристалловSi вслояхSiO2 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 738

Рассматривается электрическое сопротивление на постоянном токе полупроводниковой квантовой проволоки вдиэлектрической матрице, обусловленное взаимодействием носителей заряда спродольными акустическими фононами матрицы. Для случая невырожденного газа носителей впроволоке на основе приближения времени релаксации получены простые аналитические выражения для расчета электропроводности. При независящей от температуры концентрации носителей заряда сопротивление проволоки растет стемпературой какT5/2, т. е. более сильно, чем вобъемном ковалентном полупроводнике.
Поклонский Н.А., Кисляков Е.Ф., Вырко С.А. Отемпературной зависимости статической электропроводности полупроводниковой квантовой проволоки визоляторе // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 735

Приведены исследования зависимостей проводимости от температуры инапряженности электрического поля вшироком диапазоне значений проводимости (от sigma<< e2/h до sigma>> e2/h) на структурах GaAs / InGaAs / GaAs сдвумерным электронным газом. Показано, что температурная зависимость омической проводимости не является достаточным критерием для определения механизма проводимости. Исследования неомической проводимости дают возможность определить диапазон значений низкотемпературной проводимости, когда диффузионный механизм проводимости сменяется прыжковым. Показано, что висследованных структурах при увеличении беспорядка проводимость остается диффузионной вплоть до значений низкотемпературной проводимости, много меньшей, чемe2/h.
Шерстобитов А.А., Миньков Г.М., Рут О.Э., Германенко А.В., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., Бирюков А.А. Неомическая проводимость при переходе от слабой ксильной локализации вструктурах GaAs / InGaAs сдвумерным электронным газом // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 730

Интенсивная антистоксова фотолюминесценция наблюдалась при низких температурах в структуре CdSe/ZnSe с одиночными вставками CdSe номинальной толщины1.5 и0.6монослоев в матрице ZnSe. При возбуждении с энергией фотонов, заметно меньшей энергетического положения максимума антистоксовой полосы, получена близкая к квадратичной зависимость ее интенсивности от мощности возбуждения, а при резонансном возбуждении--- получена менее резкая зависимость. Механизм возбуждения антистоксовой фотолюминесценции интерпретирован на основе нелинейного процесса двухступенчатого двухфотонного поглощения через глубокие состояния дефектных центров, включающих катионные вакансии, локализованные на гетерогранице барьер--наноостровок.
Валах М.Я., Вуйчик Н.В., Стрельчук В.В., Сорокин С.В., Шубина Т.В., Иванов С.В., Копьев П.С. Низкотемпературная антистоксова фотолюминесценция внаноструктурах CdSe/ZnSe // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 724

Врезультате изучения туннельного транспорта электронов через однобарьерные гетероструктуры GaAs/AlAs/GaAs показано, что причиной \glqq нулевых аномалий\grqq--- экстремумов вдифференциальной проводимости вблизи нулевого напряжения--- висследованных структурах является резонансное туннелирование между параллельными двумерными электронными газами вобогащенных слоях, образовавшихся по обе стороны барьеров из-за наличия вбарьерах донорных примесей Si. Обнаружено подавление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами вузких интервалах вблизи нулевого напряжения (туннельная щель) всильном магнитном поле, параллельном направлению тока, когда вкаждом из двумерных электронных газов заполнен только один уровень Ландау. Подавление обусловлено кулоновской щелью на уровне Ферми втуннельной плотности состояний. Этот эксперимент впервые обнаружил проявление кулоновской щели при туннелировании между параллельными двумерными электронными газами сотносительно низкими подвижностями, вкоторых влияние беспорядка или случайных флуктуаций потенциала на механизм формирования туннельной щели может оказаться заметным.
Ханин Ю.Н., Дубровский Ю.В., Вдовин Е.Е. Нулевые аномалии транспортных характеристик однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs как проявление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами иподавление резонансного туннелирования вмагнитном поле как проявление кулоновской щели втуннельной плотности состояний // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 717

В гетероструктурах со связанными квантовыми ямами измерены температурные зависимости проводимости ихолловской подвижности. Изучены их зависимости от ширины квантовой ямы. Показано, что введение туннельно-прозрачного барьера всередине ямы увеличивает подвижность вузких ямах иуменьшает--- вшироких. Проведено сравнение экспериментальных результатов срассчитанными зависимостями. Показано, что число заполненных подзон размерного квантования зависит от ширины ямы иналичия барьера. При температуре4.2 K вдиапазоне магнитных полей от1 до40 Тл измерены магнетосопротивление исопротивление Холла. Спомощью фурье--анализа осцилляций Шубникова--де-Гааза определено заполнение подзон. Получено хорошее согласие срассчитанными величинами.
Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Васильевский И.С., Деркач А.В. Исследование электронного транспорта всвязанных квантовых ямах сдвухсторонным легированием // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 711

Вквантовых гетероструктурах GaAs / InxGa1-xAs / GaAs исследованы изменение формы спектра изависимости интенсивности ивремени релаксации сверхизлучения от плотности мощности возбуждения вдиапазоне1· 10-3-9·106 Вт / см2. Впервые показано влияние заполнения квантовой ямы на все параметры спектра сверхизлучения.
Климовская А.И., Дрига Ю.А., Гуле Е.Г., Пикарук О.А. Сверхизлучение вквантовых гетероструктурах // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 706